上一篇文章介紹了電源IC整體損耗的計(jì)算方法，即求出各部分的損耗并將這些損耗相加的方法。本文將在“簡(jiǎn)單”的前提下，介紹一種利用現(xiàn)有數(shù)據(jù)求出電源IC損耗的方法。

損耗的簡(jiǎn)單計(jì)算方法

在很多情況下，電源IC的技術(shù)規(guī)格書(shū)中給出的是在標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用電路中測(cè)試得到的效率曲線圖（效率 vs 輸出電流）。如果所使用的電路條件與規(guī)格書(shū)中的效率曲線的條件相同或近似，則在自己設(shè)計(jì)的電路中也可能得到基本相同的效率曲線。利用這個(gè)效率曲線，可以簡(jiǎn)單計(jì)算損耗。與上一次的計(jì)算示例相同，這里也以內(nèi)置MOSFET的同步整流降壓轉(zhuǎn)換器為例進(jìn)行計(jì)算。

首先，請(qǐng)看根據(jù)效率計(jì)算損耗的公式，這同時(shí)也是為了整理效率和損耗的關(guān)系。

這里計(jì)算出的損耗是電路的損耗（效率也一樣），因此，與上一次的計(jì)算示例相同，需要減去外置輸出電感的DCR帶來(lái)的傳導(dǎo)損耗（PCOIL）。關(guān)于電感的損耗，請(qǐng)參考這里。

如上所述，可以根據(jù)效率曲線大致算出損耗。前面提到要減去外置電感的損耗，但更準(zhǔn)確一點(diǎn)講，估算值中包含其他外置部件和PCB的薄膜布線等的損耗。然而，由于電源IC本身的損耗比這個(gè)值小（通常只是很小的值），因此用于估算值的量并沒(méi)有什么問(wèn)題。

功率晶體管為外置的情況下，可以用相同的思路估算，但一般需要另行求出功率晶體管的損耗，因此所花的時(shí)間也可能與單獨(dú)計(jì)算差不多。

最后，計(jì)算值的小數(shù)原則上要向上舍入，而非向下舍入。至于使用到小數(shù)點(diǎn)后幾位數(shù)，可根據(jù)整體的功率來(lái)判斷有效（有影響）的位數(shù)。這是為了將誤差控制在安全范圍，需要注意的是損耗和發(fā)熱等負(fù)面因素。當(dāng)然，在進(jìn)行可否判斷時(shí)需要考慮到余量而非界限值。