損耗是MOSFET的Qg乘以驅(qū)動器電壓和開關(guān)頻率的值。Qg請參考所使用的MOSFET的技術(shù)規(guī)格書。驅(qū)動器電壓或者實測，或者參考IC的技術(shù)規(guī)格書。
2020-04-05 11:52:00
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在導通數(shù)據(jù)中，原本2，742μJ的開關(guān)損耗變?yōu)?，690μJ，損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2，039μJ降至1，462μJ，損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:44949 
MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復摸索，那么該如何量化評估呢?
2022-10-19 10:39:231504 MOS 管的開關(guān)損耗對ＭOS 管的選型和熱評估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開關(guān)電源，逆變電路等。
2023-07-23 14:17:001217 
的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，開關(guān)損耗測試對于器件評估非常關(guān)鍵，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上。電源工程師們都知道開關(guān)MOS在整個電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的，開關(guān)
2024-01-20 17:08:06916 
MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
公式計算：同樣，關(guān)斷損耗的米勒平臺時間在關(guān)斷損耗中占主導地位。對于兩個不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的大得多時，A管的開關(guān)損耗就有可能
2017-03-06 15:19:01
過程中的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗內(nèi)容將分成二次分別講述開通過程和開通損耗，以及關(guān)斷過程和和關(guān)斷損耗。功率MOSFET及驅(qū)動的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率
2017-02-24 15:05:54
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，列出了開通延時、開通上升時間，關(guān)斷延時和關(guān)斷下降時間，作者經(jīng)常和許多研發(fā)的工程師保持技術(shù)的交流，在交流的過程中，發(fā)現(xiàn)有些工程師用這些參數(shù)來評估功率MOSFET的開關(guān)損耗
2016-12-16 16:53:16
要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面：開關(guān)損耗、導通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會在有損元器件中同時出現(xiàn)，下面將分別討論。 01與功率
2020-08-27 08:07:20
要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面：開關(guān)損耗、導通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會在有損元器件中同時出現(xiàn)，下面將分別討論。 與功率
2023-03-16 16:37:04
功率損耗。圖5 所示MOSFET 的漏源電壓( VDS)和漏源電流(IDS)的關(guān)系圖可以很好地解釋MOSFET 在過渡過程中的開關(guān)損耗，從上半部分波形可以看出VDS和tSW(ON)期間電壓和電流發(fā)生瞬變，MOSFET 的電容進行充電、放電。?? 圖5 所示，( VDS )降到最終導通狀態(tài)(=ID ×
2021-12-29 07:52:21
一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導通到截止時所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開關(guān)管在開通時，開關(guān)
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
動態(tài)恒流區(qū)、一段穩(wěn)定時間的米勒平臺恒流區(qū)，此時MOSFET均工作于放大狀態(tài)，這也可以理解：MOSFET在開關(guān)過程中，跨越恒流區(qū)（放大區(qū)），是MOSFET產(chǎn)生開關(guān)損耗的直接原因。
2016-11-29 14:36:06
功率MOSFET的Coss會產(chǎn)生開關(guān)損耗，在正常的硬開關(guān)過程中，關(guān)斷時VDS的電壓上升，電流ID對Coss充電，儲存能量。在MOSFET開通的過程中，由于VDS具有一定的電壓，那么Coss中儲能
2017-03-28 11:17:44
。數(shù)據(jù)表中ID只考慮導通損耗，在實際的設計過程中，要計算功率MOSFET的最大功耗包括導通損耗、開關(guān)損耗、寄生二極管的損耗等，然后再據(jù)功耗和熱阻來校核結(jié)溫，保證其結(jié)溫小于最大的允許值，最好有一定的裕量
2016-08-15 14:31:59
如圖片所示，為什么MOS管的開關(guān)損耗（開通和關(guān)斷過程中）的損耗是這樣算的，那個72pF應該是MOS的輸入電容，2.5A是開關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
