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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

什么是3D NAND閃存？

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之...

2023-03-30 標(biāo)簽：閃存 NAND Planar 3397 0

Linux SPI-NAND 驅(qū)動開發(fā)指南

Linux SPI-NAND 驅(qū)動開發(fā)指南 1 概述1.1 編寫目的1.2 適用范圍1.3 相關(guān)人員3 流程設(shè)計(jì)3.1 體系結(jié)構(gòu)3.2...

2023-03-06 標(biāo)簽：NAND 驅(qū)動 Linux 1857 0

一文了解SPI NAND Flash和SPI NOR Flash的區(qū)別

在嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域，作為存儲設(shè)備的NOR Flash和NAND Flash，大家應(yīng)該不陌生。早期NOR Flash的接口是并行口的形式，也就是把數(shù)...

2023-03-06 標(biāo)簽：NAND FlaSh 接口 7763 0

DRAM和NAND的局限性未來如何使用量子計(jì)算

“憑借先進(jìn)的封裝技術(shù)，一些公司已經(jīng)在 CPU 上堆疊 SRAM，”Lee 說。“但是在 3 級之后，我們可以有 4 級，一個(gè)額外的緩存層嗎？根據(jù)工作負(...

2023-02-19 標(biāo)簽：DRAM NAND cpu 598 0

常用存儲器介紹

存儲器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分。存儲器是用來存儲程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。基本的存儲器種類見圖21...

2023-02-15 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲器 2944 0

什么是按位運(yùn)算符

沒有位NAND或NOR運(yùn)算符。NAND或NOR操作是分別反轉(zhuǎn)AND或OR操作的結(jié)果，如~（m&n）。需要括號，以便先執(zhí)行AND運(yùn)算。

2023-02-09 標(biāo)簽：NAND 運(yùn)算符 and 1843 0

詳解三維NAND集成工藝（3D-NAND Integration Technology）

在20nm 工藝節(jié)點(diǎn)之后，傳統(tǒng)的平面浮柵 NAND 閃速存儲器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達(dá)到了微縮的極限。為了實(shí)現(xiàn)更高的存儲...

2023-02-03 標(biāo)簽：NAND 存儲器工藝 1.4萬 0

新型存儲技術(shù)：新型SCM類介質(zhì)的特性及使用方法的總結(jié)和介紹

Storage Class Memory (SCM)是非易失性內(nèi)存，該類介質(zhì)的存取速度略比內(nèi)存慢，但是遠(yuǎn)快于NAND類介質(zhì)。本文對該類介質(zhì)...

2023-01-15 標(biāo)簽：NAND 存儲器存儲技術(shù) 2750 0

NAND Flash接口的演進(jìn)史

從SD卡、手機(jī)、平板等消費(fèi)級產(chǎn)品到數(shù)據(jù)中心企業(yè)級場景，NAND Flash憑借其高性能、大容量、低功耗以及低成本等特性大受歡迎，是目前應(yīn...

2023-01-14 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲器 3502 0

雙極性直流電壓檢測器提供靈敏度和精度

工業(yè)和科學(xué)應(yīng)用中的一個(gè)重要功能是檢測安全聯(lián)鎖、自動定序器等中直流電壓的存在（或不存在）。為了檢測是否存在大的雙極性直流電平，當(dāng)檢波器的輸入...

2023-01-13 標(biāo)簽：NAND 檢測器運(yùn)算放大器 1529 0

企業(yè)級存儲盤中的操作特性

本工作發(fā)表于FAST 2022。首次基于一家主要存儲供應(yīng)商的近200萬個(gè)SSD的大量企業(yè)存儲系統(tǒng)，對生產(chǎn)使用中SSD的關(guān)鍵操作特...

2022-12-30 標(biāo)簽：NAND 存儲 SSD 985 0

金士頓DataTraveler Max閃存盤評測

目前金士頓DataTraveler Max閃存盤由256GB、512GB、1TB三種容量組成，還有方便與手機(jī)連接的Type-C版本（長度要短一些，只有8...

2022-12-21 標(biāo)簽：NAND SSD 金士頓 2256 0

淺談FeRAM存儲器市場情況

imec展示了一種基于鑭摻雜鋯酸鉿(La:HZO)的鐵電電容器。該電容器具有高耐久性（1011個(gè)周期）、高最終剩余極化強(qiáng)度（1.8MV/cm時(shí)2P R ...

2022-12-07 標(biāo)簽：NAND 存儲器 FeRAM 624 0

閃存的兩種架構(gòu)：NOR和NAND工作原理及應(yīng)用

NOR架構(gòu)的布線和結(jié)構(gòu)如下圖所示。每個(gè)記憶單元互相獨(dú)立，都有一段直連到地，組成一個(gè)類似NOR閘（或稱“或非門”）的電路。

2022-12-05 標(biāo)簽：閃存 NAND 1.5萬 0

DRAM和NAND預(yù)計(jì)將占汽車內(nèi)存收入的近90%

2021 年，獨(dú)立內(nèi)存市場規(guī)模高達(dá)1670億美元。占整個(gè)半導(dǎo)體市場的 28%。相比之下，汽車存儲器市場（2021 年為 43億美元）占全球存儲器市...

2022-12-02 標(biāo)簽：NAND 存儲器 1141 0

技術(shù)前沿：半導(dǎo)體存儲器

按照存儲介質(zhì)的不同，現(xiàn)代數(shù)字存儲主要分為光學(xué)存儲器、磁性存儲器和半導(dǎo)體存儲器三類。光學(xué)存儲器包括 CD、DVD 等。磁性存儲器包含磁帶、軟...

2022-12-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND FlaSh 3323 0

關(guān)于SiP/模塊技術(shù)介紹

　　拱形環(huán)形形成，具有良好的再現(xiàn)性。　　特定的形狀具有良好的再現(xiàn)性。　　需要采用最合適的電氣設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì...

2022-11-18 標(biāo)簽：NAND SiP 6028 0

NAND Flash非易失存儲器簡介

NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲等等，電腦...

2022-11-10 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲器 2460 0

ADALM2000實(shí)驗(yàn)：TTL逆變器和NAND門

自20世紀(jì)60年代首次生產(chǎn)出集成邏輯門以來，各種數(shù)字邏輯電路技術(shù)層出不窮。本次實(shí)驗(yàn)將研究晶體管-晶體管邏輯(TTL)電路逆變器(非門)和2輸...

2022-11-05 標(biāo)簽：NAND TTL 逆變器 1195 0

存儲器是半導(dǎo)體的重要市場之一，其約占據(jù)了半導(dǎo)體近1/3的市場份額。其中，從存儲芯片細(xì)分產(chǎn)品來看，DRAM和NAND Flash占據(jù)了存儲芯片95%以上的...

2022-10-25 標(biāo)簽：DRAM NAND FlaSh 1348 0

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云儲存

云儲存

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個(gè)好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

江波龍

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非易失性存儲器

非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
LPDDR4

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合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
福建晉華

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3D NAND Flash

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SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
SQL Server

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
FORESEE

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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
USB 3.0接口

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長鑫存儲

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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