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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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一文熟悉電流檢測(cè)電路的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
為了滿足對(duì)直流電流進(jìn)行檢測(cè)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)電流信號(hào)縮小的需要,設(shè)計(jì)了一款電流檢測(cè)電路,采用CSMC...
輸入偏置電流導(dǎo)通電阻分壓電路等運(yùn)放電路設(shè)計(jì)技巧
設(shè)計(jì)了一個(gè)分壓電路,理論上輸入1V,輸出2V,可是一測(cè),總是多了近6,7百個(gè)mV。這要是進(jìn)12位3V量程ADC,可是要吃掉600多個(gè)碼。點(...
mos管工作原理:它是利用VGS來(lái)控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(s...
MOS管介紹在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大
2017-10-24 標(biāo)簽:MOS管 1.8萬(wàn) 0
對(duì)MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn)
到底什么是雪崩失效呢,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間,導(dǎo)致的一種...
buck電路也屬于開(kāi)關(guān)電源。通過(guò)在MOS管Q上加上開(kāi)關(guān)信號(hào)PWM,控制開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷,...
寄生電感和MOSFET的交互關(guān)系是什么?雙向開(kāi)關(guān)電感電路圖分析設(shè)計(jì)
最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET切換時(shí)間,比傳統(tǒng)的TO247封裝短。得益于開(kāi)關(guān)損耗降低,最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET實(shí)...
三極管和MOS管怎么對(duì)接下拉電阻,電阻自動(dòng)降壓電阻該如何設(shè)計(jì)?
線路分析:電機(jī)啟動(dòng)時(shí),按下啟動(dòng)按鈕SB1,接觸器KM1線圈得電,KM1吸合,KM1的常開(kāi)接點(diǎn)閉合,使KM2線圈得電,KM2的常開(kāi...
電阻在MOS管電路中的注意事項(xiàng)及參考選擇方法,泄放電阻和柵極電阻有什么區(qū)別?
MOS管的驅(qū)動(dòng)對(duì)其工作效果起著決定性的作用。設(shè)計(jì)師既要考慮減少開(kāi)關(guān)損耗,又要求驅(qū)動(dòng)波形較好即振蕩小、過(guò...
電位電阻傳感器的工作原理,在開(kāi)關(guān)電路中,電阻有何作用?該如何為電阻選型
由于測(cè)量領(lǐng)域的不同,電位器結(jié)構(gòu)及材料選擇有所不同。但是其基本結(jié)構(gòu)是相近的。電位器通常都是由骨架、電阻元件及活動(dòng)電刷組成。常用的...
電容效應(yīng)于二極管的作用是什么?電容緩沖電路該如何設(shè)計(jì)?
首先,測(cè)量MOSFET開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)(SW)在關(guān)斷時(shí)的振鈴頻率(Fring)。在MOSFET上焊接一個(gè)100 pF低ESR薄...
什么是IGBT固態(tài)脈沖,它的工作原理是什么?IGBTa安裝與應(yīng)用技術(shù)
對(duì)于不含阻尼二極管的IGBT管,由于三個(gè)電極間的正反向電阻均為無(wú)窮大,故不能用此法判斷。一般地,可從外形上識(shí)別IGBT各電極的名稱,標(biāo)注型號(hào)的...
常用的功率元器件大全,防爆變頻機(jī)的設(shè)計(jì),你想知道的全在這里!
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,變頻調(diào)速技術(shù)日益成熟,通用變頻器得到了迅速發(fā)展,各種品牌的變頻器在自控領(lǐng)域的各行各業(yè)都得到了廣泛的應(y...
這幾個(gè)在LED驅(qū)動(dòng)電路中會(huì)常犯的錯(cuò)誤一定要避免!雙層電容LED電路解析
耐壓600V的MOSFET比較便宜,很多認(rèn)為L(zhǎng)ED燈具的輸入電壓一般是220V,所以耐壓600V足夠了,但是很多時(shí)候電路電壓會(huì)到340V,在有的時(shí)...
LED溫度保護(hù)電路和最基本的照明LED設(shè)計(jì)方案解析
隨著LED照明應(yīng)用的發(fā)展,國(guó)內(nèi)外廠家推出了很多用于驅(qū)動(dòng)LED的器件。其中美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司推出的LM3404及...
基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),使用電阻控制IGBT開(kāi)關(guān)的方法剖析
R2C2稱為反肩峰電路。當(dāng)仿真線向不匹配的負(fù)載放電會(huì)在脈沖的前沿引起顯著的肩峰。R2C2電路就是為了減小這種肩峰的,其電阻通常選擇和負(fù)載阻抗相等,而電容...
IGBT與MOS管的區(qū)別,IGBT與可控硅的區(qū)別,IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
多的這個(gè)P層因內(nèi)有載流子,有電導(dǎo)調(diào)制作用,可以使IGBT在跟高電壓和電流下,有很低的壓降,因此IGBT可以做到很高電壓(目前最大6500V),但由于載流...
2017-05-14 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶閘管mos管 5.5萬(wàn) 0
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