MOS管的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFCMOS管的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復摸索，那么該如何量化評估呢
2018-11-09 11:43:12
-請問各位專家，我是個電源新手，剛開始接觸MOS管。現(xiàn)在又些問題，開關(guān)損耗主要是導通和關(guān)斷這兩個過程，其它損耗可忽略嗎？
2019-06-27 09:10:01
本帖最后由 小小的大太陽 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導通損耗影響最大的就是Rds，而開關(guān)損耗好像不僅僅和開關(guān)的頻率有關(guān)，與MOS管的結(jié)電容，輸入電容，輸出電容都有關(guān)系吧？具體的關(guān)系是什么？有沒有具體計算開關(guān)損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
，SiC-MOSFET在25℃時的變動很小，在25℃環(huán)境下特性相近的產(chǎn)品，差距變大，溫度增高時SiC MOSFET的導通電阻變化較小。與IGBT的區(qū)別：關(guān)斷損耗特性前面多次提到過，SiC功率元器件的開關(guān)特性優(yōu)異，可處理
2018-12-03 14:29:26
時間trr快（可高速開關(guān)）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復時間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
工程師知道哪個參數(shù)起主導作用并更加深入理解MOSFET。1. 開通過程中MOSFET開關(guān)損耗2. 關(guān)斷過程中MOSFET開關(guān)損耗3. Coss產(chǎn)生的開關(guān)損耗4.Coss對開關(guān)過程的影響希望大家看了本文，都能深入理解功率MOSFET的開關(guān)損耗。
2021-01-30 13:20:31
SiC-MOSFET的量產(chǎn)。SiC功率模塊已經(jīng)采用了這種溝槽結(jié)構(gòu)的MOSFET，使開關(guān)損耗在以往SiC功率模塊的基礎上進一步得以降低。右圖是基于技術(shù)規(guī)格書的規(guī)格值，對1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
充電器時的損耗降低情況① 與使用Si快速恢復二極管（Si FRD）的IGBT相比，開關(guān)損耗降低67%② 與損耗比IGBT更低的Super Junction MOSFET（SJ-MOSFET）相比
2022-07-27 10:27:04
4開關(guān)損耗測試結(jié)果圖六、總結(jié)開關(guān)損耗測試對于器件評估非常關(guān)鍵，通過專業(yè)的電源分析插件，可以快速有效的對器件的功率損耗進行評估，相對于手動分析來說，更加簡單方便。對于MOSFET來說，I2R的導通損耗計算公式是最好的選擇。
2021-11-18 07:00:00
壞該開關(guān)器件。 由于硬開關(guān)存在以上缺點，限制了開關(guān)器件工作頻率的提高，在軟開關(guān)技術(shù)出來之前，功率開關(guān)器件的開關(guān)損耗是很大的。為了彌補硬開關(guān)工作的不足，提出了軟開關(guān)技術(shù)。 軟開關(guān)技術(shù)的原理 所謂
2019-08-27 07:00:00
算法，可根據(jù)負載功率因子在不同扇區(qū)內(nèi)靈活放置零電壓矢量，與傳統(tǒng)的連續(xù)調(diào)制SVPWM相比，在增加開關(guān)頻率的同時減小了開關(guān)電流。仿真結(jié)果也表明這種方法有著最小的開關(guān)損耗。
2019-10-18 08:34:17
如何更加深入理解MOSFET開關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開關(guān)損耗與對開關(guān)過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
某一個30A單相的設計實例，進一步闡明這些概念。 計算MOSFET的耗散功率 為了確定一個MOSFET是否適合于某特定應用，你必須計算一下其功率耗散，它主要包含阻性和開關(guān)損耗兩部分
2021-01-11 16:14:25
算法，可根據(jù)負載功率因子在不同扇區(qū)內(nèi)靈活放置零電壓矢量，與傳統(tǒng)的連續(xù)調(diào)制SVPWM相比，在增加開關(guān)頻率的同時減小了開關(guān)電流。仿真結(jié)果也表明這種方法有著最小的開關(guān)損耗。
2019-10-12 07:36:22
開關(guān)管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系
2020-12-23 06:51:06
和計算開關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導通過程和自然零電壓關(guān)斷過程的實際過程，以便電子工程師了解哪個參數(shù)起主導作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關(guān)損耗1，通過過程中的MOSFET開關(guān)損耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關(guān)損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化（例：散熱片的小型化，水冷/強制風冷的自然風冷化
2019-03-12 03:43:18
MOSFET通過降低開關(guān)損耗和具有頂部散熱能力的DaulCool功率封裝技術(shù)可以實現(xiàn)更高的工作頻率,從而能夠獲得更高的功率密度。 理想開關(guān) 在典型的同步降壓開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,MOSFET作為開關(guān)使用時
