完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
文章:4050個(gè) 瀏覽:254014次 帖子:482個(gè)
汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中的智能IGBT設(shè)計(jì)案例
用于點(diǎn)火線圈充電的開關(guān)元件已經(jīng)歷了很大演變:從單個(gè)機(jī)械開關(guān)、分電器中的多個(gè)斷電器觸點(diǎn),到安裝在分電器中或單獨(dú)...
將電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的IGBT功率損耗降至最低
在此應(yīng)用中IGBT的總功率損耗包含導(dǎo)通損耗、導(dǎo)電損耗、關(guān)閉損耗及二極管損耗。二極管損耗在總功率損耗中所占比例可以忽略不計(jì),而如果使用了零電壓開關(g...
2013-12-18 標(biāo)簽:IGBT 2354 0
基于PCI-9846H的死區(qū)時(shí)間引起的電壓波形畸變的研究
本文利用基于PCI-9846H的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)完成了對(duì)電機(jī)電量與非電量的采集,試驗(yàn)結(jié)果表明基于PCI-9846H的數(shù)據(jù...
2013-12-10 標(biāo)簽:IGBTA/D轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) 3075 0
兼顧高耐壓與低Vce(sat)性能的650V場(chǎng)截止溝槽式IGBT受熱捧
絕緣閘雙極電晶體(IGBT)是一種少數(shù)載子功率元件,擁有高輸入阻抗和高雙極電流功能,這些特性使其適用于多種電力電子產(chǎn)品,特別是馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、不斷電系統(...
2013-08-28 標(biāo)簽:IGBT 2072 0
加速線上工具的功率級(jí)設(shè)計(jì),助力IGBT特性分析功能提升
為讓電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員在最短時(shí)間內(nèi),完成新一代絕緣閘雙極電晶體(IGBT)元件特性評(píng)估作業(yè),功率半導(dǎo)體業(yè)者研發(...
2013-08-15 標(biāo)簽:IGBT 1067 0
電動(dòng)車低速過(guò)載工況下IGBT動(dòng)態(tài)溫升分析
介紹了如何用英飛凌IPOSIM仿真工具對(duì)過(guò)載輸出時(shí)IGBT模塊結(jié)溫進(jìn)行仿真,以及不同工況下IGBT瞬時(shí)結(jié)溫的仿真結(jié)果。本...
2013-07-23 標(biāo)簽:IGBTEV過(guò)載可靠性瞬態(tài)熱阻 9293 0
淺談大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過(guò)流保護(hù)方案
在工業(yè)應(yīng)用中,一般都是利用這些瞬時(shí)過(guò)電流保護(hù)信號(hào),通過(guò)觸發(fā)器時(shí)序邏輯電路的記憶功能,構(gòu)成記憶鎖定保護(h...
針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器
對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言,可再生能源電子細(xì)分市場(chǎng)是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競(jìng)技場(chǎng)。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)...
2013-04-19 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 1592 0
淺談功率半導(dǎo)體的技術(shù)與未來(lái)產(chǎn)業(yè)發(fā)展
經(jīng)過(guò)了很長(zhǎng)一段時(shí)間的發(fā)展,功率半導(dǎo)體在相關(guān)電源電路中的應(yīng)用已經(jīng)不可替代。尤其是在當(dāng)前太陽...
2013-02-25 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1.2萬(wàn) 0
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng),控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高的優(yōu...
IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此,英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)計(jì)應(yīng)用功率或各自額定電流水平...
如何實(shí)現(xiàn)IGBT的軟開關(guān)的應(yīng)用開發(fā)
正常IGBT的工作頻率在10—20kHz,其開關(guān)速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速中,它是較好的選擇。它在中小容量裝置中淘汰功率雙極晶體.....
如今市場(chǎng)上先進(jìn)功率元件的種類數(shù)不勝數(shù),工程人員要為一項(xiàng)應(yīng)用選擇到合適的功率元件,的確是一項(xiàng)艱巨的工作。就以太陽(y...
IR Gen8 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)為工業(yè)應(yīng)用提升效率及耐用性
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 (Gen8...
摘要: 現(xiàn)在市面上常見(jiàn)的UPS類型有后備式UPS、在線互動(dòng)式UPS以及在線式UPS,眾多的品牌和廠商對(duì)其產(chǎn)品賣點(diǎn)的吹捧,使用戶在U...
IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器: TLP2451
隨著系統(tǒng)尺寸的進(jìn)一步減小,封裝密度進(jìn)一步升高,工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域?qū)δ芷骷母邷夭僮餍枨笤絹?lái)越大。東芝新推出一系列采用小型SO8...
Ansoft軟件在HEV/EV市場(chǎng)的應(yīng)用
面對(duì)高度競(jìng)爭(zhēng)化的混合動(dòng)力車和電動(dòng)汽車(HEV/EV)市場(chǎng),動(dòng)力集成研發(fā)工程師正在向更高的系統(tǒng)效...
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 近日推出針對(duì)感應(yīng...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題 教程专题
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |