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該運算放大器的單位增益穩定，并具有超低的輸入偏置電流，非常適合傳感器接口、有源濾波器、工業和便攜式應用。...
正向穩態導通壓降低肖特基二極管正向壓降非常小，一般為0.2~0.45V，比快恢復二極管正向壓降低很多，所以自身功耗較小。...
總體電流檢測精度誤差的預算需要考慮三個因素：初始電阻容差、環境溫度變化引起的TCR誤差以及自發熱引起的TCR誤差。幸運的是，供應商會提供具有極低TCR的專用精密金屬箔電阻器。...
這種現象是由于環路不穩定，相位裕度不足導致的；我們可以按照TI文檔中的方法進行相位裕度的仿真。TI的文檔如下，我們先仿真一下不并聯電容情況下的相位裕度。...
SiC器件的核心優勢在于其寬禁帶、高熱導率、以及高擊穿電壓。具體來說，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導率是硅的3倍以上，有利于高功率應用中的熱管理。...
差分放大器最完美的狀態是圖1電路中的兩個R1完全相等、兩個R2完全相等，然而，我們無法找到兩個阻值一模一樣的電阻，常見的電阻也有1%的誤差。這會使得電阻失配，將大大降低共模抑制比CMRR。...
和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關頻率高等諸多優點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰。...
隨著施加到電容器的頻率增加，其效果是降低其電抗（以歐姆為單位測量）。同樣，當電容器兩端的頻率降低時，其電抗值也會增加。這種變化稱為電容器的復阻抗。...
功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。...
NTC熱敏電阻器的阻值與溫度的關系是近似符合指數函數規律的，并可做出電阻-溫度特性曲線，阻值與溫度成一一對應的關系，利用NTC熱敏電阻器的這一阻溫特性，可由測量電阻值而推算出溫度的高低，它是NTC熱敏電阻器測溫的基礎。...
由于運放的電壓放大倍數很大，一般通用型運算放大器的開環電壓放大倍數都在 80dB 以上。而運放的輸出電壓是有限的，一般在 10 V～14 V。因此運放的差模輸入電壓不足 1 mV，兩輸入端近似等電位，相當于 “短路”。開環電壓放大倍數越大，兩輸入端的電位越接近相等。...
根據 IGBT 熱傳導示意圖所示，芯片內損耗產生的熱能通過芯片傳到外殼底座，再由外殼將少量的熱量直接傳到環境中去（以對流和輻射的形式），而大部分熱量通過底座經絕緣墊片直接傳到散熱器，最后由散熱器傳入空氣中。...
什么是BUCK電路？BUCK電路就是降壓斬波電路,是基本的DC-DC電路，用于直流到直流的降壓變換；與之相對的是BOOST電路（BOOST電路...
模擬開關由于其應用的信號鏈路為電子板低壓工作環境，耐壓值一般在15v以內，常見的有3.3v、5v、12v、15v等最大耐壓值。選擇時必須注意信號鏈路的最大電壓與器件最大耐壓值。...
從儲能角度理解電容容易造成一種錯覺，認為電容越大越好。而且容易誤導大家認為儲能作用發生在低頻段，不容易向高頻擴展。實際上，從儲能角度理解，可以解釋任何電容的功能。...
在SiC晶體的擴徑生長上比較困難，比如我們有了4英寸的晶體，想把晶體直徑擴展到6英寸或者8英寸上，需要花費的周期特別長。...
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