2012-12-06 14:32:55
的圖像。圖1：開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個開關(guān)周期開始時，驅(qū)動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段
2018-08-30 15:47:38
)越高效率越低，這是因為電壓越高開關(guān)損耗就越高。負載電流在1A以上時，低VIN效率會相對較高，因為開關(guān)損耗降低。圖1：LM2673效率現(xiàn)在，你應當能夠理解DC/DC穩(wěn)壓器設計中不同元件的損耗。根據(jù)你
2018-06-07 10:17:46
在本文中，我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開關(guān)損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開始：VDS和ID曲線隨時間變化的圖像。圖1：開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個開關(guān)
2018-06-05 09:39:43
功率器件損耗主要分為哪幾類？什么叫柵極電荷？開關(guān)損耗和柵極電荷有什么關(guān)系？
2021-06-18 08:54:19
今天開始看電源界神作《開關(guān)電源設計》（第3版），發(fā)現(xiàn)第9頁有個名詞，叫“交流開關(guān)損耗”，不明白是什么意思，有沒有哪位大蝦知道它的意思啊？謝謝了！！
2013-05-28 16:29:18
請您介紹一下驅(qū)動器源極引腳是如何降低開關(guān)損耗的。首先，能否請您對使用了驅(qū)動器源極引腳的電路及其工作進行說明？Figure 4是具有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動電路示例。它與以往驅(qū)動電路
2020-07-01 13:52:06
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導體技術(shù)的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關(guān)，通過降低電阻和開關(guān)損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
產(chǎn)生效果相反的兩種反饋電壓，分別控制 MOSFET 柵源電壓的上升和下降時間，因此降低功率回路中的 di/dt。然而，這樣通常會增加開關(guān)損耗，因此并非理想方法 [8]，[9]。功率級寄生電容公式 1
2020-11-03 07:54:52
圖1：開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個開關(guān)周期開始時，驅(qū)動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段（圖
2022-11-16 08:00:15
MOS門極功率開關(guān)元件的開關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動電阻等因素影響，在測量時主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結(jié)果影響是值得注意的，
2009-04-08 15:21:32
32
在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關(guān)損耗
摘要：升壓變換器通常應用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關(guān)電源的效率，設計
2009-07-20 16:03:00564 
本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細闡述了其開關(guān)過程。開關(guān)過程中，功率MOSFET動態(tài)的經(jīng)過是關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過程。在
2011-03-15 15:19:17557 根據(jù)MOSFET的簡化模型，分析了導通損耗和開關(guān)損耗，通過典型的修正系數(shù)，修正了簡化模型的極間電容。通過開關(guān)磁鐵電源的實例計算了工況下MOSFET的功率損耗，計算結(jié)果表明該電源中
2011-11-14 16:46:22112 MOSFET才導通，因此同步MOSFET是0電壓導通ZVS，而其關(guān)斷是自然的0電壓關(guān)斷ZVS，因此同步MOSFET在整個開關(guān)周期是0電壓的開關(guān)ZVS，開關(guān)損耗非常小，幾乎可以忽略不計，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產(chǎn)生的導通損耗，選取時只需要考慮RDS（ON）而不需要考慮Crss的值。
2012-04-12 11:04:2359180 
為了有效解決金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導通過程的解剖，定位了MOSFET 開關(guān)損耗的來源，進而為緩啟動電路設計優(yōu)化，減少MOSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
2016-01-04 14:59:0538 FPGA平臺實現(xiàn)最小開關(guān)損耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:1110 基于DSP的最小開關(guān)損耗SVPWM算法實現(xiàn)。
2016-04-18 09:47:497 使用示波器測量電源開關(guān)損耗。
