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標(biāo)簽 > 光刻

光刻

+關(guān)注7人關(guān)注

光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開(kāi)孔,以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。

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光刻技術(shù)

ADI 數(shù)據(jù)采集解決方案在先進(jìn)光刻芯片制造領(lǐng)域大放異彩l

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作者:Pete Bartolik 投稿人:DigiKey 北美編輯 在半導(dǎo)體芯片銷售額從 2022 年的 6000 億美元增至 2030 年的 1 萬(wàn)億...

2025-05-25 標(biāo)簽:芯片ADI數(shù)據(jù)采集 199 0

一文詳解電子束光刻技術(shù)

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本文系統(tǒng)梳理了直寫(xiě)式、多電子束與投影式EBL的關(guān)鍵技術(shù)路徑,涵蓋掃描策略、束流整形、鄰近效應(yīng)校正與系統(tǒng)集成等方面,并探討其在精...

2025-04-30 標(biāo)簽:工藝光刻電子束 980 0

光阻的基礎(chǔ)知識(shí)

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本文將系統(tǒng)介紹光阻的組成與作用、剝離的關(guān)鍵工藝及化學(xué)機(jī)理,并探討不同等離子體處理方法在光阻去除中的應(yīng)用。 ? 一、光阻(Photores...

2025-02-13 標(biāo)簽:光刻半導(dǎo)體制造 1402 0

芯片制造:光刻工藝原理與流程

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光刻是芯片制造過(guò)程中至關(guān)重要的一步,它定義了芯片上的各種微細(xì)圖案,并且要求極高的精度。以下是光刻過(guò)程的詳細(xì)介紹,包括原理和具體步驟...

2025-01-28 標(biāo)簽:芯片制造光刻 1224 0

光刻掩膜技術(shù)介紹

光刻掩膜技術(shù)介紹

?? 光刻掩膜簡(jiǎn)介 ?? ? 光刻掩膜(Photomask)又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版等,通常簡(jiǎn)稱“mask”,是半導(dǎo)體制造過(guò)程中用于圖案...

2025-01-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光刻掩膜 2032 0

接觸孔工藝的制造流程

接觸孔工藝的制造流程

接觸孔工藝是指在 ILD 介質(zhì)層上形成很多細(xì)小的垂直通孔,它是器件與第一層金屬層的連接通道。通孔的填充材料是金屬鎢(W),接觸孔材料不能用Cu,因?yàn)?C...

2024-11-15 標(biāo)簽:晶圓工藝光刻 1002 0

柵氧化層工藝的制造流程

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與亞微米工藝類似,柵氧化層工藝是通過(guò)熱氧化形成高質(zhì)量的柵氧化層,它的熱穩(wěn)定性和界面態(tài)都非常好。

2024-11-05 標(biāo)簽:晶圓工藝光刻 1266 0

有源區(qū)工藝的制造過(guò)程

有源區(qū)工藝的制造過(guò)程

有源區(qū)工藝是指通過(guò)刻蝕去掉非有源區(qū)的區(qū)域的硅襯底,而保留器件的有源區(qū)。

2024-10-31 標(biāo)簽:晶圓工藝光刻 903 0

頂層金屬工藝是指什么

頂層金屬工藝是指什么

頂層金屬工藝是指形成最后一層金屬互連線,頂層金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把第二層金屬連接起來(lái)。頂層金屬需要作為電源走線,連接很長(zhǎng)的距離,需要比較低...

2024-10-29 標(biāo)簽:晶圓工藝光刻 762 0

金屬層2工藝是什么

金屬層2工藝是什么

金屬層2(M2)工藝與金屬層1工藝類似。金屬層2工藝是指形成第二層金屬互連線,金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把第一層金屬或者第三層金屬連接起來(lái)。

2024-10-24 標(biāo)簽:晶圓工藝光刻 765 0

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光刻資訊

用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中,光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用,但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對(duì)銅產(...

2025-06-18 標(biāo)簽:光刻Array 68 0

低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色,但因其高含量使用帶...

2025-06-17 標(biāo)簽:光刻NMF干涉儀 101 0

為什么光刻要用黃光?

進(jìn)入過(guò)無(wú)塵間光刻區(qū)的朋友,應(yīng)該都知道光刻區(qū)里用的都是黃燈,這個(gè)看似很簡(jiǎn)單的問(wèn)題的背后卻蘊(yùn)含了很多鮮為人...

2025-06-16 標(biāo)簽:光刻 92 0

TFT-LCD 顯示屏光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

TFT-LCD 顯示屏光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在 TFT-LCD 顯示屏制造工藝中,光刻膠剝離是關(guān)鍵工序之一,其效果直接影響顯示屏的質(zhì)量與性能。隨著 TFT-LCD 技術(shù)向高分辨率、窄邊框方...

2025-06-13 標(biāo)簽:lcd顯示屏光刻 111 0

用于疊層晶圓的光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

用于疊層晶圓的光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)向高密度、高性能方向發(fā)展,疊層晶圓技術(shù)成為關(guān)鍵。在疊層晶圓制造過(guò)程中,光刻膠剝離液的性能對(duì)工藝質...

2025-06-12 標(biāo)簽:光刻光刻膠 85 0

光刻工藝中的顯影技術(shù)

一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù),通過(guò)光刻膠在特殊波長(zhǎng)光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化,再經(jīng)過(guò...

2025-06-09 標(biāo)簽:光刻顯影光刻膠 205 0

水平式光刻膠剝離工藝及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

水平式光刻膠剝離工藝及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體制造和微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離是光刻工藝的重要環(huán)節(jié)。水平式光刻膠剝離工藝憑借其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)在工業(yè)...

2025-06-04 標(biāo)簽:光刻白光干涉儀 68 0

光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時(...

2025-05-29 標(biāo)簽:光刻光刻膠白光干涉儀 80 0

納米壓印制備硅基 OLED 微型顯示器的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

納米壓印制備硅基 OLED 微型顯示器的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 硅基 OLED 微型顯示器憑借高分辨率、高對(duì)比度等優(yōu)勢(shì),在虛擬現(xiàn)實(shí)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等領(lǐng)域...

2025-05-26 標(biāo)簽:OLED光刻白光干涉儀 129 0

Micro OLED 陽(yáng)極像素定義層制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

Micro OLED 陽(yáng)極像素定義層制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

? 引言 ? Micro OLED 作為新型顯示技術(shù),在微型顯示領(lǐng)域極具潛力。其中,陽(yáng)極像素定義層的制備直接影響器件性能與顯示效果,而光刻圖形的精準(...

2025-05-23 標(biāo)簽:光刻測(cè)量干涉儀 103 0

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瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯??萍?/a> Altium
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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