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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作環(huán)境
GaN 、SiC很有可能在高壓高頻方面完全取代硅基,SiC MOSFET 主打高壓領(lǐng)域;GaN MOSFET 主打高頻領(lǐng)域。
在功率器件半導(dǎo)體領(lǐng)域,越來越需要高頻高功率耐高溫的功率器件,隨著時間發(fā)展,硅材料在功率器件領(lǐng)域已經(jīng)達到了材料性能的極限,碳化硅憑借其材料的優(yō...
隔離比較器在電機驅(qū)動系統(tǒng)中的應(yīng)用
功率半導(dǎo)體供應(yīng)商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)速度上實現(xiàn)突破,推出更高的電流等級、更小的封裝尺寸以及更短的短路耐受時間的半導(dǎo)體器件。并且隨著寬禁...
UnitedSiC FET-Jet計算器讓功率設(shè)計選擇FET和SiC變得輕而易舉
該工具可以立即計算出整體效率、動態(tài)和導(dǎo)通導(dǎo)致的組件功耗以及電流應(yīng)力水平;甚至可以指定并聯(lián)器件、多個轉(zhuǎn)換器“支路”和外部散熱片性能,以...
新能源車的功率控制單元(PCU)是汽車電驅(qū)系統(tǒng)的中樞神經(jīng),管理電池中的電能與電機之間的流向、傳遞速度。傳統(tǒng) PCU 使用硅基材料半導(dǎo)體制成,強電流...
使采用SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計更容易
BM2SC12xFP2-LBZ是業(yè)內(nèi)先進*的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,采用一體化封裝,已將1700V耐壓的SiC MOSFET和針對其驅(qū)動而優(yōu)化的控制電路...
2022-09-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1262 0
雙碳目標(biāo)正加速推進汽車向電動化發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動車,新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨特優(yōu)勢...
VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長電動車?yán)m(xù)航能力
因續(xù)航能力有限而導(dǎo)致的“里程焦慮”是許多消費者采用電動車的一個障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過程的效率是延長車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關(guān)鍵。能效...
評估1200V SiC MOSFET在短路條件下的穩(wěn)健性
由于其極低的開關(guān)損耗,碳化硅 (SiC) MOSFET 為最大限度地提高功率轉(zhuǎn)換器的效率提供了廣闊的前景。然而,在確定這些設(shè)備是否是實際電源轉(zhuǎn)換應(y...
碳化硅MOSFET的經(jīng)濟高效且可靠的大功率解決方案
碳化硅已被證明是高功率和高電壓設(shè)備的理想材料。但是,設(shè)備的可靠性極其重要,我們不僅指短期可靠性,還指長期可靠性。性能、成本和可制造性也是其他重要因素,但...
對基于碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)的需求持續(xù)快速增長,以最大限度地提高效率并減小尺寸和重量,從而使工程師能夠創(chuàng)建創(chuàng)新的電源解決方案。利用 SiC 技術...
隨著寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)變得越來越流行,正在執(zhí)行不同的耐久性測試來評估二極管在高溫和嚴(yán)酷電流循環(huán)條件下的運行情況。毫無疑問,電力電子在未來幾年內(nèi...
動態(tài)測試確認(rèn)SiC開關(guān)頻率的準(zhǔn)確性
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)等寬帶隙材料由于其電氣特性已被證明優(yōu)于硅,因此在電力電子應(yīng)用中占據(jù)領(lǐng)先地位。盡管被廣泛接受,專家們?nèi)圆粩鄼z查...
選擇合適的柵極驅(qū)動器來解決碳化硅(SiC)的設(shè)計挑戰(zhàn)
Balogh還指出了其他需要考慮的問題,例如保護功能、欠壓鎖定、更高頻率的工作、更快的開關(guān)速度和裸片上的熱點,這些都會對功耗、EMI和尺寸產(chǎn)生影響。
我們都知道,IGBT發(fā)生短路時,需要在10us或者更短的時間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,...
使用LTspice估算SiC MOSFET的開關(guān)損耗
為了正確利用這種能源,必須采用并大量使用轉(zhuǎn)換器,其目的是將一種能源轉(zhuǎn)換成另一種更適合最終使用的能源。今天,這些公司專注于減少轉(zhuǎn)換器的重量和體積,以及提高...
2022-08-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1.3萬 0
幾十年來,基于硅的半導(dǎo)體開關(guān)一直主導(dǎo)著功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,IGBT 和 Si MOSFET 提供了成熟、穩(wěn)健的解決方案。然而,當(dāng...
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