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電子發燒友網報道（文/莫婷婷）隨著傳統汽車向新能源汽車升級，與電源管理相關的應用迎來全面升級，特別是汽車向 800V 高壓平臺推進的過程中，對高壓轉換設計迎來了新的需求。為了解決上述需求，PI（Power Integrations）推出五款面向800V汽車應用的全新參考設計，這些參考設計基于該公司的1700V InnoSwitch?3-AQ反激式開關IC實現。 ? 從12V 到800V ：解讀電動汽車高壓化背后的電源革命難題 與新能源汽車相比，傳統燃油汽車跟電源管理相關應用的電壓等級相

UCC27288 是一款堅固耐用的 N 溝道 MOSFET 驅動器，最大開關節點 （HS） 額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配置的拓撲中控制兩個 N 溝道 MOSFET。其 3A 峰值拉電流和灌電流以及低上拉和下拉電阻使UCC27288能夠在 MOSFET 米勒平臺過渡期間以最小的開關損耗驅動大功率 MOSFET。由于輸入與電源電壓無關，因此 UCC27288 可以與模擬和數字控制器結合使用。兩個輸入彼此完全獨立，因此提供了更大的控制設計靈活性。

UCC21732 是一款電流隔離式單通道柵極驅動器，專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計，具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性。UCC21732具有高達 ±10A 的峰值拉電流和灌電流。 輸入側采用 SiO2 電容隔離技術與輸出側隔離，支持高達 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 浪涌抗擾度和超過 40 年的隔離柵壽命，并提供低器件間偏斜、>150V/ns 共模噪聲抗擾度 （CMTI）。

UCC27284 -Q1 是一款穩健的 N 溝道 MOSFET 驅動器，最大開關節點 （HS） 額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配置的拓撲中控制兩個 N 溝道 MOSFET。其 3A 峰值拉電流和灌電流以及低上拉和下拉電阻使 UCC27284 -Q1 能夠在 MOSFET 米勒平臺過渡期間以最小的開關損耗驅動大功率 MOSFET。由于輸入與電源電壓無關，因此 UCC27284 -Q1 可以與模擬和數字控制器結合使用。如果需要，兩個輸入和輸出可以重疊，用于次級側全橋同步整流等應用。

UCC5870-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅動器，旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶體管保護，例如基于分流電阻器的過流、基于 NTC 的過熱和 DESAT 檢測，包括在這些故障期間可選的軟關斷或兩級關斷。為了進一步減小應用尺寸，UCC5870-Q1 在開關期間集成了一個 4A 有源米勒箝位，在驅動器未通電時集成了一個有源柵極下拉。集成的 10 位 ADC 可監控多達 6 個模擬輸入和柵極驅動器溫度，以增強系統管理。集成了診斷和檢測功能，以簡化符合 ASIL-D 標準的系統的設計。這些功能的參數和閾值可通過 SPI 接口進行配置，這使得該器件幾乎可以與任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一起使用。

UCC21710 是一款電隔離式單通道柵極驅動器，旨在驅動高達 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進的集成保護、一流的動態性能和穩健性。UCC21710具有高達 ±10A 的峰值拉電流和灌電流。 輸入側采用 SiO 2 電容隔離技術與輸出側隔離，支持高達 1.5 kV RMS 的工作電壓，隔離柵壽命超過 40 年，具有 12.8 kV PK 浪涌抗擾度，并提供低器件間偏移和 >150V/ns 共模噪聲抗擾度 （CMTI）。

開關模式電源又稱交換式電源、開關變換器，是一種高頻化電能轉換裝置，是電源供應器的一種。其功能是將一個位準的電壓，透過不同形式的架構轉換為用戶端所需求的電壓或電流。開關電源的輸入多半是交流電源(例如市電)或是直流電源，而輸出多半是需要直流電源的設備，例如個人電腦，而開關電源就進行兩者之間電壓及電流的轉換。

UCC27289 是一款堅固耐用的 N 溝道 MOSFET 驅動器，最大開關節點 （HS） 額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配置的拓撲中控制兩個 N 溝道 MOSFET。其 3A 峰值拉電流和灌電流以及低上拉和下拉電阻使該UCC27289能夠在 MOSFET 米勒平臺轉換期間以最小的開關損耗驅動大功率 MOSFET。由于輸入與電源電壓無關，因此 UCC27289 可以與模擬和數字控制器結合使用。兩個 inputs 彼此完全獨立，因此如果需要，兩個 output 可以通過重疊的 inputs 重疊。啟用和禁用功能通過降低驅動程序的功耗并響應系統內的故障事件，提供了額外的系統靈活性。

UCC23514 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅動器，具有 4.5A 的拉電流和 5.3A 的灌電流峰值輸出電流和 5.0kV~RMS~增強的隔離等級。33V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅動 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23514 可以驅動低側和高側功率 FET。與基于標準光耦合器的柵極驅動器相比，主要特性和特性帶來了顯著的性能和可靠性提升，同時在原理圖和布局設計中保持了引腳對引腳的兼容性。性能亮點包括高共模瞬態抗擾度 （CMTI）、低傳播延遲和小脈寬失真。

