完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
文章:4068個(gè) 瀏覽:254500次 帖子:483個(gè)
大學(xué)總搞不懂IGBT是什么的小伙伴們?這篇文章告訴你答案
電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命,由它產(chǎn)生的動(dòng)能每天都在源源不斷的釋放,人對電的需求不亞于人類世界的氧氣,如果沒有電,人類的文明還會(huì)...
對SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹
眾所周知,SiC材料的特性和優(yōu)勢已被大規(guī)模地證實(shí),它被認(rèn)為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, ...
IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了.不過相對于MOSFET的工作頻....
電力電子系統(tǒng)中驅(qū)動(dòng)器對IGBT保護(hù)的分析
如果短路發(fā)生在負(fù)載通道或者橋接旁路,IGBT的集電極電流完全增大,造成晶體管飽和。如今市場上的IGBT模塊只能防短路很短的時(shí)間。為了防止IGBT被熱負(fù)荷...
2018-06-29 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器igbt功率 947 0
對大功率IGBT開關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)要求的分析和討論
絕緣門極雙極型晶體管是復(fù)合了功率場效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件,具有輸入阻抗高、工作速度快、...
2018-06-29 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)igbt功率 4633 0
IGBT及其派生器件,例如:IGCT,是MOS和雙極集成的混合型半導(dǎo)體功率器件。因此,IGBT的失效模式,既有其子器件MOS和雙極的特有失效模式,還有...
2018-06-20 標(biāo)簽:IGBT 1.9萬 0
IGBT整流器功率因數(shù)有什么控制方法?CT異常對整流器有什么影響?
改變整流器輸出電壓vc的基波幅值和相位,就可以使is和vs同相位、反相位、is比vs超前90°、以及is比vs超前/滯后某一所需要的角度。因此,整流器在...
辯證分析MOSFET與IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用區(qū)別
這種延遲引起了類飽和 (Quasi-saturation) 效應(yīng),使集電極/發(fā)射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值。這種效應(yīng)也導(dǎo)致了在ZVS情況下...
綜合不同型號(hào)和不同的使用環(huán)境中的數(shù)臺(tái)變頻器維修情況,總結(jié)出變頻器igbt模塊損壞的主要原因是使用環(huán)境的惡劣,使得門極驅(qū)動(d...
GBT是一種電壓控制的電力三極管,你可以看作是一個(gè)高功率版本的CMOS管。特點(diǎn)是開關(guān)頻率高,家庭方面的主要應(yīng)用比如變頻空調(diào)...
MOSFET及IGBT在電力電子應(yīng)用設(shè)計(jì)
多數(shù)情況下,功率變換器的傳導(dǎo)干擾以共模干擾為主。本文介紹了一種基于補(bǔ)償原理的無源共模干擾抑制技術(shù),并成功地應(yīng)用于多種功率變換器拓?fù)渲?。理...
2017-09-28 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源igbt 9400 0
變頻器工作原理圖講解:功能、分類、參數(shù)設(shè)定、過流故障及處理方法
變頻器原理圖講解:變頻器主電路是給異步電動(dòng)機(jī)提供調(diào)壓調(diào)頻電源的電力變換部分,變頻器的主電路大體上可分為兩類 電壓型是將電壓源的直流變換為交流的變頻器...
EMC電路中電感有什么作用?IGBT凌亂電感排列規(guī)則
電感普遍存在與導(dǎo)電的導(dǎo)體。通常疊層母線(BUSBAR)的物理尺寸是由系統(tǒng)決定的,元器件的位置是由BUSBAR的結(jié)構(gòu)決定的。為了盡量減少電感的影...
正弦交流電電路中電阻有何作用?IGBT電路中柵極電阻的選取規(guī)則及工作原理
有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端,如落木源TX-K841L、TX-KA962F,這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網...
2017-06-10 標(biāo)簽:igbt 3095 0
IGBT的結(jié)構(gòu)與各種保護(hù)設(shè)計(jì)方法詳解
GTR和MOSFET復(fù)合,結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn),具有好的特性。80年代中期問世以來,逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場,中小功率電力電子設(shè...
2017-06-05 標(biāo)簽:igbt 3846 0
IGBT就是一個(gè)開關(guān),非通即斷,如何控制他的通還是斷,就是靠的是柵源極的電壓,當(dāng)柵源極加+12V(大于6V,一般取12V到15V)時(shí)...
2017-06-05 標(biāo)簽:igbt 1.6萬 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題 教程专题
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |