發(fā)展到以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代以及以氧化鎵、氮化鋁為代表的第四代半導(dǎo)體。目前以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體器件正發(fā)展得如火如荼，在商業(yè)化道路上高歌猛進(jìn)。 ? 與此同時(shí)，第四代半導(dǎo)體材料的研究也頻頻取得
2023-04-02 01:53:36
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深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司，技術(shù)骨干來(lái)自清華大學(xué)和韓國(guó)延世大學(xué)，掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件國(guó)際領(lǐng)先的工藝，和第五代超快恢復(fù)功率二極管技術(shù)。薩科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
2023年，東芝半導(dǎo)體的功率器件銷售額估計(jì)約為1000億日元，其中35%用于汽車市場(chǎng)，20%用于工業(yè)市場(chǎng)。
2024-03-04 18:10:33307 將大幅調(diào)整，將有一連串人事新布局，兩位資深副總米玉杰、侯永清將增加不同領(lǐng)域歷練，第三代接班梯隊(duì)正式成軍。 魏哲家未來(lái)接任董事長(zhǎng)兼總裁，成為繼創(chuàng)辦人張忠謀后，臺(tái)積電擁有參與公司決策方針和統(tǒng)帥三軍大權(quán)的第二人。 據(jù)調(diào)查，臺(tái)積電首波
2024-03-04 08:56:47294 2月27日，第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用，由深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“重投天科”）建設(shè)運(yùn)營(yíng)，預(yù)計(jì)今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬(wàn)片
2024-02-29 14:09:14234 總計(jì)投資32.7億元人民幣的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地是中共廣東省委和深圳市委重點(diǎn)關(guān)注的項(xiàng)目之一，同時(shí)也是深圳全球招商大會(huì)的重點(diǎn)簽約項(xiàng)目。
2024-02-28 16:33:34336 。Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）基于平衡、高效的結(jié)構(gòu)，可提高芯體性能、儲(chǔ)存器和I/O帶寬，以加速?gòu)臄?shù)據(jù)中心到邊緣的各種工作負(fù)載。 這些器件采用Int
2024-02-27 11:58:54
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進(jìn)的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負(fù)載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進(jìn)的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能，設(shè)計(jì)用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
近日，中國(guó)證監(jiān)會(huì)正式披露了芯三代半導(dǎo)體科技（蘇州）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯三代”）首次公開發(fā)行股票并上市的輔導(dǎo)備案報(bào)告。這標(biāo)志著這家尖端半導(dǎo)體芯片制造設(shè)備公司正式踏上了資本市場(chǎng)的發(fā)展之路，將為中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起注入新的活力。
2024-02-25 17:57:40720 今日，小米召開主題為“新層次”的新品發(fā)布會(huì)，正式推出了小米14 Ultra手機(jī)。新機(jī)搭載第三代驍龍8移動(dòng)平臺(tái)，集小米領(lǐng)先技術(shù)于一身，帶來(lái)全方位跨越的新一代專業(yè)影像旗艦，讓真實(shí)有層次。
2024-02-23 09:17:36352 在清潔能源、電動(dòng)汽車的發(fā)展趨勢(shì)下，近年來(lái)第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵受到了史無(wú)前例的關(guān)注，市場(chǎng)以及資本都在半導(dǎo)體行業(yè)整體下行的階段加大投資力度，擴(kuò)張規(guī)模不斷擴(kuò)大。在過(guò)去的2023年，全球第三代半導(dǎo)體
2024-02-18 00:03:002542 服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)l GJB548B-2005微電子器件試驗(yàn)?法和程序l
2024-01-29 22:40:29
服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)廣電計(jì)量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù)，同時(shí)，我們也開展了間歇工作壽命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。
2024-01-24 16:42:04843 
第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導(dǎo)體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁帶寬度較大，又被 稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2024-01-23 10:06:04258 
據(jù)云塔科技消息，1月15日，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點(diǎn)專項(xiàng)“基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)芯片研究”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)暨實(shí)施方案論證會(huì)在云塔科技（安努奇）舉行。
2024-01-23 09:56:16448 為首的第三代半導(dǎo)體材料在這一趨勢(shì)下逐漸從科研走向產(chǎn)業(yè)化，并成為替代部分硅基功率器件的明確趨勢(shì)。然而，目前行業(yè)仍存在一些挑戰(zhàn)和改進(jìn)的空間。未來(lái)需要對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)進(jìn)行
2024-01-19 08:30:303696 
第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越，應(yīng)用場(chǎng)景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場(chǎng)景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較
2024-01-16 10:48:49314 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域的需求帶動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)近幾年高速增長(zhǎng)。盡管今年半導(dǎo)體經(jīng)濟(jì)不景氣，機(jī)構(gòu)投資整體更理性下，第三代半導(dǎo)體企業(yè)的融資仍加速狂飆
2024-01-09 09:14:331408 
第三代半導(dǎo)體以此特有的性能優(yōu)勢(shì)，在半導(dǎo)體照明、新能源汽車、新一代移動(dòng)通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。2020年9月，第三代半導(dǎo)體被寫入“十四五”規(guī)劃，在技術(shù)、市場(chǎng)與政策的三力驅(qū)動(dòng)下，近年來(lái)國(guó)內(nèi)涌現(xiàn)出多家第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域龍頭公司。
2024-01-04 16:13:36430 近日，華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國(guó)第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)，其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)充分體現(xiàn)了中電化合物在第三代半導(dǎo)體外延領(lǐng)域的卓越實(shí)力和領(lǐng)先地位。
2024-01-04 15:02:23523 石金科技近日宣布將募集3.5億元資金，用于多個(gè)關(guān)鍵項(xiàng)目的發(fā)展。這些項(xiàng)目涵蓋了補(bǔ)充公司流動(dòng)資金、建設(shè)石金（西安）研發(fā)中心及生產(chǎn)基地、光伏關(guān)鍵輔材集成服務(wù)生產(chǎn)以及第三代半導(dǎo)體熱場(chǎng)及材料的生產(chǎn)。
2024-01-03 16:09:22456 近期，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名媒體與產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)“行家說(shuō)三代半”主辦的“2023年行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮在深圳正式拉開帷幕，數(shù)家SiC&GaN企業(yè)代表參加，共同見證第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)采。
2023-12-27 10:47:55225 
的分析與展望。 ? Cambridge GaN Devices（CGD）?是一家無(wú)晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。 ? CGD由劍橋大學(xué)
2023-12-26 14:15:215610 
芯聯(lián)集成已全力挺進(jìn)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)，自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。短短兩年間，芯聯(lián)集成便已成功實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的三次重大飛躍，器件性能與國(guó)際頂級(jí)企業(yè)齊肩，并且已穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。
2023-12-26 10:02:38247 “時(shí)間就是金錢”這句話在半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)測(cè)試中尤為貼切。
2023-12-25 17:21:03286 
領(lǐng)先的測(cè)試與測(cè)量解決方案提供商泰克科技，5系列B MSO混合信號(hào)示波器榮獲年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)。 本屆行家極光獎(jiǎng)特別設(shè)立了【年度企業(yè)】、【年度優(yōu)秀產(chǎn)品】、【十強(qiáng)榜單】三大獎(jiǎng)項(xiàng)，力圖為第三代半導(dǎo)體行業(yè)樹立標(biāo)桿，提升企業(yè)品牌認(rèn)知度和影響力，為行業(yè)發(fā)展注入
2023-12-21 17:40:02266 
半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體也因而誕生。
2023-12-21 15:12:20820 
派恩杰半導(dǎo)體專注第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域，產(chǎn)品涵蓋碳化硅MOSFET、碳化硅SBD以及氮化鎵HEMT等多個(gè)方向。始創(chuàng)于2018年，公司擁有國(guó)內(nèi)最為全面的碳化硅功率器件產(chǎn)品。
2023-12-18 14:38:17447 12月14日，第三代半導(dǎo)體行家極光獎(jiǎng)在深圳重磅揭曉，派恩杰半導(dǎo)體榮膺“中國(guó)SiC器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)。
2023-12-15 10:57:45466 2023年11月29日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)和“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)”成功召開，是德科技參加第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)，并重磅展出第三代半導(dǎo)體動(dòng)靜態(tài)測(cè)試方案
2023-12-13 16:15:03241 
根據(jù)不同的誘因，常見的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過(guò)電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
快科技11月21日消息,今天星紀(jì)魅族集團(tuán)董事長(zhǎng)兼CEO沈子瑜發(fā)文正式宣布,魅族21將首批搭載行業(yè)最強(qiáng)的第三代驍龍8。 新機(jī)發(fā)布會(huì)此前已經(jīng)官宣,將會(huì)在11月30日揭曉。 值得注意的是,這次魅族表示將會(huì)
2023-11-21 11:48:12453 —AMD加強(qiáng)廣受好評(píng)的第三代EPYC CPU產(chǎn)品組合，為支持主要業(yè)務(wù)基礎(chǔ)設(shè)施的服務(wù)器提供性能和能效— —包括Cisco、Dell Technologies、Gigabyte、HPE、Lenovo
2023-11-11 10:37:54934 對(duì)于半導(dǎo)體器件而言熱阻是一個(gè)非常重要的參數(shù)和指標(biāo)，是影響半導(dǎo)體性能和穩(wěn)定性的重要因素。如果熱阻過(guò)大，那么半導(dǎo)體器件的熱量就無(wú)法及時(shí)散出，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件溫度過(guò)高，造成器件性能下降，甚至損壞器件。因此，半導(dǎo)體熱阻測(cè)試是必不可少的，納米軟件將帶你了解熱阻測(cè)試的方法。
2023-11-08 16:15:28686 
2023年10月25日 - 2023全國(guó)第三代半導(dǎo)體大會(huì)今日在深圳寶安格蘭云天國(guó)際酒店四樓會(huì)議廳隆重開幕。本屆大會(huì)由今日半導(dǎo)體主辦，吸引了來(lái)自全國(guó)各地的400多家企業(yè)參與，共同探討第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)和應(yīng)用前景。
2023-11-06 09:45:31234 點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導(dǎo)體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:02273 
氮化鎵（GaN）被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來(lái)簡(jiǎn)單了解一下，這個(gè)材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12663 
SiC 襯底是由 SiC 單晶材料制造 而成的晶圓片。襯底可以直接進(jìn)入 晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也 可以經(jīng)過(guò)外延加工，即在襯底上生 長(zhǎng)一層新的單晶，形成外延片。
2023-10-18 15:35:39
4 近年來(lái)，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)熱點(diǎn)之一。
2023-10-16 14:45:06694 一 F-200A-60V 半導(dǎo)體器件測(cè)試機(jī)專為以下測(cè)試需求研制： 二 技術(shù)參數(shù)
2023-10-12 15:38:30
隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子領(lǐng)域正在發(fā)生著深刻的變化。在這個(gè)變化中，第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）技術(shù)成為了焦點(diǎn)，其對(duì)于充電器的性能和效率都帶來(lái)了革命性的影響。
在傳統(tǒng)的硅基材料中，電力電子器件
2023-10-11 16:30:48250 第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢(shì)，這些優(yōu)勢(shì)源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:28295 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
西安電子科技大學(xué)表示，該項(xiàng)目竣工后，將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長(zhǎng)、工程準(zhǔn)備、密封測(cè)試等整個(gè)工程的研發(fā)和技術(shù)服務(wù)能力。接著革新中心是第三代半導(dǎo)體技術(shù)公共服務(wù)平臺(tái)和產(chǎn)業(yè)，圍繞國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重大戰(zhàn)略需求為中心，5g通信、新能源汽車等領(lǐng)域的、芯片和微系統(tǒng)模塊的開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。
2023-09-25 11:20:56840 行業(yè)協(xié)會(huì)指導(dǎo)，深圳市人民政府聯(lián)合中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)、“核高基”國(guó)家科技重大專項(xiàng)總體專家組主辦。繼21日上午的高峰論壇成功舉辦后，汽車芯片與第三代半導(dǎo)體應(yīng)用論壇作為本屆峰會(huì)亮點(diǎn)正式開啟。 ? 當(dāng)前，隨著汽車四化時(shí)代來(lái)臨，汽車產(chǎn)業(yè)迎來(lái)更大風(fēng)口，
2023-09-25 09:09:35521 
隨著全球進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)、5G、綠色能源和電動(dòng)汽車時(shí)代，能夠充分展現(xiàn)高電壓、高溫和高頻能力、滿足當(dāng)前主流應(yīng)用需求的寬禁帶半導(dǎo)體高能量轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體材料開始成為市場(chǎng)寵兒，開啟了第三代半導(dǎo)體的新紀(jì)元。
2023-09-22 15:40:41476 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20893 
? 新能源汽車和光伏、儲(chǔ)能設(shè)施在全球加速普及，為第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。 長(zhǎng)電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿，多年來(lái)面向第三代半導(dǎo)體功率器件
2023-09-19 10:20:38379 9月15日，東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司與北京大學(xué)共同組建的第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。由北京大學(xué)科學(xué)研究部謝冰部長(zhǎng)及馬鞍山市委書記袁方共同為北大-東科聯(lián)合研發(fā)中心揭牌。圖左為袁方書
2023-09-19 10:07:33452 
已廣泛應(yīng)用于PD快充、電動(dòng)汽車、光伏儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心以及充電樁等領(lǐng)域的第三代半導(dǎo)材料，近年來(lái)越來(lái)越受到半導(dǎo)體各行業(yè)的關(guān)注。目前，領(lǐng)先器件供應(yīng)商在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域做了什么?有什么技術(shù)難點(diǎn)?如何平衡性
2023-09-18 16:48:02365 新能源汽車和光伏,儲(chǔ)能設(shè)施在全球加速普及,為第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。長(zhǎng)電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿,多年來(lái)面向第三代半導(dǎo)體功率器件開發(fā)
2023-09-18 16:11:25261 材料領(lǐng)域中，第一代、第二代、
第三代沒有“一代更比一代好”的說(shuō)法。氮化鎵、碳化硅等材料在國(guó)外一般稱為寬禁帶
半導(dǎo)體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物
半導(dǎo)體，或?qū)⒌墶⑸榛墶⒘谆熤瞥?/div>
2023-09-12 16:19:271932 
意法半導(dǎo)體的第三代BlueNRG2.4 GHz Radio IP符合藍(lán)牙SIG核心規(guī)范5.2版本要求，兼具出色的射頻性能和極長(zhǎng)的電池壽命。BlueNRG-LP SoC適用于點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)連接和藍(lán)牙SIG
2023-09-08 06:57:13
。面對(duì)新材料、新器件和新特性在設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和使用中的全新挑戰(zhàn)， 泰克結(jié)合多年在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的豐富經(jīng)驗(yàn)和領(lǐng)先的功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)為客戶提供支持服務(wù) ，同時(shí)在北京成立第三代半導(dǎo)體測(cè)試實(shí)驗(yàn)室，幫助行業(yè)內(nèi)客戶、合作
2023-09-04 12:20:01234 據(jù)錫山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)消息，芯動(dòng)第三代半導(dǎo)體模塊將在測(cè)試項(xiàng)目主體上蓋屋頂，10月土木工程竣工，12月底投產(chǎn)。凱威特斯半導(dǎo)體設(shè)備配件再制造事業(yè)已經(jīng)完成了第一次竣工和第二次主體屋頂工程，計(jì)劃于今年12月竣工，2024年3月批量生產(chǎn)。
2023-08-31 09:25:07447 據(jù)融合資產(chǎn)消息，此次融資后融合資產(chǎn)將在芯片生產(chǎn)線、家具用、工商能源儲(chǔ)存、充電包、新能源汽車等多個(gè)領(lǐng)域展開合作，幫助建設(shè)第三代半導(dǎo)體智能電力模塊生產(chǎn)線。
2023-08-30 09:24:55228 隨著科技的不斷進(jìn)步，新的半導(dǎo)體材料正在為整個(gè)電子行業(yè)帶來(lái)深刻的變革。在這場(chǎng)技術(shù)革命的前沿，第三代半導(dǎo)體材料嶄露頭角。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體在高溫、高壓、高頻等應(yīng)用環(huán)境中展現(xiàn)出了更為出色的性能。從材料分類的角度來(lái)看，第三代半導(dǎo)體材料主要可以分為以下四類。
2023-08-21 09:33:071580 
第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:54915 
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代
2023-08-04 14:57:57348 近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技
2023-08-04 11:28:56920 
如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導(dǎo)體因其高頻性能效好主要是用于射頻領(lǐng)域，碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導(dǎo)體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。
