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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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逆變器中的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)模塊在電力電子領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。其作...
電壓型逆變器是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的電力電子設(shè)備。在電壓型逆變器中,無功能量主要是指在開關(guān)器件導(dǎo)通和關(guān)斷過程中產(chǎn)生的電壓和...
淺談瑞能逆導(dǎo)IGBT助推感應(yīng)加熱的卓越實(shí)力
以電磁爐為例,利用交變電流通過線圈產(chǎn)生方向不斷改變的交變磁場(chǎng),處于交變磁場(chǎng)中的導(dǎo)體的內(nèi)部將會(huì)出現(xiàn)渦旋電流,渦旋電流的焦...
2024-06-19 標(biāo)簽:IGBT感應(yīng)加熱瑞能半導(dǎo)體 767 0
高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜是一種廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域的電氣設(shè)備,主要用于高壓電動(dòng)機(jī)的啟動(dòng)。它通過采用先進(jìn)的...
為什么使用 S 參數(shù)進(jìn)行功率模塊優(yōu)化更有優(yōu)勢(shì)?
功率模塊是一種采用絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為開關(guān)元件的高功率開關(guān)電路,廣泛應(yīng)用于電動(dò...
在現(xiàn)代電動(dòng)車輛和電力電子領(lǐng)域,電機(jī)控制器扮演著至關(guān)重要的角色,它負(fù)責(zé)控制電機(jī)的運(yùn)行,確保車輛或其他設(shè)...
電驅(qū)逆變器模塊連續(xù)工作測(cè)溫系統(tǒng)的開發(fā)步驟和過程
摘要 本文提出一個(gè)用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案,該分析方法是采用紅外熱像儀直接測(cè)量每顆...
隨著科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)已成為當(dāng)今電子設(shè)備不可或缺的核心技術(shù)之一。而在眾多半導(dǎo)體器件中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)以其高效...
MOS管和IGBT是現(xiàn)代電子技術(shù)中兩種非常重要的半導(dǎo)體器件,它們?cè)陔娏﹄娮印⒛芰哭D(zhuǎn)換、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng...
EconoDUAL?3是一款經(jīng)典的IGBT模塊封裝,其上一代的1700V系列產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于級(jí)聯(lián)型中高壓變頻器、靜止無功發(fā)...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,在電力電子領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。在IGBT的開關(guān)過程中,上下橋臂的關(guān)斷尖峰現(xiàn)象是影響器...
2024-05-29 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 1.6萬 0
為什么使用 S 參數(shù)進(jìn)行功率模塊優(yōu)化更有優(yōu)勢(shì)?
? 功率模塊是一種采用絕緣柵雙極性晶體管 (IGBT) 或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為開關(guān)元件的高功率開關(guān)電路,廣泛應(yīng)用于電...
圖5-14所示是采用IGBT過流時(shí)UCE增大的原理構(gòu)成的保護(hù)電路,該電路采用IGBT專用驅(qū)動(dòng)器EXB841。
2024-05-24 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器比較器IGBT 2.2萬 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管,是一種先進(jìn)的電力電子器件。IGBT芯片結(jié)合了MOS...
600V/15A三相全橋驅(qū)動(dòng)智能功率模塊-DPM15C60DG1概述
DPM15C60 是一款三相 IGBT 逆變器模塊,內(nèi)置 IGBT 及其柵驅(qū)動(dòng)芯片,可用于無刷直流電機(jī)、永磁無刷電機(jī)等的驅(qū)動(dòng)。
淺析IGBT并聯(lián)技術(shù)-并聯(lián)方法分類
IGBT并聯(lián)可以分為“硬并聯(lián)”及“橋臂并聯(lián)”2大類。
2024-05-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBTbuck電路 2.2萬 0
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