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競速消費級GaN黃金賽道！三大重量級廠商旗艦產品亮相，誰家最有看點？
傳統硅基材料已接近工藝極限，高效能需求驅動氮化鎵等第三代半導體高速增長。在消費電子領域，AI手機、AI PC等各類AI終端的功率提升，GaN方案較硅基方...
LMG3612 650V GaN功率FET技術解析與應用指南
Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻，以及專為開關模式電源應用設計的集成驅動...
LMG3616 650V GaN功率FET技術解析與應用指南
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅動器和保護，適用于開關模式電源應用。 ...
增強型GaN HEMT具有開關速度快、導通電阻低、功率密度高等特點，正廣泛應用于高頻、高效率的電源轉換和射頻電路中。但由于其柵極電容小，柵極閾值電壓低（...
LMG3522R030 650V 30mΩ GaN FET，集成驅動器、保護和溫度報告數據手冊
LMG352xR030 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 S...
LMG3527R030 650V 30mΩ GaN FET，集成驅動器、保護和零電流檢測數據手冊
LMG352xR030 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立式硅柵極驅動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 ...
TPS7H6101-SEP 耐輻射 200V 10A GaN 功率級，集成驅動器數據手冊
該TPS7H6101是一款耐輻射的 200V e 模式 GaN 功率 FET 半橋，集成柵極驅動器;e模式氮化鎵FET和柵極驅動器的集成簡化了設計，減少...
德州儀器LMG3526R050 650V GaN FET集成驅動技術深度解析
Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驅動器和保護功能，適用于開關模式電源轉換器，可讓設計人員實現...
德州儀器LMG3522R050 650V GaN FET集成驅動技術解析
Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET具有集成式驅動器和保護功能，適用于開關模式電源轉換器，可讓設計人員實現...
Texas Instruments UCC27444/UCC27444-Q1 4A低側柵極驅動器數據手冊
Texas Instrument UCC27444/UCC27444-Q1 4A低側柵極驅動器是一款有效驅動MOSFET和GaN電源開關的高速、雙通道、...
PD快充芯片U8722BAS集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，...
在全球能源轉型與 “雙碳” 目標的共同驅動下，微型逆變器市場正以年均超25%的增速成為清潔能源領域的核心力量。作為對傳統光伏逆變器“去中心化”的全面革新...
Si、SiC與GaN，誰更適合上場？| GaN芯片PCB嵌埋封裝技術解析
以下完整內容發表在「SysPro電力電子技術」知識星球-《功率GaN芯片PCB嵌埋封裝技術全維解析》三部曲系列-文字原創，素材來源：TMC現場記錄、Ho...
競速消費級GaN黃金賽道！三大重量級廠商旗艦產品亮相，誰家最有看點？
傳統硅基材料已接近工藝極限，高效能需求驅動氮化鎵等第三代半導體高速增長。在消費電子領域，AI手機、AI PC等各類AI終端的功率提升，GaN方案較硅基方...
【 2025 年 8 月 4 日 ， 德國慕尼黑 訊】 德國慕尼黑地方法院（Landgericht München I）近日就英飛凌科技股份公司（FSE...
2025年8月9日，電極限將在上海長榮桂冠酒店舉辦“電源與電磁兼容技術應用大會”，并開設EMC設計與整改實戰特訓班。
近日，氮化鎵領域的領軍企業英諾賽科與全球領先的汽車電子系統供應商聯合電子宣布，雙方攜手成立氮化鎵（GaN）技術聯合實驗室。這一合作旨在充分發揮氮化鎵器件...
制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要歸因于材料本身以及制造工藝中的多項挑戰。
54%關稅之后，我們才看懂ST和英諾賽科這場GaN合作的真正價值
近日，美國宣布對全球大多數進口商品加征10%基礎關稅，并對包括中國在內的多個國家追加“對等關稅”，將中國商品綜合稅率推升至54%。中國隨后反制，擴大關稅...
電子發燒友網綜合報道 最近垂直GaN功率器件又迎來新進展。7月10日，廣東致能CEO黎子蘭博士，在瑞典舉辦的全球氮化物半導體頂尖會議ICNS(國際氮化物...
| 型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
|---|---|---|---|
| GS61008P-MR | 增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
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