2023-07-25 10:52:23405 來(lái)源：內(nèi)容轉(zhuǎn)自公眾號(hào)21tech（News-21），作者：李強(qiáng)。于代輝英飛凌科技高級(jí)副總裁英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部大中華區(qū)負(fù)責(zé)人減碳趨勢(shì)下的節(jié)能、高效需求同樣給第三代半導(dǎo)體的登場(chǎng)搭好了舞臺(tái)。過(guò)去
2023-07-06 10:07:54367 
半導(dǎo)體是當(dāng)今世界的基石，幾乎每一項(xiàng)科技創(chuàng)新都離不開半導(dǎo)體的貢獻(xiàn)。過(guò)去幾十年，硅一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主流材料。然而，隨著科技的發(fā)展和應(yīng)用需求的增加，硅材料在一些方面已經(jīng)無(wú)法滿足需求，這促使第三代半導(dǎo)體
2023-07-05 10:26:131322 
? 點(diǎn)擊上方? “?意法半導(dǎo)體中國(guó)” ， 關(guān)注我們 ???????? ? ?雙方將合作研發(fā)先進(jìn)功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動(dòng)航空業(yè)向混動(dòng)和純電動(dòng)系統(tǒng)轉(zhuǎn)型 ? ?合作研發(fā)的半導(dǎo)體器件將助力未來(lái)的混動(dòng)直升機(jī)、飛機(jī)
2023-06-29 08:10:02343 
據(jù)藍(lán)色空港消息，先進(jìn)半導(dǎo)體制造項(xiàng)目主要從事第三代半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造、功率器件clip先進(jìn)工程包裝、電力驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品應(yīng)用方案的開發(fā)和銷售。該項(xiàng)目總投資8億元，分三期建設(shè)，一期投資2億元，計(jì)劃建設(shè)6條clip先進(jìn)包裝生產(chǎn)線。
2023-06-27 10:31:18602 據(jù)公告，此次建設(shè)的第三代半導(dǎo)體輸出配件生產(chǎn)項(xiàng)目位于湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)，總投資額約為60億元，包括36億元股權(quán)融資和24億元銀行貸款。構(gòu)筑第3代半導(dǎo)體外延、晶片制造、組裝測(cè)試等生產(chǎn)線的該事業(yè)，將具備能夠生產(chǎn)6英寸硅晶片及外延36萬(wàn)個(gè)、輸出配件模塊6100萬(wàn)個(gè)的能力。
2023-06-27 09:54:38539 繼第一代和第二代半導(dǎo)體技術(shù)之后發(fā)展起來(lái)的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件，是發(fā)展大功率、高頻高溫、抗強(qiáng)輻射和藍(lán)光激光器等技術(shù)的關(guān)鍵核心。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">第三代半導(dǎo)體的優(yōu)良特性，該半導(dǎo)體技術(shù)逐漸成為了近年來(lái)半導(dǎo)體研究
2023-06-25 15:59:21
近年來(lái)，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和計(jì)算機(jī)應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大，半導(dǎo)體技術(shù)變得愈加重要。在半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展歷程中，第三代半導(dǎo)體技術(shù)的出現(xiàn)為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展帶來(lái)了新的變革。
2023-06-20 16:55:22611 
國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡(jiǎn)稱“國(guó)創(chuàng)中心”）獲批建設(shè)兩年以來(lái)，瞄準(zhǔn)國(guó)家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求，以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命，進(jìn)一步推動(dòng)我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，形成立足長(zhǎng)三角、輻射全國(guó)的技術(shù)融合點(diǎn)和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的輻射源。
2023-06-19 14:55:451660 隨著全球宏觀環(huán)境的逐步恢復(fù)，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于2023年邁向新的發(fā)展高峰，值此之際，TrendForce集邦咨詢于6月15日在在深圳舉辦了“2023第三代半導(dǎo)體前沿趨勢(shì)研討會(huì)”，匯聚
2023-06-16 15:37:32964 當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體中的碳化硅功率器件，在導(dǎo)通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。面對(duì)當(dāng)前行業(yè)發(fā)展新趨勢(shì)，威邁斯等新能源汽車
2023-06-15 14:22:38357 
日前，2023中關(guān)村論壇“北京（國(guó)際）第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇”上，科技部黨組成員、副部長(zhǎng)相里斌表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體具有優(yōu)異的性能，在信息通信、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域有巨大的市場(chǎng)。
2023-06-15 11:14:08313 為期四天的2023廣州國(guó)際照明展覽會(huì)（簡(jiǎn)稱：光亞展）在火熱的氣氛中圓滿落幕。此次展會(huì)，國(guó)星光電設(shè)置了高品質(zhì)白光LED及第三代半導(dǎo)體兩大展區(qū)，鮮明的主題，引來(lái)了行業(yè)的高度關(guān)注。 其中，在第三代半導(dǎo)體