UCC21759-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅動器，專為高達 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計，具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性。UCC21759-Q1 具有高達 ±10A 的峰值拉電流和灌電流。 輸入側采用 SiO2 電容隔離技術與輸出側隔離，支持高達 636VRMS 的工作電壓，隔離柵壽命超過 40 年，6kVPK 浪涌抗擾度，并提供低器件間偏移和 >150V/ns 共模噪聲抗擾度 （CMTI）。

UCC21540-Q1 器件是一款隔離式雙通道柵極驅動器，具有可編程死區時間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現出一致的性能和穩健性。它采用 4 A 峰值拉電流和 6 A 峰值灌電流設計，可驅動功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。

UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅動器系列，具有高達 4A/6A 的峰值拉/灌電流，可驅動功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用 DWK 封裝的 UCC2154x 還提供 3.3mm 的最小通道間距，從而實現更高的總線電壓。 UCC2154x 系列可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個半橋驅動器。輸入側通過 5.7kVRMS 隔離柵與兩個輸出驅動器隔離，具有最小 125V/ns 的共模瞬態抗擾度 （CMTI）。

UCC23313-Q1 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅動器，具有 4.5A 拉電流和 5.3A 灌電流峰值輸出電流以及 3.75kV 電壓~RMS~基本隔離等級。33 V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅動 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23313-Q1 可以驅動低側和高側功率 FET。與基于標準光耦合器的柵極驅動器相比，主要特性和特性帶來了顯著的性能和可靠性提升，同時在原理圖和布局設計中保持了引腳對引腳的兼容性。性能亮點包括高共模瞬態抗擾度 （CMTI）、低傳播延遲和小脈寬失真。

UCC23513-Q1 驅動器是適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅動器，具有 4.5A 的拉電流和 5.3A 的灌電流峰值輸出電流和 5.7kV~RMS~隔離等級。33V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅動 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23513-Q1 可以驅動低側和高側功率 FET，與基于光耦合器的柵極驅動器相比，性能和可靠性得到了顯著提升，同時在原理圖和布局設計中保持了引腳對引腳的兼容性。性能亮點包括高共模瞬態抗擾度 （CMTI）、低傳播延遲和小脈寬失真。

UCC27624 是一款雙通道、高速、低側柵極驅動器，可有效驅動 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 功率開關。UCC27624具有 5A 的典型峰值驅動強度，可縮短電源開關的上升和下降時間，降低開關損耗并提高效率。該器件的快速傳播延遲（典型值為 17ns）通過改善系統的死區時間優化、脈沖寬度利用率、控制環路響應和瞬態性能，產生更好的功率級效率。

UCC27284 是一款堅固耐用的 N 溝道 MOSFET 驅動器，最大開關節點 （HS） 額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配置的拓撲中控制兩個 N 溝道 MOSFET。其 3A 峰值拉電流和灌電流以及低上拉和下拉電阻使 UCC27284 能夠在 MOSFET 米勒平臺過渡期間以最小的開關損耗驅動大功率 MOSFET。由于輸入與電源電壓無關，因此 UCC27284 可以與模擬和數字控制器結合使用。如果需要，兩個輸入和輸出可以重疊，用于次級側全橋同步整流等應用。

反激式開關電源的電壓和電流的輸出特性要比正激式開關電源的差。

UCC21737-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅動器，專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計，具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性。該器件具有高達 ±10A 的峰值拉電流和灌電流。 輸入側采用 SiO2 電容隔離技術與輸出側隔離，支持高達 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 浪涌抗擾度，隔離柵壽命超過 40 年，并提供低器件間偏移和 >150V/ns 共模瞬態抗擾度 （CMTI）。

UCC21755-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅動器，專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計，具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性。UCC21755-Q1 具有高達 ±10A 的峰值拉電流和吸收電流。 輸入側采用 SiO2 電容隔離技術與輸出側隔離，支持高達 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 浪涌抗擾度和超過 40 年的隔離柵壽命，并提供低器件間偏移和 >150V/ns 共模噪聲抗擾度 （CMTI）。

EVLVIPGAN65DF參考設計（用于VIPERGAN65）是一款24V/65W參考設計，基于VIPERGAN65D高壓轉換器，采用隔離式QR反激拓撲進行設置。這款控制器在同一封裝中集成了低壓PWM控制器芯片和700V GaN HEMT。該器件集成了一整套特性，有助于以較短的物料清單設計出高效、低待機功耗的開關模式電源，從而實現經濟高效的快速設計。這些設計包括具有動態消隱時間的ZVS準諧振操作、前饋補償、谷值同步調整、低靜態電流和先進的輕負載管理。 另外還包含一整套保護特性，可顯