資料介紹
引人注目的紅外焦平面陣列技術正在取得飛速進展,日益拓展其新的應用領域。本文著重于從未來應用和市場的角度,結合器件技術討論二十一世紀頭10~20 年間的紅外焦平面陣列技術的應用前景。
本世紀中超大規模集成電路和微電機械加工(MEMS)技術的發展,使紅外探測器技術取得了驚人的進展,紅外焦平面陣列技術是這種技術發展的一個里程碑。因紅外探測的隱蔽性和有效性,其應用領域主要是軍事方面,對該技術的迫切期望使之成為軍方的“寵兒”。特別是冷戰軍備競賽,軍方投入巨資使紅外探測技術發展突破了前進道路上一個又一個的障礙,使紅外探測器技術從30 年代單一的PbS 器件發展到現在的多個品種,包括InSb、HgCdTe、PtSi、InGaAs、GaAlAs、非本征硅等量子探測器、 Vox、PZT、多晶硅和非晶硅等熱探測器;從單元器件發展到目前焦平面信號處理的大型紅外焦平面陣列。其陣列集成規模已高達2048′2048 元[2],從極低溫工作發展到了目前的77K 或室溫工作陣列,特別是近年的發展已接近于可見光CCD、APS 和CMOS 圖像傳感器的水平。同時紅外探測技術正在急速地拓展新的應用領域和市場,迅速地滲透到廣闊的商用領域,改變其長期以來主要用于軍用領域的狀況。
本世紀中超大規模集成電路和微電機械加工(MEMS)技術的發展,使紅外探測器技術取得了驚人的進展,紅外焦平面陣列技術是這種技術發展的一個里程碑。因紅外探測的隱蔽性和有效性,其應用領域主要是軍事方面,對該技術的迫切期望使之成為軍方的“寵兒”。特別是冷戰軍備競賽,軍方投入巨資使紅外探測技術發展突破了前進道路上一個又一個的障礙,使紅外探測器技術從30 年代單一的PbS 器件發展到現在的多個品種,包括InSb、HgCdTe、PtSi、InGaAs、GaAlAs、非本征硅等量子探測器、 Vox、PZT、多晶硅和非晶硅等熱探測器;從單元器件發展到目前焦平面信號處理的大型紅外焦平面陣列。其陣列集成規模已高達2048′2048 元[2],從極低溫工作發展到了目前的77K 或室溫工作陣列,特別是近年的發展已接近于可見光CCD、APS 和CMOS 圖像傳感器的水平。同時紅外探測技術正在急速地拓展新的應用領域和市場,迅速地滲透到廣闊的商用領域,改變其長期以來主要用于軍用領域的狀況。
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