2023-06-14 10:02:14437 
元旭半導(dǎo)體天津生產(chǎn)基地有新的第三代半導(dǎo)體光電芯片研發(fā)中心和裝備了生產(chǎn)線晶片材料、芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、芯片包裝以及測(cè)試等多個(gè)重要產(chǎn)業(yè)鏈鏈接積聚著，新一代Micro-LED半導(dǎo)體集成顯示器垂直整合制造重點(diǎn)開展的。
2023-06-09 11:29:15903 第三代半導(dǎo)體設(shè)備 第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長(zhǎng)、外延所需的特種設(shè)備，如SiC PVT單晶生長(zhǎng)爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單晶生長(zhǎng)爐、MOCVD外延設(shè)備等。
2023-06-03 09:57:01787 
成長(zhǎng)期。而國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)前期產(chǎn)能部署和產(chǎn)線建設(shè)，國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品相繼開發(fā)成功并通過(guò)驗(yàn)證，技術(shù)穩(wěn)步提升，產(chǎn)能不斷釋放，國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC）器件及模塊開始“上機(jī)”，生態(tài)體系逐漸完善，自主可控能力不斷增強(qiáng)，整體競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力日益提升。
2023-05-30 14:15:56534 
確立，產(chǎn)業(yè)步入快速成長(zhǎng)期。而國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)前期產(chǎn)能部署和產(chǎn)線建設(shè)，國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品相繼開發(fā)成功并通過(guò)驗(yàn)證，技術(shù)穩(wěn)步提升，產(chǎn)能不斷釋放，國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC）器件及模塊開始“上機(jī)”，生態(tài)體系逐漸完善，自主可控能力
2023-05-30 09:40:59568 
、新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通信射頻等市場(chǎng)的發(fā)展，具有較大的發(fā)展前景；從分立器件原材料看，隨著氮化鎵和碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用，半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)逐步向高端應(yīng)用
2023-05-26 15:15:01657 
、新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通信射頻等市場(chǎng)的發(fā)展，具有較大的發(fā)展前景；從分立器件原材料看，隨著氮化鎵和碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用，半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)逐步向高端應(yīng)用市場(chǎng)推進(jìn)。隨著我國(guó)分立器件企業(yè)產(chǎn)品
2023-05-26 14:24:29
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AIN）、氧化鋅（ZnO）和金剛石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體？半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461675 
第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442620 
半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226173 
郝躍院士長(zhǎng)期從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體功能材料和微波器件、半導(dǎo)體短波長(zhǎng)光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機(jī)理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。
2023-04-26 10:21:32718 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-04-04 14:46:2912684 1200V高速開關(guān)系列第三代
2023-03-28 14:59:26
，芯片支撐系統(tǒng)”模式布局第三代半導(dǎo)體 SiC 功率模塊以及系統(tǒng)應(yīng)用，基于STPAK 封裝的SiC 模塊取得了非常不錯(cuò)的市場(chǎng)成績(jī)。而且中科意創(chuàng)成功研發(fā)了國(guó)內(nèi)首臺(tái)ASIL-D最高功能安全等級(jí)的SiC電機(jī)控制器，并獲得了國(guó)內(nèi)首張ASIL-D產(chǎn)品認(rèn)證證書。 對(duì)
2023-03-24 18:24:394106 氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料，在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長(zhǎng)光電器件以及5G通訊等領(lǐng)域具有硅半導(dǎo)體無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)。然而，散熱問題是制約其發(fā)展和應(yīng)用的瓶頸。通常氮化鎵需要氮化鋁（AlN）作為過(guò)渡層連接到具有高導(dǎo)熱系數(shù)的襯底上。
2023-03-24 10:37:04570 正在加载...
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