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模擬技術

電子發燒友網為用戶提供了專業的模擬技術文章和模擬電子技術應用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術與電子技術欄目。
入局即王炸!2MSPS,24位!又一國產ADC打入高端局

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電子發燒友網報道(文/梁浩斌)ADC是連接模擬世界和數字系統的橋梁,是信號鏈芯片中的核心。如何提高ADC的采樣率(速度)、分辨率(精度),同時又降低功耗,是各大模擬廠商技術迭代的...

2025-03-13 標簽:adc 1660

MDC91128S數據手冊#128 通道、20 位電流輸入 ADC

MDC91128S數據手冊#128 通道、20 位電流輸入 ADC

MDC91128 是一款 128 通道、20 位或 16 位電流輸入模數轉換器 (ADC)。它在單個封裝中同時集成了電流到電壓轉換和模數(A/D) 轉換。多達128 個低電平電流輸出器件(例如光電二極管)可以直接連接到...

2025-03-11 標簽:ADC 357

智能座艙SoC,急需更強大的GPU IP

智能座艙SoC,急需更強大的GPU IP

? 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)汽車智能化的浪潮勢不可擋,傳統ECU架構因硬件冗余、通信效率低等缺陷逐漸被淘汰,電子電氣架構從分布式向集中式演進,取而代之的是高性能CPU、GPU所支...

2025-03-09 標簽:gpuIP智能座艙 1569

反激式轉換器RCD緩沖電路的設計指南

反激式轉換器RCD緩沖電路的設計指南

本文介紹反激式轉換器 RCD 緩沖電路的設計指南。當 MOSFET 關斷時,由于主變壓器的漏電感 (Llk) 與 MOSFET 的輸出電容 (COSS) 之間存在諧振,漏極引腳 上會出現高壓尖峰。漏極引腳上的過高電壓可...

2025-03-04 標簽:二極管MOSFETMOSFETRCD二極管反激式轉換器緩沖電路 1192

恒流源輸出漏電問題分析和解決方案

恒流源輸出漏電問題分析和解決方案

這個問題是逛TI論壇時看到的一個恒流源輸出漏電的問題,原帖沒有給出合適的解決方案,并且這個問題比較經典,所以與各位道友一同分享我的看法和解決思路。...

2025-03-03 標簽:led三極管運放漏電led三極管恒流源漏電運放 657

MP2643數據手冊#第三代雙電芯、2A、雙向主動均衡芯片

MP2643數據手冊#第三代雙電芯、2A、雙向主動均衡芯片

MP2643 是一款高度集成的雙向主動均衡芯片,它可以通過高達 2A 的電流傳輸能力對電池包中相鄰兩節串聯電芯(鋰離子、鋰聚合物或磷酸鐵鋰(LFP 或LiFePO4))的電量進行重新分配。MP2643規避了通過...

2025-03-01 標簽: 838

芯對話 |?CBM97D39高性能數模轉換的行業寵兒,它強在哪?

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一、總述數據的處理與傳輸能力現如今已然成為推動各個領域進步的核心動力。從通信行業對高速、穩定信號傳輸的追求,到儀器與測試設備對高精度測量的執著,再到雷達、航空設備對復雜環...

2025-02-26 標簽:芯片半導體國產芯片半導體國產芯片數模轉換芯片 825

ATA-2031高壓放大器在復合材料板超聲無損探傷中的應用

ATA-2031高壓放大器在復合材料板超聲無損探傷中的應用

實驗名稱:ATA-2031高壓放大器在復合材料板超聲無損探傷中的應用實驗方向:復合材料,超聲導波,無損檢測,信號處理,深度學習實驗設備:ATA-20321高壓放大器,任意函數波形發生器、示波器...

2025-02-27 標簽:高壓放大器復合材料復合材料無損探傷高壓放大器 1311

TLV9144 18V、軌到軌輸入和輸出、125kHz低功耗運算放大器技術手冊

TLV9144 18V、軌到軌輸入和輸出、125kHz低功耗運算放大器技術手冊

TLV914x 系列(TLV9141、TLV9142 和 TLV9144)是高電壓 (18V) 軌到軌輸入和輸出 (RRIO) 運算放大器系列。由于該系列具有每通道 7μA 的低靜態電流,因此這些器件為低功耗應用提供了出色的性能。...

