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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

大學(xué)總搞不懂IGBT是什么的小伙伴們?這篇文章告訴你答案

電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命,由它產(chǎn)生的動(dòng)能每天都在源源不斷的釋放,人對電的需求不亞于人類世界的氧氣,如果沒有電,人類的文明還會(huì)...

2017-12-25 標(biāo)簽:CMOSMOSFETIGBT 1.3萬 0

對SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹

對SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹

眾所周知,SiC材料的特性和優(yōu)勢已被大規(guī)模地證實(shí),它被認(rèn)為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師...

2017-12-21 標(biāo)簽:igbtsicmosfet 3.8萬 0

igbt模塊怎么測量好壞

IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸...

2017-12-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體igbt晶體管 7.3萬 0

igbt主要材料及參數(shù)介紹

igbt主要材料及參數(shù)介紹

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天...

2017-12-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體igbt晶體管 2.9萬 1

igbt的使用方法

IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, ...

2017-12-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體igbt晶體管 1.6萬 0

選擇IGBT還是MOSFET 讀了就知道了!

選擇IGBT還是MOSFET 讀了就知道了!

IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了.不過相對于MOSFET的工作頻....

2017-12-11 標(biāo)簽:mosfetigbt 2.6萬 0

電力電子系統(tǒng)中驅(qū)動(dòng)器對IGBT保護(hù)的分析

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如果短路發(fā)生在負(fù)載通道或者橋接旁路,IGBT的集電極電流完全增大,造成晶體管飽和。如今市場上的IGBT模塊只能防短路很短的時(shí)間。為了防止IGBT被熱負(fù)荷...

2018-06-29 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器igbt功率 947 0

對大功率IGBT開關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)要求的分析和討論

對大功率IGBT開關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)要求的分析和討論

絕緣門極雙極型晶體管是復(fù)合了功率場效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件,具有輸入阻抗高、工作速度快、...

2018-06-29 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)igbt功率 4633 0

IGBT及其子器件的四種失效模式比較分析

IGBT及其子器件的四種失效模式比較分析

IGBT及其派生器件,例如:IGCT,是MOS和雙極集成的混合型半導(dǎo)體功率器件。因此,IGBT的失效模式,既有其子器件MOS和雙極的特有失效模式,還有...

2018-06-20 標(biāo)簽:IGBT 1.9萬 0

IGBT整流器功率因數(shù)有什么控制方法?CT異常對整流器有什么影響?

IGBT整流器功率因數(shù)有什么控制方法?CT異常對整流器有什么影響?

改變整流器輸出電壓vc的基波幅值和相位,就可以使is和vs同相位、反相位、is比vs超前90°、以及is比vs超前/滯后某一所需要的角度。因此,整流器在...

2018-07-15 標(biāo)簽:整流器功率因數(shù)IGBT 9615 0

辯證分析MOSFET與IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用區(qū)別

辯證分析MOSFET與IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用區(qū)別

這種延遲引起了類飽和 (Quasi-saturation) 效應(yīng),使集電極/發(fā)射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值。這種效應(yīng)也導(dǎo)致了在ZVS情況下...

2017-11-28 標(biāo)簽:mosfetigbt 1.0萬 0

變頻器IGBT模塊損壞的原因、檢測方法和維修過程

變頻器IGBT模塊損壞的原因、檢測方法和維修過程

綜合不同型號(hào)和不同的使用環(huán)境中的數(shù)臺(tái)變頻器維修情況,總結(jié)出變頻器igbt模塊損壞的主要原因是使用環(huán)境的惡劣,使得門極驅(qū)動(d...

2017-11-23 標(biāo)簽:變頻器igbt 4.6萬 0

一文讀懂mosfet與igbt的區(qū)別在哪

一文讀懂mosfet與igbt的區(qū)別在哪

由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)

2017-11-21 標(biāo)簽:mosfet整流二極管igbt 7.8萬 0

一文讀懂IGBT

GBT是一種電壓控制的電力三極管,你可以看作是一個(gè)高功率版本的CMOS管。特點(diǎn)是開關(guān)頻率高,家庭方面的主要應(yīng)用比如變頻空調(diào)...

2017-10-27 標(biāo)簽:太陽能電池upsigbt 4.1萬 0

MOSFET及IGBT在電力電子應(yīng)用設(shè)計(jì)

MOSFET及IGBT在電力電子應(yīng)用設(shè)計(jì)

多數(shù)情況下,功率變換器的傳導(dǎo)干擾以共模干擾為主。本文介紹了一種基于補(bǔ)償原理的無源共模干擾抑制技術(shù),并成功地應(yīng)用于多種功率變換器拓?fù)渲?。理...

2017-09-28 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源igbt 9400 0

變頻器工作原理圖講解:功能、分類、參數(shù)設(shè)定、過流故障及處理方法

變頻器原理圖講解:變頻器主電路是給異步電動(dòng)機(jī)提供調(diào)壓調(diào)頻電源的電力變換部分,變頻器的主電路大體上可分為兩類 電壓型是將電壓源的直流變換為交流的變頻器...

2017-08-14 標(biāo)簽:變頻器工作原理igbt 4.4萬 0

EMC電路中電感有什么作用?IGBT凌亂電感排列規(guī)則

電感普遍存在與導(dǎo)電的導(dǎo)體。通常疊層母線(BUSBAR)的物理尺寸是由系統(tǒng)決定的,元器件的位置是由BUSBAR的結(jié)構(gòu)決定的。為了盡量減少電感的影...

2017-06-14 標(biāo)簽:電容電感igbt 5810 0

正弦交流電電路中電阻有何作用?IGBT電路中柵極電阻的選取規(guī)則及工作原理

正弦交流電電路中電阻有何作用?IGBT電路中柵極電阻的選取規(guī)則及工作原理

有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端,如落木源TX-K841L、TX-KA962F,這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網...

2017-06-10 標(biāo)簽:igbt 3095 0

IGBT的結(jié)構(gòu)與各種保護(hù)設(shè)計(jì)方法詳解

GTR和MOSFET復(fù)合,結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn),具有好的特性。80年代中期問世以來,逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場,中小功率電力電子設(shè...

2017-06-05 標(biāo)簽:igbt 3846 0

IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測方法

IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測方法

 IGBT就是一個(gè)開關(guān),非通即斷,如何控制他的通還是斷,就是靠的是柵源極的電壓,當(dāng)柵源極加+12V(大于6V,一般取12V到15V)時(shí)...

2017-06-05 標(biāo)簽:igbt 1.6萬 0

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    IOT
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  • 聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
    聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
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    ESP8266
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    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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