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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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? 面向消費(fèi)者的便攜式儲能是儲能市場新的藍(lán)海分支,一方面行業(yè)正處于高速發(fā)展期,另一方面產(chǎn)品具有消費(fèi)品屬性。便攜式儲能又稱“大號充電寶”“戶...
使用并聯(lián)功率MOSFETS的要點(diǎn)和范例
引言:雙極晶體管由于是基極電流驅(qū)動,因此電流平衡容易被基極-發(fā)射極電壓VBE的波動所破壞,使得并聯(lián)連接均衡變得困難。而功率MOS是由電壓驅(qū)動的,因此只需.....
Vdmos(垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)和MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件,它們在結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīn...
開關(guān)電源切載時MOS會有過充怎么辦?快來試試這個方法!
開關(guān)電源切載時MOS會有過充怎么辦?快來試試這個方法!我本次調(diào)試的樣機(jī)主控IC為思睿達(dá)主推的成都啟臣微的CR6842S,這是一款高度集成的電流控制型PW...
2024-09-24 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS轉(zhuǎn)化器 1099 0
廣電計(jì)量|功率場效應(yīng)管過壓失效機(jī)理及典型特征分析
失效分析最常觀察到的現(xiàn)象是EOS過電失效,分為過壓失效及過流失效的兩種失效模式。對于以功率器件為代表的EOS過電失效樣品,其失效表征往往表現(xiàn)為芯片的大面...
2024-09-18 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS失效機(jī)理 1348 0
系統(tǒng)寄生參數(shù)對SiC器件開關(guān)的影響分析
*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/本文分析了系統(tǒng)寄生參數(shù)對SiC(碳化硅)器件使用的影響。本文還研究了SiCMOS開關(guān)開通時的過流機(jī...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件,它們在許多應(yīng)用中都有廣泛的應(yīng)用。 ...
2024-08-07 標(biāo)簽:MOS半導(dǎo)體材料雙極晶體管 1031 0
MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,具有許多重要特性,如高輸入阻抗、低功耗、易于集成等。MOS的開啟電壓(V...
2024-08-01 標(biāo)簽:電子設(shè)備MOS半導(dǎo)體器件 4707 0
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,晶體管是實(shí)現(xiàn)信號放大、開關(guān)控制等功能的關(guān)鍵元件。隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展,晶體管的尺寸...
在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,保護(hù)板是一種重要的組件,它能夠保護(hù)電池在過充、過放、過流、短路等情況下不受損害。保護(hù)板通常由一些電子元件組成,如...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件,其導(dǎo)電狀態(tài)主要受柵極電壓的控制。它具有許多優(y...
2024-07-25 標(biāo)簽:MOS電子電路半導(dǎo)體器件 1468 0
其利天下技術(shù)·如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉?·BLDC驅(qū)動方案開發(fā)
關(guān)于MOS管驅(qū)動電路設(shè)計(jì),本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉。一般認(rèn)為MOSFET(MOS管)是電壓驅(qū)動的,不需要驅(q...
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor,金屬氧化物半導(dǎo)體)是一種廣泛應(yīng)用于電子器件的半導(dǎo)體材料,其開啟電壓(Threshold Vo...
mos驅(qū)動芯片失調(diào)電壓的產(chǎn)生原因
MOS驅(qū)動芯片,也稱為MOSFET驅(qū)動芯片,是一種用于驅(qū)動MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的集成電路。 MOSFET簡介 MOSFET...
2024-07-14 標(biāo)簽:MOS場效應(yīng)晶體管驅(qū)動芯片 1227 0
mos驅(qū)動芯片需關(guān)注的參數(shù)有哪些
MOS驅(qū)動芯片是一種用于驅(qū)動MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的集成電路,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、...
2024-07-14 標(biāo)簽:集成電路MOS場效應(yīng)晶體管 1400 0
IU5051E內(nèi)置15A高效率MOS,18V輸出DCDC升壓芯片,對標(biāo)CS50363
IU5051E內(nèi)置15A高效率MOS,18V輸出DCDC升壓芯片,對標(biāo)CS50363
兼容IP5303 IP5305 1A同步升壓 移動電源管理方案
TP4333是一款專為移動電源設(shè)計(jì)的同步升壓的單芯片解決方案,內(nèi)部集成了線性充電管理模塊、同步放電管理模塊、電量檢測與LED指示模塊、保護(hù)模塊。TP43...
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