2025-03-15 標簽:運算放大器軌到軌輸入低靜態電流軌到軌輸入運算放大器高電壓 49

TLV1842-Q1 汽車級、雙通道、高速高壓開漏比較器技術手冊

TLV1842-Q1 汽車級、雙通道、高速高壓開漏比較器技術手冊

TLV183x-Q1 和 TLV184x-Q1 是工作電壓高達 40V 的高速比較器。該比較器提供軌到軌輸入以及推挽或開漏輸出選項。這些特性與 65ns 傳播延遲相結合,使得該系列非常適合高速電流檢測和電壓保護應用...

2025-03-15 標簽:比較器軌到軌輸入開漏輸出推挽輸出比較器軌到軌輸入高速比較器 55

PGA849 低噪聲高帶寬精密可編程增益放大器技術手冊

PGA849 低噪聲高帶寬精密可編程增益放大器技術手冊

PGA849 是一款寬帶寬、低噪聲、可編程增益儀表放大器,適用于差分到單端轉換。PGA849 具有八種二進制增益設置(從 0.125V/V 的衰減增益到最大 16V/V),可以通過三個數字增益選擇引腳進行選擇。...

2025-03-15 標簽:低噪聲儀表放大器低噪聲可編程增益放大器寬帶寬 50

TRF1213 100MHz 至14GHz、3dB帶寬,單端轉差分射頻放大器技術手冊

TRF1213 100MHz 至14GHz、3dB帶寬,單端轉差分射頻放大器技術手冊

TRF1213 是一款超高性能射頻(RF)放大器,專門針對射頻應用進行了優化。在驅動高性能 AFE7950 或 ADC12DJ5200RF等射頻采樣模數轉換器(ADC)時,此器件非常適合需要進行單端轉差分的交流耦合應用...

2025-03-15 標簽:射頻采樣交流耦合射頻放大器射頻采樣 123

OPA2383 低功耗、高精度、2.5MHz零漂移運算放大器技術手冊

OPA2383 低功耗、高精度、2.5MHz零漂移運算放大器技術手冊

OPA383、OPA2383 和 OPA4383 (OPAx383) 精密放大器系列提供出色的性能。通過零溫漂技術,OPAx383 的失調電壓和失調溫漂可提供出色的長期穩定性。僅需 65μA 的超低靜態電流,OPAx383 就能實現 2.5MHz 的帶...

2025-03-15 標簽:運算放大器高精度低功耗低功耗運算放大器零溫漂高精度 109

TRF1305B1 具有共模控制的直流至7.2GHz、3dB BW、10dB增益,全差分射頻放大器技術手冊

TRF1305B1 具有共模控制的直流至7.2GHz、3dB BW、10dB增益,全差分射頻放大器技術手

TRF1305B1 是一款超高性能閉環單通道射頻放大器,工作帶寬從真直流到 7GHz 以上。該器件具有出色的性能,可通過直流或交流耦合接口驅動高速、高性能ADC,例如 ADC12DJ5200RF 和ADC32RF5x。該放大器...

2025-03-15 標簽:射頻放大器全差分單通道射頻放大器 112

TLV2888 低噪聲、零漂移、寬帶寬、多路復用器友好型運算放大器技術手冊

TLV2888 低噪聲、零漂移、寬帶寬、多路復用器友好型運算放大器技術手冊

TLV888、TLV2888 和 TLV4888 (TLVx888) 是寬帶寬、低噪聲、零漂移運算放大器 (op amp)。這些運算放大器在寬溫度范圍內具有僅 15μV 的偏移電壓(最大值)和 0.1μV/°C 的偏移電壓漂移(最大值)。...

2025-03-15 標簽:運算放大器低噪聲寬帶寬低噪聲寬帶寬運算放大器零漂移放大器 116

可編程電子負載的原理及主要應用

可編程電子負載的原理及主要應用

可編程電子負載是電源測試領域的關鍵設備,能夠模擬真實負載條件并動態調整參數,為電源、電池、新能源設備等提供性能驗證。源儀電子基于20年行業經驗,開發了可編程直流電子負載系列...

2025-03-15 標簽:電子負載直流電子負載電子負載直流電子負載 82

OPA4H199-SP 航天級、四通道、40V/4.5MHz軌到軌輸入和輸出運算放大器技術手冊

OPA4H199-SP 航天級、四通道、40V/4.5MHz軌到軌輸入和輸出運算放大器技術手冊

OPA4H199-SP 是一款適用于航天應用的高電壓 (40V) 通用運算放大器。該器件具有出色的直流精度和交流性能,包括軌到軌輸入/輸出、低失調電壓(典型值為 ±125μV)、低溫漂(典型值為 ±0.3μV/°...