2016-05-05 09:49:380 MOS門極功率開關(guān)元件的開關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動電阻等因素影響，在測量時主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結(jié)果影響是值得注意的，比如常見的管腳引線電感。本文在理論分析和實驗數(shù)據(jù)基礎上闡述了各寄生電感對IGBT開關(guān)損耗測量結(jié)果的影響。
2017-09-08 16:06:5221 MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復摸索，那么該如何量化評估呢？
2017-11-10 08:56:426345 1、CCM 模式開關(guān)損耗
CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。
2018-01-13 09:28:578163 
失去意義。 開關(guān)損耗測量中應考慮哪些問題呢？ 在實際的測量評估中，我們用一個通道測量電壓，另一個通道測量電流，然后軟件通過相乘得到功率曲線，再通過時間區(qū)間的積分得到最終的結(jié)果。
2018-02-07 01:27:01899 
相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗。 碳化硅 MOSFET 應用于高開關(guān)頻率場合時其開關(guān)損耗隨著開關(guān)頻率的增加亦快速增長。 為進一步提升碳化硅 MOSFET
2018-10-08 08:00:0029 視頻簡介：目前，市場對低能耗和節(jié)能型電子產(chǎn)品的需求極大，從而符合及超越政府及行業(yè)標準組織的節(jié)能要求。功率MOSFET由于開關(guān)損耗低，已經(jīng)成為主要開關(guān)器件的標準選擇。功率MOSFET在高速開關(guān)、高擊穿
2019-03-06 06:05:003591 
一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達95％，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關(guān)器件的損耗，對于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們該如何準確測量開關(guān)損耗呢？
2019-06-26 15:49:45721 一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關(guān)器件的損耗，對于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們該如何準確測量開關(guān)損耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關(guān)器件的損耗，對于效率分析是非常關(guān)鍵的。
2019-07-31 16:54:535929 
Mosfet的損耗主要有導通損耗，關(guān)斷損耗，開關(guān)損耗，容性損耗，驅(qū)動損耗
2020-01-08 08:00:0011 同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的同步開關(guān)（高邊＋低邊）是對VIN和GND電壓進行切換（ON/OFF），該過渡時間的功率乘以開關(guān)頻率后的值即開關(guān)損耗。
2020-04-06 10:51:00889 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供如何正確評估功率MOSFET的開關(guān)損耗？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-01 08:49:1511 功率MOSFET的開關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導通到截止時所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開關(guān)管在開通時，開關(guān)
2021-10-22 10:51:0611 和計算開關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導通過程和自然零電壓關(guān)斷過程的實際過程，以便電子工程師了解哪個參數(shù)起主導作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關(guān)損耗1，通過過程中的MOSFET開關(guān)損耗功率M...
2021-10-22 17:35:5953 的圖像。
圖1：開關(guān)損耗
讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個開關(guān)周期開始時，驅(qū)動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容
2022-01-21 17:01:12831 
如今的開關(guān)電源技術(shù)很大程度上依托于電源半導體開關(guān)器件，如MOSFET和IGBT。這些器件提供了快速開關(guān)速度，能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值。同時在On或Off狀態(tài)下小號的功率非常小，實現(xiàn)了很高的轉(zhuǎn)化效率
2021-11-23 15:07:571095 會隨之失去意義。接下來普科科技PRBTEK分享在開關(guān)損耗測量中的注意事項及影響因素。 一、開關(guān)損耗測量中應考慮哪些問題？ 在實際的測量評估中，我們用一個通道測量電壓，另一個通道測量電流，然后軟件通過相乘得到功率曲線，再
2021-12-15 15:22:40417 
功率損耗。圖5 所示MOSFET 的漏源電壓( VDS )和漏源電流(IDS)的關(guān)系圖可以很好地解釋MOSFET 在過渡過程中的開關(guān)損耗，從上半部分波形可以看出VDS和tSW(ON)期間電壓和電流
