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標簽 > MOSFET
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
除了傳統上應用于諸如微處理器、微控制器等數位信號處理的場合上,也有越來越多模擬信號處理的集成電路可以用MOSFET來實現。
AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET,專為高功率應用能效優化而生
日前,集設計研發、生產和全球銷售為一體的著名功率半導體及芯片解決方案供應商 Alpha and Omega Semiconductor Limited(...
UCC23511 5.7kVrms 1.5A/2A單通道光兼容隔離柵極驅動器數據手冊
UCC23511 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅動器,具有 1.5A 拉電流和 2A 灌電流...
UCC5390-Q1 汽車級 17-A 5kv RMS 單通道隔離式柵極驅動器數據手冊
UCC5390-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅動器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流峰值電流,設計用于驅動 MOSFET、IGBT 和 SiC M...
UCC21710-Q1 汽車級 5.7kVrms 10A 單通道隔離式柵極驅動器數據手冊
UCC21710-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅動器,專為高達 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計,具有先進的保護功能、一流...
LMG1025-Q1 具有 5V UVLO 的汽車類 7A/5A 單通道低側柵極驅動器數據手冊
LMG1025-Q1 是一款單通道低側增強型 GaN FET 和邏輯電平 MOSFET 驅動器,適用于高開關頻率汽車應用。窄脈沖寬度能力、快速開關規格和...
UCC21750-Q1 汽車5.7kVrms,±10A單通道隔離柵極驅動器數據手冊
UCC21750-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅動器,專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計,具有先進的保...
UCC21739-Q1 汽車級 3kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅動器數據手冊
UCC21739-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅動器,專為高達 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計,具有先進的保護...
UCC5350-Q1 汽車類 ±5A 單通道隔離式柵極驅動器數據手冊
UCC5350-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅動器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流,設計用于驅動 MOSFET、IGBT 和 SiC...
UCC27282-Q1 具有 5V UVLO、互鎖和使能功能的汽車類 3A、120V 半橋驅動器數據手冊
UCC27282 -Q1 是一款堅固耐用的 N 溝道 MOSFET 驅動器,最大開關節點 (HS) 額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配...
UCC27288 具有 8V UVLO 且無內部自舉二極管的 2.5A 至 3.5A 120V 半橋驅動器數據手冊
UCC27288 是一款堅固耐用的 N 溝道 MOSFET 驅動器,最大開關節點 (HS) 額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配置的拓撲...
ZSKY-ZS7N65A N溝道增強型功率MOSFET規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-14 標簽:MOSFETN溝道 14 0
ZSKYN- 120N06D- TO252-2L N溝道增強型MOSFET規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-14 標簽:MOSFETN溝道 37 0
ZSKY-3401-3A-SOT-23 80K塑料封裝MOSFETS規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-13 標簽:MOSFETSOT-23 20 0
老舊MPPT設計中+15V驅動下的部分國產SiC碳化硅MOSFET柵氧爆雷隱患
以下是對部分國產SiC碳化硅MOSFET因一味滿足老舊光伏逆變器MPPT設計中+15V驅動電壓需求而引發柵氧可靠性隱患的深度分析。
AMEYA360:ROHM推出實現業界超低導通電阻的小型MOSFET,助力快速充電應用
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產品“AW2K21”,其封裝尺寸僅為2.0mm×...
浮思特 | 從IGBT到超結MOSFET:超結MOSFET成冰箱變頻技術新寵
目前全球每年銷售約2.2億臺冰箱和冰柜,2024年市場規模約為750億美元。預計該市場將以6.27%的年復合增長率持續增長,到2032年將達到約1200...
內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊?被SMA的太陽能系統采用
全球先進的太陽能發電及儲能系統技術的專業企業SMA Solar Technology AG(以下簡稱“SMA”)在其太陽能系統新產品“Sunny Cen...
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納微半導體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET
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此前,4月23日至5月2日,華大半導體應邀參加第二十一屆上海國際汽車工業展覽會(以下簡稱“上海車展”),本屆上海車展長達10天,覆蓋汽車整車、零部件、芯...
Nexperia推出行業領先的D2PAK-7封裝車規級1200 V碳化硅MOSFET
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圣邦微電子推出30V單N溝道功率MOSFET SGMNQ36430
圣邦微電子推出 SGMNQ36430,一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件可應用于 CPU 電源傳輸、D...
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