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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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長距離電動汽車應(yīng)用中 SiC 功率器件的有效實(shí)現(xiàn)
內(nèi)燃機(jī) (IC)、EV 和 HEV 等所有汽車對動力子系統(tǒng)的需求一直呈指數(shù)級增長,以支持高級輔助駕駛系統(tǒng) (ADAS)、電動車窗、車門和后視鏡、內(...
汽車、工業(yè)、太空和國防領(lǐng)域越來越需要能提升系統(tǒng)效率、穩(wěn)健性和功率密度的SiC功率產(chǎn)品。
干貨 | 一文了解 SiC/GaN 功率轉(zhuǎn)換器驅(qū)動
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域...
第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場及應(yīng)用分析
SiC主要用于實(shí)現(xiàn)電動車逆變器等驅(qū)動系統(tǒng)的小量輕化。SiC器件相對于Si器件的優(yōu)勢之處在于,降低能量損耗、更易實(shí)現(xiàn)小型化和更耐...
ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐ...
歷經(jīng)Formula E三季的磨礪,羅姆SiC功率元器件與文圖瑞車隊一同走過了怎樣的歷程?在香港站文圖瑞車隊勇奪冠軍,這背后離不開技術(shù)人員的默默付出。
碳和硅都這么優(yōu)秀了,可是怎么還出了一個碳化硅(SiC)?
你可能沒見過莫桑石,但你一定聽說過金剛砂,這個類似“金剛石”的名稱已經(jīng)霸氣側(cè)露的表示出了它的硬度。常見的作為磨料、耐火材料的金剛砂分黑色和綠色兩種。但是...
基于SiC技術(shù)的碳化硅襯底提升LED的發(fā)光度
大多數(shù)現(xiàn)代LED由氮化銦鎵(InGaN)和藍(lán)寶石襯底組成。該架構(gòu)運(yùn)行良好,并使LED制造商能夠提供效率超過150流明/瓦的產(chǎn)品。然而,該...
在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU的WInSiC4AP專案所要達(dá)成的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI...
SiC MOSFET進(jìn)入主流市場,功率器件新局面正式開啟
進(jìn)一步提高切換頻率會導(dǎo)致硅基解決方案效率與最大輸出功率迅速降低,但SiC MOSFET的低切換損耗不會有此問題。透過此范例的證明,工作頻率高達(dá)72kHz...
淺談SiC技術(shù)和封裝的創(chuàng)新 SiC如何應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)
在開始討論技術(shù)和開發(fā)目標(biāo)前,先看一下圖1的電動汽車概念的簡單示意圖。在這種情況下,功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和牽引電機(jī)所用的電子元器件是本項目的研究方...
為了充分利用新型功率轉(zhuǎn)換技術(shù),必須在轉(zhuǎn)換器設(shè)計中實(shí)施完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng),從最近的芯片到功率開關(guān)和柵極驅(...
2018-11-28 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器SiCGaN 8832 0
如何通過調(diào)整門極驅(qū)動負(fù)壓,來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法
由于寬禁帶半導(dǎo)體SiC的固有特征,以及不同于Si材料的半導(dǎo)體氧化層界面特性,會引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異,解釋這些差異與材料本身特性...
在現(xiàn)實(shí)世界中,沒有理想的開關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn),既能實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗...
2018-10-30 標(biāo)簽:天線DC-DC轉(zhuǎn)換器SiC 6573 0
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn...
基于SiC的MOSFET器件在電源與電機(jī)驅(qū)動電路設(shè)計中的特點(diǎn)分析
商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件,被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動等電路設(shè)計。
2019-12-03 標(biāo)簽:mosfet電機(jī)驅(qū)動sic 4940 0
三菱電機(jī)開發(fā)了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊
6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內(nèi)部采用半橋拓?fù)洌话愕拇蠊β蕬?yīng)用可以采用并聯(lián)連接來提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運(yùn)行,需要考慮模塊...
由開關(guān)器件的材料變革帶來的高壓電氣部件的能力提升
EQC的銅排設(shè)計看上去很不合理,不過需要考慮從兩個分離的負(fù)極單獨(dú)取電,然后匯集到配電盒里面,對驅(qū)動系統(tǒng)和充電系統(tǒng)的配置有一些想法,這項工作的復...
推出電動汽車(EV)的通告已經(jīng)鋪天蓋地地席卷了全球。這些標(biāo)題的吸睛點(diǎn)和不同點(diǎn)在于電動汽車遠(yuǎn)程駕駛能力超越了目前的200至300英里范圍:目前...
SiC功率器件是怎樣進(jìn)行封裝的?有什么要點(diǎn)?
使用三種無鉛焊料系統(tǒng):Sn96.5-Ag3.5、Ag74.2-In25.8和Au76-In24幾乎實(shí)現(xiàn)了無孔隙焊點(diǎn)。實(shí)驗看到,焊點(diǎn)厚...
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