2022-01-07 11:10:270 功率MOSFET特性參數(shù)的理解
2022-07-13 16:10:3924 功耗是傳導損耗和開關(guān)損耗的總和，傳導損耗也稱為靜態(tài)損耗。另一方面，開關(guān)損耗也稱為動態(tài)損耗。
2022-07-26 17:30:032675 
。此外，今天的開關(guān)元件沒有非常高的運行速度，不幸的是，在轉(zhuǎn)換過程中不可避免地會損失一些能量（幸運的是，隨著新電子元件的出現(xiàn)，這種能量越來越少）。讓我們看看如何使用“LTspice”仿真程序來確定 SiC MOSFET 的開關(guān)損耗率。
2022-08-05 08:05:075941 
本文確定了以下方面的關(guān)鍵參數(shù)注意事項：比較IGBT和MOSFET的具體性能SMPS（開關(guān)電源）應用。在這兩種情況下都研究了開關(guān)損耗等參數(shù)硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS（零電壓切換）拓撲。三個主電源開關(guān)損耗
2022-09-14 16:54:120 MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，當VGS電壓達到MOSFET的開啟電壓時，MOSFET導通等同開關(guān)導通，有IDS通過，實現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換。
2022-11-28 15:53:05666 開關(guān)過程中，穿越線性區(qū)（放大區(qū)）時，電流和電壓產(chǎn)生交疊，形成開關(guān)損耗。其中，米勒電容導致的米勒平臺時間，在開關(guān)損耗中占主導作用。
2023-01-17 10:21:00978 全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:22673 
MOSFET和IGBT等的開關(guān)損耗問題，那就是帶有驅(qū)動器源極引腳（所謂的開爾文源極引腳）的新封裝。在本文——“通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗”中，將介紹功率開關(guān)產(chǎn)品具有驅(qū)動器源極引腳的效果以及使用注意事項。
2023-02-09 10:19:18634 
－接下來，請您介紹一下驅(qū)動器源極引腳是如何降低開關(guān)損耗的。首先，能否請您對使用了驅(qū)動器源極引腳的電路及其工作進行說明？Figure 4是具有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動電路示例。
2023-02-16 09:47:49457 
從某個外企的功率放大器的測試數(shù)據(jù)上獲得一個具體的感受：導通損耗60W開關(guān)損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個例子：可知，六個管子的總功耗是714W這跟我在項目用用的那個150A的模塊試驗測試得到的總功耗差不多。 導通損耗和開關(guān)損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開關(guān)--輸出端MOSFET的傳導損耗。本文將探討開關(guān)節(jié)點產(chǎn)生的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗：見文識意，開關(guān)損耗就是開關(guān)工作相關(guān)的損耗。在這里使用PSWH這個符號來表示。
2023-02-23 10:40:49623 
英飛凌按照“10%-2%”積分限計算開關(guān)損耗，而有些其他廠商按照”10%-10%”計算，后者結(jié)果比前者會小10-25%Eon,Eoff受IC,VCE,驅(qū)動能力（VGE,IG,RG）,T和分布電感影響我們假設Eon和Eoff正比于IC,在VCE test（900V)的20%范圍內(nèi)正比于VCE,則有：
2023-02-23 15:54:460 全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28493 
MOSFET的柵極電荷（米勒電容）以及控制IC的驅(qū)動能力。本應用筆記將詳細分析導通開關(guān)損耗以及選擇開關(guān)P溝道MOSFET的標準。
2023-03-10 09:26:35556 
MOS管在電源應用中作為開關(guān)用時將會導致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類。
2023-03-26 16:18:555704 
前言：為了方便理解MOSFET的開關(guān)過程及其損耗，以Buck變換器為研究對象進行說明（注：僅限于對MOSFET及其驅(qū)動進行分析，不涉及二極管反向恢復等損耗。）
2023-06-23 09:16:001354 
降低的傳導和開關(guān)損耗，本文以給出了使用ST碳化硅MOSFET的主要設計原則，以得到最佳性能。一，如何減少傳導損耗：碳化硅MOSFET比超結(jié)MOSFET要求更高的G級電壓
2022-11-30 15:28:282647 
CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。
2023-07-17 16:51:224677 
了電路的工作原理和效率。 開關(guān)器的兩種主要類型是MOSFET和BJT。然而，在Buck電路中，MOSFET通常更受歡迎，而BJT則較少使用。這主要歸因于以下幾個原因： 1. 低開關(guān)損耗 MOSFET具有非常低的開關(guān)損耗，因為它們是開關(guān)式的器件。當MOSFET處于導通狀態(tài)時，它的內(nèi)阻非常小，故具有非
2023-09-12 15:26:31686 使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
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