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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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電路設(shè)計時,不同的子系統(tǒng)之間無可避免的需要數(shù)字信號傳遞,不同的系統(tǒng)之間或者設(shè)備之間,數(shù)字接口電平經(jīng)常不一致,故需要用到電平轉...
一文詳解開漏輸出和開集輸出的原理、特點(diǎn)和應(yīng)用
開漏(open-drain)或開集電極(open-collector)輸出引腳由單個晶體管驅(qū)動,將引腳拉到只有一個電壓(通常是接地)。當(dāng)輸出設(shè)備關(guān)閉時,...
熟悉電子電路設(shè)計的朋友一定都知道,在電源整體設(shè)計中存在一些發(fā)熱非常嚴(yán)重的器件,如整流橋、MOS管、快恢復(fù)二極管這些器件。
功率MOS管的驅(qū)動電路中會分布各種電感,例如圖中的L,它們與MOSFET的Cgd, Cge會形成諧振電路:對開關(guān)驅(qū)動信號中的高頻諧波分量產(chǎn)生諧振,進(jìn)而...
2024-04-16 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻電阻MOSFET 864 0
用FAN73711浮驅(qū)芯片,在起機(jī)時沒有發(fā)現(xiàn)異常的高電平現(xiàn)象,基本能夠正常工作,但是在更加惡劣的工作狀態(tài)下會發(fā)生炸機(jī),比如在源...
當(dāng)VGS小于一定的電壓值,DS極就會導(dǎo)通,適合用于S極接正電源的情況(高端驅(qū)動)。雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動,但由于其導(dǎo)通電阻大、價格貴、替換...
光電三極管是一種半導(dǎo)體器件,能夠感應(yīng)光水平并根據(jù)其接收的光水平來改變在發(fā)射極和集電極之間流動的電流。顧名思義,光電三極管是一種晶體管,可以感應(yīng)光并改變...
2024-04-10 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管晶體管 2576 0
IGBT/三極管/MOS管這三種元器件之間有什么區(qū)別?
三極管的結(jié)構(gòu)是給一塊純硅進(jìn)行三層摻雜,其中較窄區(qū)域高濃度N型摻雜,含有大量自由電子,中間極窄區(qū)域普通濃度P型摻雜,含有少數(shù)空穴,上邊較寬區(qū...
2024-04-09 標(biāo)簽:三極管MOS管發(fā)射機(jī) 1.8萬 0
電機(jī),按照電流的屬性,可分為交流電機(jī)與直流電機(jī)兩大類。以直流電機(jī)為例,闡述說明如何在電路方案中控制電機(jī)。
2024-04-06 標(biāo)簽:MOS管電機(jī)驅(qū)動直流無刷電機(jī) 3166 0
如何給電路選擇最合適的MOS產(chǎn)品?選擇MOS管時需考慮的關(guān)鍵要素
MOS作為一種非常常見的分立器件,它具有開關(guān)、放大、調(diào)壓等作用。MOSFET是電壓控制的管子,通常,MOS管損耗比三極管小,導(dǎo)通后壓降理論上為0。
推挽輸出(Push-Pull Output),故名思意能輸出兩種電平,一種是推(拉電流,輸出高電平),一種是挽(灌電流,輸出低電平)。推挽輸出可以使用一...
2024-04-06 標(biāo)簽:模擬電路上拉電阻場效應(yīng)管 4169 0
非隔離驅(qū)動芯片IR21814S的電路設(shè)計詳解
DCPWMB輸入高電平,推挽輸出DCDRVB高電平驅(qū)動Q121導(dǎo)通,DCPWMA為低電平,推挽輸出DCDRVA低電平截止上管Q120。自舉電容C308通...
光伏儲能電池管理系統(tǒng)BMS充放電回路設(shè)計圖
完整的電化學(xué)儲能系統(tǒng)主要由電池組、電池管理系統(tǒng)(BMS)、能量管理系統(tǒng)(EMS)、儲能變流器(PCS)以及其他電氣設(shè)備構(gòu)成。BMS(B...
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