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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC二極管,即碳化硅二極管,作為第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一,其工作原理和結(jié)構(gòu)在電力電子領(lǐng)域具有獨(dú)特的重要性。以下將詳細(xì)闡...
SiC(碳化硅)二極管在大功率電源上的應(yīng)用,正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)重要技術(shù)革新。其憑借高能效、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及優(yōu...
SiC二極管,全稱SiC碳化硅勢(shì)壘二極管,也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管(SiC SBD),是碳化硅(SiC)功率器件的一種,屬于第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)...
離網(wǎng)場(chǎng)景下SiC MOSFETs應(yīng)用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢(shì)
*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/工商業(yè)側(cè)儲(chǔ)能正以其經(jīng)濟(jì)性,電網(wǎng)友好性等特點(diǎn)蓬勃發(fā)展,其中...
GaN和SiC在工業(yè)電子領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)
提高工業(yè)能源效率是制造業(yè)關(guān)鍵趨勢(shì),聚焦于優(yōu)化電力電子設(shè)備。MOSFET作為主流電子元件,雖控制高效但壽命短、對(duì)過載敏感。新材料如...
SiC FET在固態(tài)斷路器應(yīng)用中的沖擊電流處理能力
固態(tài)斷路器(SSCB)相比于傳統(tǒng)的電機(jī)械斷路器具有多種優(yōu)勢(shì)。基于寬帶隙(WBG)器件如碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)的SSCB可以在許多應(yī...
SiC(碳化硅)器件在電源中的應(yīng)用日益廣泛,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使得SiC成為提升電源效率、可靠性及高溫、高頻性能的關(guān)鍵材料。以下將詳細(xì)探討S...
提升傳統(tǒng)基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊
近年來,1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當(dāng)前使用IGBT的電力轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師的真正替代方案。到目前為止,大多數(shù)SiC...
GaN(氮化鎵)晶體管和SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)...
DTS技術(shù)提高功率模塊可靠性方面發(fā)揮的關(guān)鍵作用
派恩杰半導(dǎo)體,中國(guó)第三代半導(dǎo)體功率器件的領(lǐng)先品牌,主營(yíng)碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵HEMT等功率器件產(chǎn)品。在新能源...
CAN SIC收發(fā)器助力復(fù)雜CAN網(wǎng)絡(luò)高效可靠通信(2)
SIC的作用機(jī)理在CAN總線上,通過CAN_H和CAN_L兩根線上的電位差來表示CAN信號(hào)。CAN總線上的電位差分為兩種:顯性電平(DominantVo...
SiC 技術(shù)相對(duì)于 Si 具有不可否認(rèn)的優(yōu)勢(shì)
在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和充電器等應(yīng)用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、降低的冷卻需求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。盡管...
PCIM2024論文摘要|新型400V SiC MOSFET用于高效三電平工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
/摘要/400VSiCMOSFET技術(shù)商用化彌補(bǔ)了長(zhǎng)期存在的200V中壓MOSFET與600V超級(jí)結(jié)MOSFET之間產(chǎn)品和技術(shù)空...
2024-08-08 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)SiC 2363 0
碳化硅器件的應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)是一種以碳和硅為主要成分的半導(dǎo)體材料,近年來在電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用迅速發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅材料,碳化硅具有更高的擊穿電場(c...
國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)智能隔離柵極驅(qū)動(dòng)器概述
電機(jī)控制器是新能源汽車中的重要組成部分,負(fù)責(zé)控制電機(jī)的運(yùn)轉(zhuǎn),而柵極驅(qū)動(dòng)器則是電機(jī)控制器中的關(guān)鍵元件之一...
2024-08-01 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 1106 1
在電力電子領(lǐng)域,面臨的挑戰(zhàn)是如何在更小的設(shè)備中實(shí)現(xiàn)更高的功率傳輸并降低成本。這些目標(biāo)往往相互矛盾,導(dǎo)致必須做出妥協(xi...
2024-07-25 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 436 0
Qorvo SiC FET在ZVS軟開關(guān)技術(shù)應(yīng)用中的卓越表現(xiàn)
從石器時(shí)代到信息時(shí)代,人類對(duì)高效率的追求從未停止。如今,隨著人工智能、電動(dòng)汽車和可再生能源系統(tǒng)等前沿科技的蓬勃發(fā)展,電力電子設(s...
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