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標簽 > MOSFET
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
除了傳統上應用于諸如微處理器、微控制器等數位信號處理的場合上,也有越來越多模擬信號處理的集成電路可以用MOSFET來實現。
UCC14131-Q1 汽車類 1.5W、12V 至 15V VIN、12V 至 15V VOUT 高密度 >5kVRMS 隔離式直流/直流模塊數據手冊
UCC14131-Q1 是一款符合汽車標準的高隔離電壓 DC/DC 功率模塊,旨在為 GaN、IGBT、SiC 或 Si 柵極驅動器供電。UCC1413...
UCC14130-Q1 汽車類 1.5W、12Vin 至 15Vin、12Vout 至 15Vout 高密度 > 3kVRMS 隔離式直流/直流模塊數據手冊
UCC14130-Q1 是一款符合汽車標準的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊,旨在為 GaN、IGBT、SiC 或 Si 柵極驅動器供電。UCC1413...
TLVM365R1 3V 至 65V 輸入、1V 至 6V 輸出、0.1A 同步降壓轉換器電源模塊數據手冊
TLVM365R15 和 TLVM365R1 是 150mA 或 100mA、65V 輸入同步降壓直流/直流電源模塊,將功率 MOSFET、集成電感器和...
TPSM86638 4.5V 至 28V 輸入電壓,6A FCCM 模式,帶 QFN 封裝的同步降壓模塊數據手冊
TPSM8663x 是一款高效、高電壓輸入、易于使用的同步降壓電源模塊。該器件集成了功率 MOSFET、屏蔽式電感器和基本型無源器件,從而最大限度地減小...
TPSM86837 4.5V 至 28V 輸入電壓,8A ECO 模式,帶 QFN 封裝的同步降壓模塊數據手冊
TPSM8683x 是一款高效率、高電壓輸入、易于使用的同步降壓電源模塊。該器件集成了功率 MOSFET、屏蔽式電感器和基本型無源器件,從而最大限度地減...
TLVM14404 36V 輸入,雙 2A 輸出功率模塊數據手冊
TLVM1440x 是一款高度集成的 36V 輸入型 DC/DC 設計,將功率 MOSFET、屏蔽式電感器和無源器件組合在增強型 HotRod? QFN...
TPSM64404 0.8V 至 16V 輸出,雙通道 2A 高密度電源模塊數據手冊
TPSM6440xx 是一款高度集成的 36V 輸入直流/直流設計,將功率 MOSFET、屏蔽式電感器和無源器件組合在一個增強型 HotRod? QFN...
CSD23285F5 -12V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.8mm x 1.5mm、35mOhm、柵極 ESD 保護技術手冊
這種 29mΩ、–12V、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術經過設計和優化,可在許多手持式和移動應用中最大限度地減小占用空間。該技術能夠取...
LT9435SQ N溝道增強型功率MOSFET規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標簽:MOSFETN溝道 65 0
LT9435ASQ P溝道增強型功率MOSFET規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標簽:MOSFETp溝道 53 0
LT9004ESS 20V共漏雙通道N溝道MOSFET規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標簽:MOSFETN溝道 51 0
LT8844SL N溝道增強型功率MOSFET規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標簽:MOSFETN溝道 55 0
LT8820ESS帶ESD保護的共漏N溝道增強型功率MOSFET規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標簽:MOSFETN溝道 57 0
新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊
新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為SiCMOSFE...
隨著現代電子技術的不斷發展,尤其是在電力電子領域,寬禁帶半導體材料的應用逐漸受到重視。碳化硅(SiC)作為一種重要的寬禁帶半導體材料,因其優異的物理性能...
SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊,助力緊湊型高性能電源系統
在高電壓和高效率應用領域,SemiQ作為一家領先的設計和開發企業,近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創新模塊旨...
新品 | 6.5A,5.7kVRMS單通道帶隔離電源的柵極驅動器評估板——SiC MOSFET半橋電路
新品6.5A,5.7kVRMS單通道帶隔離電源的柵極驅動器評估板——SiCMOSFET半橋電路該評估板用于評估半橋電路中的1ED314xMC12H隔離柵...
低劣品質碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機直接推向“早衰”
低質量碳化硅MOSFET對SiC碳化硅MOSFET逆變焊機新興品類的惡劣影響 低質量碳化硅MOSFET的濫用,可能將這一本應引領焊機產業升級的SiC碳化...
除了安森美CREE等還有哪些在美國境內流片的SiC碳化硅器件品牌
根據搜索結果,除了安森美(onsemi)、CREE(Wolfspeed)和Microchip之外,以下品牌在美國境內涉及碳化硅(SiC)器件流片或代工合...
2025-04-14 標簽:MOSFET 57 0
BMF240R12E2G3成為新一代工商業儲能變流器(PCS)首選的SiC MOSFET功率模塊
BMF240R12E2G3憑借 低損耗、高耐壓、強散熱、高集成度及完整生態支持 ,成為工商業儲能PCS的理想選擇。其通過優化動態特性與熱管理,顯著提升系...
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