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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

一文解析NAND的閃存接口ONFI

ONFI 由100多家制造、設(shè)計或使用 NAND 閃存的公司組成的行業(yè)工作組，其中包括主要成員如 Intel 和鎂光。該工作組旨在簡化將 NAND 閃存...

2024-04-03 標(biāo)簽：控制器 NAND 閃存芯片 9051 0

三星SSD存儲產(chǎn)品報價上漲25%，市場面臨新一輪價格調(diào)整

AI浪潮中數(shù)據(jù)中心建設(shè)如火如荼，相關(guān)存儲設(shè)備需求急速增長——近半個多月以來，基于NAND閃存的企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）產(chǎn)...

2024-04-02 標(biāo)簽：NAND 服務(wù)器 SSD 1051 0

請問3D NAND如何進(jìn)行臺階刻蝕呢？

在3D NAND的制造過程中，一般會有3個工序會用到干法蝕刻，即：臺階蝕刻，channel蝕刻以及接觸孔蝕刻。

2024-04-01 標(biāo)簽：NAND 光刻膠 1342 0

芯片制作流程分解說明

芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性，如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。

2024-03-25 標(biāo)簽：芯片 NAND 晶圓 1692 0

什么是無定形碳膜？為什么選碳作為3D NAND的硬掩模？

無定形碳膜（Amorphous Carbon Film），即非晶碳膜，指的是一種由碳原子構(gòu)成但沒有長程有序結(jié)構(gòu)的薄膜材料。

2024-03-22 標(biāo)簽：NAND PVD CVD 3513 0

NAND存儲種類和優(yōu)勢

非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器（Flash Memory）與只讀存儲器（Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NA...

2024-03-22 標(biāo)簽：閃存 NAND 非易失性存儲器 1295 0

有了2D NAND，為什么要升級到3D呢？

2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。

2024-03-17 標(biāo)簽：多晶硅 NAND FlaSh 1432 0

關(guān)于半導(dǎo)體價值鏈分析（設(shè)計、制造和后制造）

半導(dǎo)體價值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。

2024-02-19 標(biāo)簽：DRAM NAND 半導(dǎo)體制造 2006 0

復(fù)合門電路：與非門電路NAND電路圖

在邏輯電路中，二極管、晶體管等半導(dǎo)體器件也被用來作為開關(guān)元器件發(fā)揮著很大的作用。因為沒有接點，所以被稱作無接點繼電器。

2024-02-03 標(biāo)簽：繼電器電路圖 NAND 4425 0

邏輯非運(yùn)算——NOT電路分析

NOT門可以將輸入的邏輯狀態(tài)進(jìn)行反轉(zhuǎn)。當(dāng)需要將邏輯信號反轉(zhuǎn)為相反的狀態(tài)時，NOT門可以很方便地實現(xiàn)這一功能。

2024-02-03 標(biāo)簽：NAND 晶體管邏輯門電路 4754 0

正點原子emmc和nand的區(qū)別

正點原子（DFRobot）是一家專業(yè)從事電子產(chǎn)品和開源硬件的創(chuàng)新設(shè)計、研發(fā)和制造的公司。它生產(chǎn)了許多先進(jìn)的存儲設(shè)備...

2024-01-08 標(biāo)簽：NAND 開源硬件 emmc 3567 0

常見的存儲器及其應(yīng)用

LPDDR是在DDR的基礎(chǔ)上多了LP(Low Power)前綴,全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM，簡稱“低功耗內(nèi)存...

2024-01-02 標(biāo)簽：NAND 存儲器固態(tài)硬盤 1043 0

SSD常用術(shù)語的簡單介紹

SSD主要由控制單元和存儲單元組成，控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等，存儲單元主要是NAND FLASH顆粒。NAND FLASH內(nèi)部存儲...

2024-01-02 標(biāo)簽：控制器 DRAM NAND 2169 0

金士頓XS1000移動固態(tài)硬盤評測

隨著NAND閃存的降價，現(xiàn)在除了PC臺式機(jī)與筆記本電腦廣泛使用內(nèi)置SSD外，用戶的移動存儲設(shè)備也普遍從移動機(jī)械硬盤升級為了移動固態(tài)硬盤。而為了...

2023-12-28 標(biāo)簽：閃存 NAND 金士頓 1933 0

致態(tài)Ti600 4TB SSD測評

前段時間長江存儲旗下的致態(tài)推出了首款QLC SSD，Ti600。Ti600之前已推出了500GB、1TB、2TB 3個容量配置，現(xiàn)在Ti600 又加推了...

2023-12-25 標(biāo)簽：NAND 內(nèi)存 SSD 1678 0

什么是UFS？UFS需要做哪些仿真？UFS的發(fā)展史、組成及特點

UFS（Universal Flash Storage）即通用閃存存儲，是一種將Nand Flash和Flash controller 協(xié)議接口封裝在一...

2023-12-22 標(biāo)簽：NAND FlaSh 仿真 4.2萬 0

例說Verilog HDL和VHDL區(qū)別

Verilog和VHDL之間的區(qū)別將在本文中通過示例進(jìn)行詳細(xì)說明。對優(yōu)點和缺點的Verilog和VHDL進(jìn)行了討論。

2023-12-20 標(biāo)簽：NAND asic VHDL語言 5083 0

STM32用一線式驅(qū)動SD NAND，SDIO的一線式驅(qū)動

SDIO（Secure Digital Input/Output）是一種用于在嵌入式系統(tǒng)中連接外部設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)接口。在SDIO標(biāo)準(zhǔn)中...

2023-12-19 標(biāo)簽：芯片嵌入式 NAND 1383 0

一文詳解SSD中的掉電保護(hù)（熱插拔）原理

作為企業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)NVMe塊設(shè)備接口的固態(tài)硬盤固件，需要保證在存儲系統(tǒng)遇到異常掉電的情況下，或?qū)ΡP進(jìn)行熱插拔操作的情況下，...

2023-12-12 標(biāo)簽：Nand 熱插拔 SSD 1.3萬 0

先進(jìn)封裝技術(shù)在三維閃存中的應(yīng)用

近年來，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和 5G 等技術(shù)的蓬勃發(fā)展和應(yīng)用，市場對數(shù)據(jù)處理以及存儲的需求逐漸增大。根據(jù) IDC 預(y...

2023-12-08 標(biāo)簽：閃存 NAND FlaSh 1092 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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