AFBR-S4N66C013 NUV-HD單硅光電倍增器
數據：
AFBR-S4N66C013：NUV-HD單硅光電倍增器
描述
Broadcom® AFBR-S4N66C013是一款單硅光電倍增管（SiPM），用于單光子的超靈敏精密測量。
有效面積為6.14倍; 6.14 mm 2 。使用穿硅通孔（TSV）技術實現單個芯片的高封裝密度。通過將多個AFBR-S4N66C013芯片平鋪到陣列中可以覆蓋更大的區域，幾乎沒有任何邊緣損耗。保護層由高度透明的玻璃制成，直至紫外波長，在可見光譜中產生廣泛響應，對光譜的藍光和近紫外區域具有高靈敏度。
特征
- 420 nm時的高PDE超過55％
- 高填充因子
- 優異的SPTR和CRT
- 優異的均勻性擊穿電壓
- 增益均勻性
- 采用TSV技術（4面可用）
- 尺寸6.14 × 6.14 mm 2 n細胞間距30次; 30微米 2
- 高度透明的玻璃保護層
- 工作溫度范圍從– 40°C到+ 85°C
- 符合RoHS和REACH
應用
- X射線和伽馬射線檢測
- 伽瑪射線光譜
- 安全性
- 核醫學
- 正電子發射斷層掃描
- 生命科學n流式細胞術
- 熒光–發光測量
- 時間相關單光子計數
- 高能物理學
- 天體物理學
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