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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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25 kW SiC直流快充設計指南：DC-DC級的設計考慮因素和仿真
作者：安森美(onsemi)Karol Rendek, Stefan Kosterec ? 在“開發基于碳化硅的25 kW快速直流充電樁” [1-3] ...
本文探討了 SiC 共源共柵在困難條件下（包括雪崩模式和發散振蕩）的性能，并研究了它們在利用零電壓開關的電路中的性能。
智能混合信號無橋圖騰柱PFC控制器解決AC-DC電源能效挑戰
評估板在265 VAC、395 VDC下提供300瓦。快速支路開關采用GaN HEMT，交流電同步整流器采用Si-MOSFET，在整個電源電壓范圍內...
盡管電動汽車歷史不遜于內燃機車，但它實實在在地被全世界主要國家推廣，發生在最近十年。相比于已在市場中接受了數十上百年考驗的內燃機車，電動汽車存在許多的不...
我們都知道功率半導體器件屬于電力電子開關，開關速度非常快，1秒可以開關上千次(kHz)，高速功率器件可達到幾十kHz，甚至上百kHz。開關速度越快意味著...
在半導體和LED的制造中，需要研磨以使晶片的厚度變薄，以及拋光以使表面成為鏡面。在半導體器件的制造中，半導體制造工藝包括:（1）從晶體生長開始切割和拋光...
硅片在大口徑化的同時，要求規格的嚴格化迅速發展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴格，因此超精密磨削技術得以開發，實現了無蝕刻化，無拋光化。雖然在單晶SiC...
控制外延層的摻雜類型和濃度對 SiC 功率器件的性能至關重要，它直接決定了后續器件的比導通電阻，阻斷電壓等重要的電學參數。
一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區域；并以第一速率用...
IGBT 和 SiC 電源開關有哪些市場和應用? 高效的電源轉換在很大程度上取決于系統中使用的功 率半導體器件。由于功率器件技術不斷改進，大功率應 用的...
電子發燒友網報道(文/程文智)這幾年電動汽車發展異常火熱，銷量是節節攀升，其續航能力也在不斷取得突破。但里程焦慮還沒有徹底解決，為了應對該問題，汽車廠商...
以特斯拉Model 3為代表的眾多電動汽車量產車型成功應用SiC MOSFET芯片，表明SiC MOSFET在性能、可靠性和綜合成本層面已得到產業界的認...
引言 人們對用于器件應用的碳化硅(SiC)重新產生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數和熱膨脹系數，可以作為第三族氮化物外延生長的襯底。在許多應用領域，例...
首款國產1700V SiC MOSFET獲“低碳能效獎“，可提升電源效率4%！
工業三相供電（400 VAC to 690VAC）的功率變換系統，其母線電壓通常高于600V，母線電壓范圍在300Vdc-1000Vdc。
工業4.0時代及電動汽車快速的普及，工業電源、高壓充電器對功率器件開關損耗、功率密度等性能也隨之提高，傳統的Si-MosFet性能已被開發的接近頂峰，S...
SiC MOSFET并聯的動態均流與IGBT類似，只是SiC MOSFET開關速度更快，對一些并聯參數會更為敏感。
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統...
確保SiC驗證測試準確度，有效測量碳化硅功率電子系統中的信號
在功率電子系統中，差分探頭和參考地電平探頭是兩種常用的電壓測量方法。差分探頭是一種流行的選擇，因為它可以毫無問題地添加到電路的任意節點中。
使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同類產品。雖然有各種重要的機會使用這項技術，但工業電機驅動正獲得最大的興趣和關注。
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