2025-03-15 標簽:運算放大器帶寬低噪聲軌到軌輸入低噪聲帶寬航天應用軌到軌輸入運算放大器 120

TLV9142 雙通道、18V、125kHz微功耗 (7μA)、低輸入偏置電流(0.5pA) RRIO運算放大器技術手冊

TLV9142 雙通道、18V、125kHz微功耗 (7μA)、低輸入偏置電流(0.5pA) RRIO運算放大

TLV914x 系列(TLV9141、TLV9142 和 TLV9144)是高電壓 (18V) 軌到軌輸入和輸出 (RRIO) 運算放大器系列。由于該系列具有每通道 7μA 的低靜態電流,因此這些器件為低功耗應用提供了出色的性能。...

2025-03-15 標簽:運算放大器低功耗低靜態電流軌到軌輸入低功耗低靜態電流軌到軌輸入運算放大器高壓電 112

LMH13000 高速輸出電流驅動器技術手冊

LMH13000 高速輸出電流驅動器技術手冊

LMH13000是一款電壓控制型電流源,能夠實現精確的電流控制。該器件支持快速的上升和下降時間(小于1納秒),適用于脈沖電流輸出應用。通過VSET引腳進行精確的電流控制,可以調整負載電流...

2025-03-15 標簽:電流控制電流驅動電壓控制電流控制電流源電流驅動 122

INA950-SEP 2.7V至80V 1.1MHz超精密電流檢測放大器技術手冊

INA950-SEP 2.7V至80V 1.1MHz超精密電流檢測放大器技術手冊

INA950-SEP是一款超精密電流檢測放大器,能夠在2.7V至80V的寬共模范圍內測量分流電阻上的電壓降。其超精密電流測量精度得益于超低失調電壓(最大值為±12μV)、小增益誤差(最大值為±0.1%)以...

2025-03-15 標簽:電流檢測放大器檢測放大器電流檢測放大器 117

TLV3511 具有軌到軌輸入的7ns高速比較器技術手冊

TLV3511 具有軌到軌輸入的7ns高速比較器技術手冊

TLV351x 是具有推挽輸出的 5V 單通道和雙通道比較器系列。該系列具有出色的速度功率組合,傳播延遲為 7ns,整個電源電壓范圍為 2.7V 至5.5V,每個通道的靜態電源電流僅為 1mA。...

2025-03-15 標簽:比較器單通道推挽輸出單通道雙通道推挽輸出比較器 106

LDO的工作原理、特性、應用場景詳解

在現代電子設備的復雜電路系統中,穩定、高效的電源供應至關重要。LDO,即低壓差線性穩壓器(Low Dropout Regulator),作為電源管理領域的關鍵元件,發揮著不可或缺的作用。本文將深入探討...

2025-03-14 標簽:ldo 219

GaN、超級SI、SiC這三種MOS器件的用途區別

如果想要說明白GaN、超級SI、SiC這三種MOS器件的用途區別,首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性,然后再根據材料特性分析具體應用。...

2025-03-14 標簽:SiCGaNGaNMOS器件SiC 152

TO-252封裝N溝道MOSFET,智能機器人領域的首選器件

TO-252封裝N溝道MOSFET,智能機器人領域的首選器件

從工廠流水線到家庭服務,人形機器人正掀起新一輪革命。但無論是奔跑跳躍的關節電機,還是精準避障的傳感器,背后都離不開最基礎的“隱形功臣”——二極管、三極管、MOS管。這些看似簡...

2025-03-14 標簽:MOSFET智能機器人MOSFETN溝道智能機器人 174

高性能N溝道MOSFET是開關、放大和驅動領域的最優選擇

高性能N溝道MOSFET是開關、放大和驅動領域的最優選擇

N溝道MOSFET通過控制柵源電壓來控制源漏間電子通路的導通與截止。當柵源電壓高于閾值電壓時,柵極下方會形成N型導電溝道,源極電子在電場作用下流向漏極,實現電流導通,且改變柵源電壓...

2025-03-14 標簽:MOSFETN溝道 134

一文詳解寄生參數對柵極震蕩的影響

一文詳解寄生參數對柵極震蕩的影響

在現代電子電路設計和應用中,寄生參數是指那些并非設計者最初所期望的,但在電路或元器件中由于物理結構、材料特性或布局布線等因素而自然產生的非預期電氣參數。這些參數雖然不是設...

