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標(biāo)簽 > sram
SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。
一種是置于cpu與主存間的高速緩存，它有兩種規(guī)格：一種是固定在主板上的高速緩存（Cache Memory）；另一種是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）擴(kuò)充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內(nèi)部也有較小容量的128字節(jié)SRAM，存儲我們所設(shè)置的配置數(shù)據(jù)。還有為了加速CPU內(nèi)部數(shù)據(jù)的傳送，自80486CPU起，在CPU的內(nèi)部也設(shè)計(jì)有高速緩存，故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1 Cache是建在CPU的內(nèi)部，L2 Cache是設(shè)計(jì)在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時設(shè)計(jì)在CPU的內(nèi)部，故Pentium Pro的體積較大。Pentium Ⅱ又把L2 Cache移至CPU內(nèi)核之外的黑盒子里。SRAM顯然速度快，不需要刷新操作，但是也有另外的缺點(diǎn)，就是價格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。
SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。SRAM的優(yōu)點(diǎn)是較高的性能、功耗低，缺點(diǎn)是集成度低。
一種是置于cpu與主存間的高速緩存，它有兩種規(guī)格：一種是固定在主板上的高速緩存（Cache Memory）；另一種是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）擴(kuò)充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內(nèi)部也有較小容量的128字節(jié)SRAM，存儲我們所設(shè)置的配置數(shù)據(jù)。還有為了加速CPU內(nèi)部數(shù)據(jù)的傳送，自80486CPU起，在CPU的內(nèi)部也設(shè)計(jì)有高速緩存，故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1 Cache是建在CPU的內(nèi)部，L2 Cache是設(shè)計(jì)在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時設(shè)計(jì)在CPU的內(nèi)部，故Pentium Pro的體積較大。Pentium Ⅱ又把L2 Cache移至CPU內(nèi)核之外的黑盒子里。SRAM顯然速度快，不需要刷新操作，但是也有另外的缺點(diǎn)，就是價格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。
TPS23880 4 對、4 型、8 通道 PoE PSE，帶可編程 SRAM數(shù)據(jù)手冊
該TPS23880是一款 8 通道供電設(shè)備 （PSE） 控制器，旨在根據(jù) IEEE 802.3bt 標(biāo)準(zhǔn)將電源插入以太網(wǎng)電纜。八個單獨(dú)的電...
【Nordic博文分享系列】新一代nRF54L系列：你關(guān)心的對比評測來了！
談到nRF54L系列，22nm工藝節(jié)點(diǎn)在降低功耗方面發(fā)揮了一定的作用，但功耗改進(jìn)主要源于這無線SoC/MCU的設(shè)計(jì)對系統(tǒng)級功耗的全...
一般我們開發(fā)MCU自帶的SRAM，對一般應(yīng)用來說，已經(jīng)夠用了，但是對于內(nèi)存需求較高的場合，比如跑GUI或者算法等，自帶的內(nèi)存會就不夠用，這個時候就要...
基于恩智浦i.MX RT芯片內(nèi)部RAM運(yùn)行LVGL工程
隨著越來越多用戶選擇i.MX RT系列芯片制作產(chǎn)品，產(chǎn)品的需求以及芯片的用法也越來越多。本文將介紹在i.MX RT平臺中，如何創(chuàng)建LVGL項(xiàng)目并將...
本文要點(diǎn)提示：? ? ? ? ?? 1. DRAM 的工作原理圖文解說，包括讀寫以及存儲；? ? ? ? ? 2. 揭秘DRAM便宜但SRAM貴之謎。?...
DS1321靈活的非易失控制器，帶有鋰電池技術(shù)手冊
帶鋰電池監(jiān)控器的DS1321靈活非易失性控制器是一款CMOS電路，解決了將CMOS SRAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)...
DS1747 Y2K兼容、非易失時鐘RAM技術(shù)手冊
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對...
DS1744系列Y2K兼容、非易失時鐘RAM技術(shù)手冊
DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時時鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字...
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電...
DS1249AB 2048k非易失SRAM技術(shù)手冊
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰...
類別：IC datasheet pdf 2025-04-25 標(biāo)簽：微控制器存儲器sram
如今我們所生活的互聯(lián)世界依賴于數(shù)以億計(jì)的芯片。社會正常運(yùn)轉(zhuǎn)所需的芯片數(shù)量之大，令人驚嘆，因此保護(hù)芯片安全的技術(shù)至關(g...
應(yīng)用在智能指紋門鎖領(lǐng)域中具有嵌入式SRAM的指紋芯片
指紋鎖的工作原理是通過指紋傳感器采集指紋圖像，微處理器處理數(shù)據(jù)并與預(yù)存模板比對，匹配成功則驅(qū)動機(jī)械裝置解鎖。指紋鎖是通過電子部件及機(jī)械部件的精密組合而...
S56404L 作為 64Mb Quad-SPI Pseudo-SRAM 芯片，針對傳統(tǒng)藍(lán)牙音頻設(shè)備在續(xù)航、延遲、空間等方面的瓶頸，通過多項(xiàng)創(c...
CSS6404L 在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的應(yīng)用優(yōu)勢
物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備對存儲芯片的需求聚焦于低功耗、小尺寸、高可靠性與傳輸效率，Cascadeteq 的 CSS6404L 64Mb Quad-SPI Pseudo...
2025-06-06 標(biāo)簽：傳感器sram物聯(lián)網(wǎng) 230 0
近期受晶圓廠委托， 季豐在執(zhí)行完SRAM芯片在中子輻射下SER測試后， 通過對SRAM芯片的深入研究，對測試失效數(shù)據(jù)的分析，將邏輯失效地址成功轉(zhuǎn)換為物理...
MCU片上RAM是微控制單元（MCU）中集成于芯片內(nèi)部的隨機(jī)存取存儲器，主要用于程序運(yùn)行時的數(shù)據(jù)存儲與高速讀寫操作。以下是其核心要點(diǎn)： 一、定...
具有大型嵌入式SRAM，用于一般MCU應(yīng)用程序的指紋芯片-P1032BF1
P1032BF1是一款基于ARM Cortex-M3的單片機(jī)，專為Wi-Fi /藍(lán)牙通信控制而設(shè)計(jì)；能夠?qū)崿F(xiàn)指紋的圖像采集、特征提取、特征比對，...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）近幾年，生成式AI引領(lǐng)行業(yè)變革，AI訓(xùn)練率先崛起，帶動高帶寬內(nèi)存HBM一飛沖天。但我們知道AI推理的...
羅徹斯特電子拓寬與ISSI的合作，擴(kuò)展產(chǎn)品可用性
在過去的二十年中，SRAM存儲器市場發(fā)生了巨大變化；技術(shù)進(jìn)步使得許多分立的SRAM被更高性價比的集成方案所取代。諸如賽普拉斯(Cypress)、GSI、...
SM16169內(nèi)置SRAM PWM恒流驅(qū)動IC 輸出電流2~30mA
SM16169 是一款專為LED顯示屏設(shè)計(jì)的高性能、高刷新率的恒流驅(qū)動芯片，它采用了SM-PWM（Sub-Multiplex Pulse Width M...
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