杰華特聯合英諾賽科推出120W氮化鎵快充方案，打造大功率高端

當前，高功率快充標配在市場上受到不少關注，不久前努比亞為其新品紅魔游戲手機標配的正是120W快充方案（內置InnoGaN INN650D02）。近日杰華特與英諾賽科聯合推出升級版120W快充方案，基于杰華特ACF控制器JW1550和英諾賽科產品INN650D01+INN650D02A，在高功率快充方案上全面升級，打造120W快充高端標配。

一、高頻設計，實現體積小型化

采用杰華特ACF控制器，能實現全電壓范圍的軟開關，使得系統工作頻率高達300-500KHz，同時匹配第三代半導體GaN高頻高效的特性，此款120W方案的磁性元件、電容器體積大幅減小，功率密度達2.3W/cm3，同時結合超低熱阻的DFN封裝進行巧妙設計，體積與市面上65W 氮化鎵快充大小相當，全面實現小型化。

二、PFC+ ACF 兩級效率高達94.3%，溫升更低

從上圖得知，此款120W快充方案在90V~264V全電壓下，平均效率達92%以上，最高效率為94.3%，高頻高效率也實現了更低的溫升，讓大功率充電發熱問題不復存在。

三、EMC技術新突破

此款120W快充方案在EMC技術上實現了全新突破, 解決了高頻ACF架構方案EMC 設計難點，EMI噪聲裕量達到6db以上，并且大大優化了EMC濾波電路器件體積，降低成本。

關于杰華特JW1550和JW7726B

JW1550是專用于ACF（有源鉗位反激電路）的控制器，采用自主研發的新型自適應ZVS控制技術，可以實現主功率管的ZVS開通，同時回收漏感能量，實現不同輸入輸出下的效率最優，和業界的傳統QR方案相比，ACF控制方式下的65W-200W適配器效率能提升至1.5%；且主功率管管電壓應力小；加入抖頻功能，可以有效改善系統的EMI性能。

同時支持X-cap放電，內置Boost電路，供電適合寬范圍輸出應用，外圍電路簡單。和業界量產中的ACF方案對比，外圍電路能省15顆器件左右，在縮小設備體積和環保方面優勢明顯。多模式控制策略可以進一步提高系統的全范圍效率，在寬范圍輸出場合也能滿足能效標準。

副邊搭配JW7726B高頻同步整流控制器，支持CCM、DCM、QR和ACF模式，在振鈴期間能有效防止同步整流MOSFET的誤開通；具有快速關斷能力以便能兼容CCM；在啟動過程中（VCC建立之前）能有效防止門極gate被耦合至開啟電壓。目前JW7726系列產品累計發貨量已接近千萬顆。

杰華特與英諾賽科已經合作推出了多款GaN快充方案，此次120W方案是基于紅魔游戲手機標配120W快充方案的又一次升級，更大程度上實現效率高、體積小、溫升低的優勢，是大功率設備標配首選！氮化鎵市場空間巨大，杰華特與英諾賽科會攜手打造更多具有競爭力的解決方案。