2025-03-14 標簽:電阻電感柵極寄生電容寄生參數 134

碳化硅技術賦能EA10000系列電源的優勢

碳化硅技術賦能EA10000系列電源的優勢

為減緩氣候變化的步伐,人類在非化石燃料、可再生能源解決方案方面取得了進展,并且交通領域的電氣化進程也在加速。這些新興技術幾乎都要求使用大功率,對電源的要求更加苛刻。例如,...

2025-03-13 標簽:示波器晶體管SiC碳化硅 414

IGBT IPM的模擬溫度輸出功能

IGBT IPM的模擬溫度輸出功能

VOT輸出是將LVIC單元的溫度轉換為模擬電壓并輸出的功能,主要用于監控溫度,以便在發生超出預期的溫升時提供保護。...

2025-03-13 標簽:微控制器熱敏電阻IGBTIPM 261

IGBT模塊的反向恢復現象

IGBT模塊的反向恢復現象

IGBT模塊的反向恢復現象是指在IGBT關斷時,其內部集成的續流二極管(FWD)從正向導通狀態轉變為反向截止狀態過程中出現的一些特定物理現象和電氣特性變化。...

2025-03-13 標簽:二極管IGBTIGBT二極管續流二極管 261

SiC MOSFET的靜態特性

SiC MOSFET的靜態特性

商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V,而SiC擁有更高的擊穿場強,在結構上可以減少芯片的厚度,從而較大幅度地降低MOSFET的通態電阻,使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態...

2025-03-12 標簽:芯片MOSFETIGBTSiC靜態特性 321

PMOS與NMOS的工作原理

PMOS與NMOS的工作原理

此處以增強型PMOS,NMOS為例,通常說的MOS管說的都是增強型MOS管。...

2025-03-12 標簽:MOS管NMOS晶體管PMOS 343

PMOS LDO和NMOS LDO的特性對比

PMOS LDO和NMOS LDO的特性對比

LDO,英文全稱是Low Dropout Regulator, 即低壓差線性穩壓器。輸入和輸出均為直流,壓降較低,可用于穩壓。其包含三個基本功能元件:一個參考電壓、一個通路元件和一個誤差信號放大器,如下圖...

2025-03-12 標簽:放大器ldoNMOSPMOSldoNMOSPMOS放大器線性穩壓器 354

旗艦型 / 緊湊型 / 掌上型三箭齊發,EGBox 打造行業全場景實時仿真解決方案

旗艦型 / 緊湊型 / 掌上型三箭齊發,EGBox 打造行業全場景實時仿真解決方案

歷經多年技術研發與行業需求深耕,EasyGo半實物仿真事業部正式推出EGBox系列產品,覆蓋工業研發測試、創新實驗設計及高校教學實踐全場景。該系列產品基于高性能FPGA/CPU+FPGA硬件架構打造,以...

2025-03-12 標簽:電力電子技術實時仿真實時仿真系統HIL仿真HIL仿真HIL測試實時仿真實時仿真系統電力電子技術 217

SiC MOSFET的短路特性和短路保護方法

SiC MOSFET的短路特性和短路保護方法

在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應用領域中,由第三代半導體材料碳化硅(SiC)制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統硅基(Si)制成的Si IGBT。...

2025-03-12 標簽:MOSFET半導體SiC碳化硅 349

納芯微發布新一代CSP封裝MOSFET NPM12017A系列

納芯微正式發布全新一代CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12017A系列,該系列產品是對納芯微已量產的CSP MOS的完美升級與補充。新一代CSP MOS進一步優化了性能表現,顯著提升了電氣與極限能力...

2025-03-12 標簽:MOSFET封裝納芯微 334

圣邦微電子SGM58201  24位高精度Σ-Δ ADC 最高22Bits ENOB有效分辨率

圣邦微電子SGM58201 24位高精度Σ-Δ ADC 最高22Bits ENOB有效分辨率

如果您正在尋找一款具備高精度、低溫漂和高集成度的 ADC,SGM58201 是一個理想的選擇。它不僅能提升測量系統的精度和穩定性,也為高端測量應用提供了可靠方案,助力為工業、醫療、能源等...

2025-03-11 標簽:adc數據采集圣邦微電子 604

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