仿真看世界之650V混合SiC單管的開關特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統...

2021-08-31 標簽：IGBTSiC英飛凌科技 2340 0

確保SiC驗證測試準確度，有效測量碳化硅功率電子系統中的信號

在功率電子系統中，差分探頭和參考地電平探頭是兩種常用的電壓測量方法。差分探頭是一種流行的選擇，因為它可以毫無問題地添加到電路的任意節點中。

2021-07-13 標簽：電子系統SiC碳化硅 2465 0

碳化硅在下一代工業電機驅動器中的作用

使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同類產品。雖然有各種重要的機會使用這項技術，但工業電機驅動正獲得最大的興趣和關注。

2021-07-04 標簽：SiC電機驅動器碳化硅 2579 0

淺談柵極-源極電壓產生的浪涌

MOSFET和IGBT等功率半導體作為開關元件已被廣泛應用于各種電源應用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來的應用速度與日俱增，它的工作速度...

2021-06-12 標簽：MOSFETSiC功率元器件 3233 0

追求盡善盡美–電動車中的SiC半導體

本文探討了SiC FET共源共柵結構是如何提供最佳性能和一系列其他好處的。

2021-05-12 標簽：轉換器電動車SiC 1231 0

領先的SiC/GaN功率轉換器的驅動

基于硅IGBT的傳統逆變器和轉換器占據市場主體（占比超過70%），這主要歸功于工廠生產線中的電機驅動應用和第一代風力和太陽能逆變器。

2021-04-12 標簽：電動汽車逆變器功率轉換器 1136 0

【當代材料電學測試】系列之四：寬禁帶材料測試

隨著電子電力的發展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應用于射頻與超高壓等領域。

2021-03-26 標簽：萬用表SiCGaN 1215 0

在正確的比較中了解SiC FET導通電阻隨溫度產生的變化

650V SiC MOSFET的擁護者可能會指出，他們發現其他類似器件在Tj =125°C下的該數值通常為+20-25%。這能說明SiC MOSFET比...

2021-01-08 標簽：MOSFETSiC柵極驅動 3463 0

如何通過柵極驅動技術實現SiC性能的最大化

SiC和其他寬禁帶器件的基本優勢源于它們的帶隙，價帶頂部和導帶底部之間的能量差。電子從低能價帶移動到高能導帶使材料導電。

2021-02-20 標簽：電動汽車IGBT電源開關 2885 0

寬帶隙半導體開關：緩慢的開關沿可減少過沖和EMI

在寬帶隙半導體開關的新時代，器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiC?MOSFET和GaN HEMT單元。但是，這兩者都不是理想的開關...

2021-03-18 標簽：電容器MOSFET緩沖器 8068 0

如何混合Si和SiC器件實現完整SiC MOSFET轉換器相同效率的調制方案

在現代時代，隨著電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）領域的所有進步對具有高功率密度和效率的轉換器的需求已經增加，尤其是在電動汽車充電點的并網系統中[...

2021-03-22 標簽：電動汽車MOSFET整流器 5208 0

SiC與石墨烯覆蓋層一起用于GaN膜的生長

氮化鎵（GaN）為從RF-IC到眾多功率控制IC（例如通信，能源和軍事應用中使用的大功率HEMT）等各種模擬微芯片提供了顯著的性能優勢。GaN還是高能效...

2021-04-04 標簽：ledSiC氮化鎵 1889 0

基于SiC或GaN的功率半導體應用設計

工程師對電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當從基于硅的芯片過渡到碳化硅或寬帶隙器件時，需要多加注意。 芯片顯示，基于硅（Si）的半導體比寬帶隙（WBG...

2021-04-06 標簽：電磁干擾SiC氮化鎵 3916 0

SiC MOSFET的實時結溫監控電路測量方案

本文介紹了一種新穎的測量電路，以測量用于測量SiC MOSFET的實時或實際結溫。可以看出，出于訂購和處理數據或電流傳感器的目的，不需要本質上復雜的任何算法。

2021-04-23 標簽：MOSFET監控電路SiC 6445 0