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Diodes

DMN3026LVT-7

MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

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DMN3026LVT-7 器件參數(shù)

Function

  • 配置
    Single
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    6.6 A
  • 輸入偏置電容@15V
    643 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    22 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    30 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@6.5A,10V
    23 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    23 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    2 V
  • 柵極電荷@10V
    12.5 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    2.2 ns
  • 功率耗散
    1.2 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    12.1 ns
  • 下降時間
    3 ns
  • 上升時間
    2.5 ns

Physical

  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOT-23-6

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

DMN3026LVT-7 EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

DMN3026LVT-7 數(shù)據(jù)手冊

  • 文檔
    標(biāo)題
    上傳于
    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • poYBAGNW92CAY9QDAASdnDYvqfw316.pdf
    1年前
    Huaqiu Chip

DMN3026LVT-7 圖片

  • Digikey

    Digikey

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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