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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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源漏擴展結(jié)構(gòu)(Source/Drain Extension,SDE)在控制 MOS 器件的短溝道效應(yīng)中起到重要作用。SDE(源漏擴展結(jié)構(gòu))引入了一個...
為了有效抑制短溝道效應(yīng),提高柵控能力,隨著MOS結(jié)構(gòu)的尺寸不斷降低,就需要相對應(yīng)的提高柵電極電容。提高電容的一個辦法是通過降低柵氧化層的厚度來達到這一目.....
LM5110系列 具有 4V UVLO、專用輸入接地和關(guān)斷輸入的 5A/3A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM5110 雙通道柵極驅(qū)動器以改進的峰值取代了行業(yè)標準柵極驅(qū)動器 輸出電流和效率。每個“復(fù)合”輸出驅(qū)動器級包括 MOS 和雙極 并聯(lián)工作的晶體管,...
LM5112-Q1系列 具有 4V UVLO 和專用輸入接地的汽車類 7A/3A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM5112 器件 MOSFET 柵極驅(qū)動器采用微型 6 引腳 WSON 封裝(相當于 SOT-23 封裝)或 8 引腳裸露焊盤 MSOP 封裝,可提供...
SM72482 雙 5A 復(fù)合柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
SM72482 Dual Gate Driver 以改進的峰值取代了行業(yè)標準的柵極驅(qū)動器 輸出電流和效率。每個“復(fù)合”輸出驅(qū)動器級包括 MOS 和雙極 ...
SM74101 3-A/7-A 單通道柵極驅(qū)動器,帶輸入接地數(shù)據(jù)手冊
SM74101 MOSFET 柵極驅(qū)動器在微型 WSON-6 中提供高峰值柵極驅(qū)動電流 封裝(相當于 SOT23 的封裝),具有更高的高頻所需的功率耗散...
無刷驅(qū)動設(shè)計——淺談MOS驅(qū)動電路
前言上周末,在調(diào)試無刷電機驅(qū)動的時候總是莫名其妙的炸管,心態(tài)都搞沒了,實在沒辦法了只好在CSDN和B站大學(xué)重新學(xué)習(xí)了相關(guān)理論知識,...
由于芯片結(jié)構(gòu)的改變,超結(jié)MOS的結(jié)電容比傳統(tǒng)MOS有很大的降低,超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻,在相同的芯片面積下,超結(jié)MO...
靜音省電新標桿!仁懋MOS如何讓家用風(fēng)扇能效飆升?
在智能家居普及的今天,消費者對家用風(fēng)扇的要求早已超越基礎(chǔ)送風(fēng)功能,面臨的問題如下能效焦慮:傳統(tǒng)MOS導(dǎo)通損耗高,三級能效產(chǎn)品年耗電超...
LM5026系列 具有 P 或 N 通道箝位FET和CS重啟定時器的100V有源箝位電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊
LM5026 PWM 控制器包含實現(xiàn)電源所需的所有 特性 轉(zhuǎn)換器采用具有電流模式控制的有源箝位和復(fù)位技術(shù)。使用 與有源鉗位技術(shù)相比,可以實現(xi...
2025-04-03 標簽:轉(zhuǎn)換器MOS電流模式 223 0
隨著電動叉車向高效化、輕量化、長續(xù)航方向發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件的選擇對系統(tǒng)性能影響顯著。仁懋TOLL封裝的MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻(RDS(on))、...
電氣符號傻傻分不清?一個N-MOS管和P-MOS管驅(qū)動應(yīng)用實例
MOS管在電路設(shè)計中是比較常見的,按照驅(qū)動方式來分的話,有兩種,即:N-MOS管和P-MOS管。MOS管跟三極管的驅(qū)動方式有點類似,但又不完全相同,那么...
三極管開關(guān)電路設(shè)計思路假設(shè)成真,還要保證啥條件?
本文只介紹作為開關(guān)管使用時的電路設(shè)計介紹電路之前,我們需要了解一下壓控和流控的概念壓控:是指電壓作為控制信號,理想狀態(tài)下,對于MOS只要VGS的電壓滿足...
2025-03-08 標簽:三極管開關(guān)電路MOS 922 0
LP38851 具有啟用功能的 800mA、低 VIN (0.915V)、可調(diào)超低壓差穩(wěn)壓器
LP38851-ADJ 是一款大電流、快速響應(yīng)穩(wěn)壓器,能夠以極低的輸入至輸出電壓降保持輸出電壓調(diào)節(jié)。該器件采用 CMOS 工藝制造,采用兩種輸入電壓工作.....
從焊接虛焊到靜電擊穿:MDDMOS管安裝環(huán)節(jié)的問題
在電子制造中,MDDMOS管的安裝環(huán)節(jié)暗藏諸多風(fēng)險。某智能手表產(chǎn)線因焊接虛焊導(dǎo)致30%的MOS管失效,返工成本超百萬。本文MDD通過典型故障案例...
驅(qū)動電路設(shè)計踩坑錄:MDDMOS管開關(guān)異常的診斷與修復(fù)
在電力電子系統(tǒng)中,MDDMOS管的開關(guān)異常往往導(dǎo)致效率驟降、EMI超標甚至器件損毀。某新能源汽車OBC模塊因驅(qū)動波形振蕩引發(fā)MOS管過熱,導(dǎo)...
MDD辰達半導(dǎo)體MDD100N03D 先進Trench工藝N溝道的大電流低內(nèi)阻MOS
? 在智能家居和電動工具領(lǐng)域,電機驅(qū)動的效率與可靠性直接決定了用戶體驗。無論是洗地機的強勁動力、掃地機器人的持久續(xù)航,還是電動工具的高效作業(yè),都離不開一...
MOS管發(fā)燙嚴重:從散熱設(shè)計到驅(qū)動波形的優(yōu)化實戰(zhàn)
在電機驅(qū)動、電源轉(zhuǎn)換等場景中,MDDMOS管嚴重發(fā)熱是工程師面臨的常見挑戰(zhàn)。某工業(yè)伺服驅(qū)動器因MOS管溫升達105℃,導(dǎo)致系統(tǒ...
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