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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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如何實(shí)現(xiàn)一種7.5kW電動(dòng)汽車碳化硅逆變器的設(shè)計(jì)呢?
第三代功率半導(dǎo)體碳化硅SiC具有高耐壓等級(jí)、開(kāi)關(guān)速度快以及耐高溫的特點(diǎn),能顯著提高電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率...
2023-12-28 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器散熱器 2545 0
4H-SiC概述(生長(zhǎng)、特性、應(yīng)用)、Bulk及外延層缺陷、光致發(fā)光/拉曼光譜法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光學(xué)顯微鏡,TEM,SEM/散射光等.....
碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用及發(fā)展
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其獨(dú)特的物理特性,如高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎ...
碳化硅 ( SiC )具有禁帶寬、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、熱導(dǎo)率高、高壓、高溫、高頻等優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)用于硅基器件的傳統(tǒng)封裝方式寄生...
2023-12-27 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)封裝技術(shù)SiC 3161 0
物理氣相傳輸法生長(zhǎng)SiC晶圓中的缺陷和測(cè)試
和Si晶體拉晶工藝類似,PVT法制備SiC單晶和切片形成晶圓過(guò)程中也會(huì)引入多種缺陷。這些缺陷主要包括:表面缺陷;引入深能級(jí)的點(diǎn)缺陷;位錯(cuò);堆垛層錯(c...
隨著科技的飛速發(fā)展,電力電子技術(shù)在各種領(lǐng)域中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用,從電動(dòng)汽車到數(shù)據(jù)中心,再到可再生能源系統(tǒng...
一個(gè)良好的功率電路不僅由靜態(tài)器件如SiC和GaN MOSFETs組成,還包含了門(mén)極驅(qū)動(dòng)器。這是一個(gè)獨(dú)立的元素,位于電子開(kāi)關(g...
2023-12-24 標(biāo)簽:SiC開(kāi)關(guān)器件門(mén)極驅(qū)動(dòng)器 1097 0
統(tǒng)的硅功率器件工藝中,高溫?cái)U(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法,兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來(lái)說(shuō),高溫?cái)U(kuò)散工藝簡...
本文匯集了 SiC MOSFET 最新結(jié)果的特定方面,涉及由于應(yīng)用交流柵極偏置應(yīng)力(也稱為柵極開(kāi)關(guān)應(yīng)力)導(dǎo)致的閾值電壓 (...
碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有...
8英寸SiC晶體生長(zhǎng)熱場(chǎng)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化
碳化硅(SiC)材料被認(rèn)為已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè)。其寬帶隙、高溫穩(wěn)定性和高導(dǎo)熱性等特性將為SiC基功率器件帶來(lái)一系列優(yōu)勢(sh...
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰的抑制方法簡(jiǎn)析(下)
高頻、高速開(kāi)關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一,這能讓系統(tǒng)效率顯著提升,但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩...
碳化硅功率器件的技術(shù)、應(yīng)用與發(fā)展簡(jiǎn)析
碳化硅(SiC)是一種具有優(yōu)異物理特性的半導(dǎo)體材料,其高電子飽和遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高電子飽和遷移率等特點(diǎn)使其在功率器件...
SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里
在我們的傳統(tǒng)印象中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開(kāi)關(guān)器件,而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車...
2023-12-16 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 931 0
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的演變(IGBT/SiC/GaN)
報(bào)告內(nèi)容包含: 效率和功率密度推動(dòng)變革 基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能 驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT(絕緣柵雙極晶...
與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅、鍺相比,第三代半導(dǎo)體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、高溫穩(wěn)定性好...
2023-12-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料SiC 3447 0
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰與抑制方法分析(上)
高頻、高速開(kāi)關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一,這能顯著提升系統(tǒng)效率,但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩,...
SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用,例如電動(dòng)汽車充電和牽引、儲(chǔ)能系統(...
Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對(duì)比研究
摘 要:針對(duì)Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問(wèn)題,給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法,并提供了具體的估算公式。以30k...
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