完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>
電子發(fā)燒友網(wǎng)技術(shù)文庫為您提供最新技術(shù)文章，最實用的電子技術(shù)文章，是您了解電子技術(shù)動態(tài)的最佳平臺。
PA應(yīng)用極為廣泛，在無線通信系統(tǒng)中，如手機、衛(wèi)星通信、Wi-Fi、蜂窩網(wǎng)絡(luò)等都需要射頻功率放大器來提供足夠的信號強度和覆蓋范圍。...
TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬態(tài)電壓抑制器，又稱雪崩擊穿二極管。它是采用半導(dǎo)體工藝制成的單個 PN 結(jié)或多個 PN 結(jié)集成的器件。...
我們知道可以通過調(diào)節(jié)負載電容CL來微調(diào)振蕩器的頻率，這就是為什么晶振制造 商在其產(chǎn)品說明書中會指定外部負載電容CL值的原因。通過指定外部負載電容CL值，可以使晶 振晶體振蕩時達到其標(biāo)稱頻率。...
電感是一種電路元件，它可以在自身磁場中儲存能量。電感通過儲存將電能轉(zhuǎn)換為磁能，然后向電路提供能量以調(diào)節(jié)電流。當(dāng)電流增加，磁場就會增強。...
討論了不同的ADC和DAC架構(gòu)，包括Flash型、逐次逼近寄存器（SAR）型、Pipelining型和時間交錯型等。...
當(dāng)VGS小于一定的電壓值，DS極就會導(dǎo)通，適合用于S極接正電源的情況（高端驅(qū)動）。雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動，但由于其導(dǎo)通電阻大、價格貴、替換種類少等原因，在大部分應(yīng)用中通常還是使用NMOS。...
電磁干擾嚴(yán)重。隨著頻率提高，電路中的di/dt和du/dt增大，從而使電磁干擾增大，影響變換器和周圍電子設(shè)備的工作。...
在此電路中，TVS管PTVS30VP1UP可以快速鉗位一些瞬態(tài)的電壓到30V，同時它的漏電流也非常非常小（25℃的時候典型漏電流為1nA），這個管子也很推薦大家使用，漏電流很小。...
電壓緩沖放大器的作用是將電壓從具有高輸出阻抗的電路傳輸?shù)骄哂械洼斎胱杩沟牧硪粋€電路。通過在這兩個電路之間插入緩沖器，可以防止第二個電路過度加載第一個電路，這可能會干擾其預(yù)期操作。...
采樣和保持電路是一種電子電路，它創(chuàng)建作為輸入的電壓樣本，然后將這些樣本保持一定的時間。采樣保持電路對輸入信號產(chǎn)生采樣的時間稱為采樣時間。...
碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更優(yōu)越的物理和化學(xué)特性，包括更高的臨界擊穿場強、更大的熱導(dǎo)率、更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度。...
在MOSFET的柵極前增加一個電阻？ MOS管是電壓型控制器件，一般情況下MOS管的導(dǎo)通，只需要控制柵極的電壓超過其開啟閾值電壓即可，并不需要柵極電流。...
碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，相比于傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的熱導(dǎo)率、更大的電場擊穿強度和更高的載流子遷移率等特點。...
在柵極電荷方法中，將固定測試電流（Ig）引入MOS晶體管的柵極，并且測量的柵極源電壓（Vgs）與流入柵極的電荷相對應(yīng)。對漏極端子施加一個固定的電壓偏置。...
眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電源產(chǎn)品。...
碳化硅作為第三代半導(dǎo)體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、抗輻射等優(yōu)異性能采用碳化硅功率器件可使電動汽車或混合動力汽車功率轉(zhuǎn)化能耗損失降低20%，在OBC產(chǎn)品上使用碳化硅功率器件對于提升OBC產(chǎn)品效率、功率密度和質(zhì)量密度上發(fā)揮著重要作用。...
SDA和SCL都是雙向線路，都通過一個電流源或上拉電阻連接到正的電源電壓。當(dāng)總線空閑時，這兩條線路都是高電平，連接到總線的器件輸出級必須是漏極開路或集電極開路才能執(zhí)行線與的功能。...
為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT，必須在每個方向上硬驅(qū)動?xùn)艠O電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動為高電平時，會存在一個從雙極型晶體管的基極到其發(fā)射極的低阻抗路徑。...
碳化硅具有比硅更高的熱導(dǎo)率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。...
那這兩張圖是完全等價的，我們可以看到MOS管是有三個端口，也就是有三個引腳，分別是GATE、DRAIN和SOURCE。至于為啥這么叫并不重要，只要記住他們分別簡稱G、D、S就可以。...
關(guān)注我們的微信
下載發(fā)燒友APP
電子發(fā)燒友觀察
版權(quán)所有 ? 湖南華秋數(shù)字科技有限公司
長沙市望城經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)航空路6號手機智能終端產(chǎn)業(yè)園2號廠房3層（0731-88081133）
電子發(fā)燒友 （電路圖） 湘公網(wǎng)安備43011202000918
工商網(wǎng)監(jiān)
湘ICP備2023018690號-1
