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標簽 > MOS管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管,叫做場效應管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(N溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。
場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)。因為MOS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應用場合取代了雙極型晶體管。
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管,叫做場效應管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(N溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。
場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)。因為MOS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應用場合取代了雙極型晶體管。
近年來,隨著科技的飛速發(fā)展,人們對生活品質(zhì)的要求越來越高,智能家居的需求日益旺盛。這種需求推動了人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的革命性飛躍,使得“解放雙手”...
產(chǎn)品推薦 | MOS管在電動工具產(chǎn)品上的應用
電動工具的定義及結(jié)構(gòu)電動工具是由電力驅(qū)動的工具,可以通過電池、電源或電動機來提供動力。電動工具的發(fā)明和應用在現(xiàn)代工業(yè)和生活中起到了重要的作用。在...
本文解析了MOS管作為開關(guān)的正確連接方法,包括其基本原理和連接技巧。通過比較NMOS和PMOS的接法差異,工程師發(fā)現(xiàn)負載位置的關(guān)鍵性選擇對導通可靠性至關(g...
【案例2.36】芯片啟動異常的故障分析在某產(chǎn)品的調(diào)試中發(fā)現(xiàn),板上核心處理芯片在每次啟動后的表現(xiàn)不同,偶爾會出現(xiàn)無法啟動的故障。經(j...
本文探討了柵極串聯(lián)電阻在MOS管設(shè)計中的重要作用,指出其在防止電流尖峰、保護驅(qū)動芯片和電磁干擾等方面的關(guān)鍵作用。此外,文章還強調(diào)了參數(shù)選...
2025-06-27 標簽:串聯(lián)電阻MOS管寄生電容 257 0
在電力電子系統(tǒng)中,MOS管并聯(lián)能有效提升電流承載能力,但需要精準匹配參數(shù),如導通電阻與閾值電壓。應選擇熱特性相近的器件進行組配,并采用門極驅(qū)動芯片配合R...
多管并聯(lián)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計中,驅(qū)動電阻配置對系統(tǒng)運行效率和可靠性至關(guān)重要。驅(qū)動電阻的大小決定了開關(guān)速度、功率損耗和...
本文主要探討了MOS管驅(qū)動電路的幾種常見方案,包括電源IC直接驅(qū)動、推挽電路協(xié)同加速、隔離型驅(qū)動等。電源IC直接驅(qū)動的簡約哲學適合小容量MOS管,但需要...
中低壓MOS管MDDG10R20D數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-07-10 標簽:MOS管
中低壓MOS管MDDG10R08P數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-07-10 標簽:MOS管
中低壓MOS管MDDG10R08G數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-07-10 標簽:MOS管
中低壓MOS管MDDG10R08D數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-07-10 標簽:MOS管
中低壓MOS管MDDG10R04P數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-07-10 標簽:MOS管
中低壓MOS管MDDG10R04B數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-07-10 標簽:MOS管
中低壓MOS管MDDG06R10Q數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-07-10 標簽:MOS管
中低壓MOS管MDDG06R10G數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-07-10 標簽:MOS管
中低壓MOS管MDDG06R06D數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-07-10 標簽:MOS管
中低壓MOS管MDDG06R03P數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-07-10 標簽:MOS管
合科泰N溝道MOSFET HKTG50N03在65W PD快充的應用
65W PD 快充幾乎已經(jīng)成為智能手機的標配了,但是快充所面臨的高效率、小體積、不燙手需求矛盾,仍然是工程師面臨的主要問題。傳統(tǒng)的快充同步整流方案效率不...
MOS管在無線充電模塊中扮演著核心角色,其應用貫穿于功率放大、電流調(diào)節(jié)、保護電路及逆變控制等關(guān)鍵環(huán)節(jié),具體應用場景及作用如下: 一、核心功能實現...
MOSFET是同步整流管在電路設(shè)計中的理想選擇,其優(yōu)異的低導通電阻(Rds(on))、快速的開關(guān)速度和可控性是實現(xiàn)高效、低損耗整流的關(guān)鍵。如何選...
音響功放電路的性能直接取決于核心功率器件的品質(zhì),其中可靠性、穩(wěn)定性和轉(zhuǎn)換效率是設(shè)計中最關(guān)鍵的考量因素。隨著音頻技術(shù)的發(fā)展,高保...
在液晶屏終端控制板中,USB接口用于連接上位機并接收下發(fā)的顯示命令。為確保USB接口通信的穩(wěn)定性,2N7002被用于控制USB接口的上拉電阻通斷,以便上...
飛虹MOS管FHP140N08V在DC-DC全橋拓撲電路中的應用
針對48V供電的太陽能離網(wǎng)工頻逆變器的領(lǐng)域,尤其是DC-DC全橋拓撲電路中,高效的電能轉(zhuǎn)換與功率密度提升極度依賴核心功率器件的精準選型。功率 MOSFE...
如何選擇合適的MOSFET封裝:TO-252與TO-263全面對比
TO-252和TO-263封裝的選擇需平衡空間、性能和成本。TO-252在小型化、低功率場景中具有成本優(yōu)勢,TO-263則在中高功率和高可靠性需求下表現(xiàn)...
在UPS不間斷電源中,高效的電能轉(zhuǎn)換依賴于核心功率器件的精準選型。MOS管與IGBT常應用于系統(tǒng)的不同電壓段與功能模塊,而MOS管憑借其極低的導通電阻和...
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