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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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瞬態(tài)按捺二極管(瞬態(tài)電壓按捺器)(TVS)的作業(yè)原理與(壓二極管又名齊納二極管)穩(wěn)壓二極管相同,但構(gòu)造上有差別。其最大的差別是通常穩(wěn)壓二極管構...
CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET:高速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力
摘要:CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET,采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力,...
2023-06-08 標(biāo)簽:MOSFETMOS高速開關(guān) 1.7k 0
帶電粒子輻射作為主要的空間輻射環(huán)境,是引起航天器故障的重要原因之一。因此,分析空間輻射環(huán)境對航天器的具體影響,并針對性開展抗輻射加固設(shè)計,是航天器設(shè)計的.....
ASDM40P55KQ還具備其他令人印象深刻的特性。它具有低開關(guān)電阻和快速開關(guān)速度,可以在高電流負(fù)載下提供穩(wěn)定和可靠的性能。通過使用ASDM40P55K...
2023-06-03 標(biāo)簽:MOSFET電源管理負(fù)載開關(guān) 1.2k 0
引言:開路集電極開關(guān)和開路發(fā)射極開關(guān)也叫負(fù)載串聯(lián)型開關(guān),前者是負(fù)載串聯(lián)在集電極,后者是負(fù)載串聯(lián)在...
2023-06-01 標(biāo)簽:led開關(guān)電路晶體管 2.1k 0
可關(guān)斷、低噪聲MOS型LDO AiP76XX系列簡介
中微愛芯AiP76XX系列是支持最大輸出電流為300mA的MOS型LDO。該系列LDO具有低噪聲和高PSRR等特點,并且?guī)в嘘P(guān)斷功能,關(guān)斷電流<1uA,...
5V2.4A個護(hù)小家電開關(guān)電源芯片U6773V
消費者對于美妝個護(hù)的需求越來越精細(xì)化,隨之誕生了許多細(xì)分品類:腰頸按摩儀、吹風(fēng)機、鏟皮機、洗臉儀、脫毛儀、美容儀等等,絕對是小家電賽道表現(xiàn)最堅挺的品類之...
2023-05-20 標(biāo)簽:控制器MOS開關(guān)電源芯片 788 0
為了提高電網(wǎng)的功率因數(shù),減少干擾,平板電視的大多數(shù)電源都采用了有源PFC電路,盡管電路的具體形式繁多,不盡相同,工作模式也不一樣(CCM電流連續(xù)型、DC...
2023-05-18 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電源PFC 2.5k 0
電池管理系統(tǒng)(BatteryManagement System,BMS)的作用是智能化管理及維護(hù)各個電池單元,防止電池出現(xiàn)過放和過充,延長電池的使用壽命...
2023-05-15 標(biāo)簽:電池管理系統(tǒng)MOS硬件設(shè)計 9.1k 2
適用于LLC變壓器,其特征在于,包括:第一MOS開關(guān)管、第二MOS開關(guān)管、第一電容、電感和至少兩個變壓器;所述變壓器的原邊串聯(lián)、副邊并聯(lián);所述第一MOS...
本節(jié)開始我們將開啟電路與器件的內(nèi)容,主要是看如何通過電路與器件來實現(xiàn)前面的邏輯關(guān)系。本小節(jié)主要會聚焦在MOS管特性,由MOS管搭建的簡單邏輯器件,...
探討筆記本從文字處理工具到錄音室級通信設(shè)備的轉(zhuǎn)型及背后的技術(shù)
將麥克風(fēng)集成到筆記本電腦中,標(biāo)志著這些機器從簡單的文字處理器和數(shù)字運算設(shè)備變成了通信平臺。
本文介紹了MOS晶體管的基礎(chǔ)知識,以期更好地了解此類晶體管中可能發(fā)生的漏電流。 MOS晶體管正在縮小,以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致了...
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