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標(biāo)簽 > 光刻
光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開(kāi)孔,以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。
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ADI 數(shù)據(jù)采集解決方案在先進(jìn)光刻芯片制造領(lǐng)域大放異彩l
作者:Pete Bartolik 投稿人:DigiKey 北美編輯 在半導(dǎo)體芯片銷售額從 2022 年的 6000 億美元增至 2030 年的 1 萬(wàn)億...
2025-05-25 標(biāo)簽:芯片ADI數(shù)據(jù)采集 199 0
本文系統(tǒng)梳理了直寫(xiě)式、多電子束與投影式EBL的關(guān)鍵技術(shù)路徑,涵蓋掃描策略、束流整形、鄰近效應(yīng)校正與系統(tǒng)集成等方面,并探討其在精...
本文將系統(tǒng)介紹光阻的組成與作用、剝離的關(guān)鍵工藝及化學(xué)機(jī)理,并探討不同等離子體處理方法在光阻去除中的應(yīng)用。 ? 一、光阻(Photores...
2025-02-13 標(biāo)簽:光刻半導(dǎo)體制造 1402 0
EUV光刻技術(shù)如何為功率半導(dǎo)體提供動(dòng)力立即下載
類別:電子資料 2023-02-15 標(biāo)簽:光刻功率半導(dǎo)體EUV 612 0
類別:模擬數(shù)字論文 2022-06-29 標(biāo)簽:光刻蝕刻GaAs 592 0
用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量
引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中,光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用,但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對(duì)銅產(...
低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量
引言 在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色,但因其高含量使用帶...
進(jìn)入過(guò)無(wú)塵間光刻區(qū)的朋友,應(yīng)該都知道光刻區(qū)里用的都是黃燈,這個(gè)看似很簡(jiǎn)單的問(wèn)題的背后卻蘊(yùn)含了很多鮮為人...
2025-06-16 標(biāo)簽:光刻 92 0
TFT-LCD 顯示屏光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量
引言 在 TFT-LCD 顯示屏制造工藝中,光刻膠剝離是關(guān)鍵工序之一,其效果直接影響顯示屏的質(zhì)量與性能。隨著 TFT-LCD 技術(shù)向高分辨率、窄邊框方...
用于疊層晶圓的光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量
引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)向高密度、高性能方向發(fā)展,疊層晶圓技術(shù)成為關(guān)鍵。在疊層晶圓制造過(guò)程中,光刻膠剝離液的性能對(duì)工藝質...
一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù),通過(guò)光刻膠在特殊波長(zhǎng)光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化,再經(jīng)過(guò...
光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時(...
納米壓印制備硅基 OLED 微型顯示器的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量
引言 硅基 OLED 微型顯示器憑借高分辨率、高對(duì)比度等優(yōu)勢(shì),在虛擬現(xiàn)實(shí)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等領(lǐng)域...
Micro OLED 陽(yáng)極像素定義層制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量
? 引言 ? Micro OLED 作為新型顯示技術(shù),在微型顯示領(lǐng)域極具潛力。其中,陽(yáng)極像素定義層的制備直接影響器件性能與顯示效果,而光刻圖形的精準(...
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