英特爾（Intel）持續全力扶植大陸供應鏈，不僅攜手大陸相關業者搶攻全球IT市場，根據英特爾最新計劃，將在年度重頭戲IDF展會前夕舉行中美創新高峰論壇，聚焦物聯網領域，揭露英特爾與大陸供應鏈業者海康威視、大華科技、升騰資訊、深信服科技等最新戰略。
2015-07-07 09:48:15
845 后來進入10nm級，Intel在制程工藝層面一騎絕塵，領先三星和臺積電一代以上。不過，Intel 14nm FinFET大量都是用在自家生意上，畢竟作為芯片一哥，需求量驚人，另外就是為FPGA伙伴代工了。
2016-07-15 10:24:04957 制造、設計或啟用NAND閃存的公司組成的行業工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡化NAND閃存集成到消費電子產品、計算平臺和任何其他需要固態大容量存儲的應用程序中。為NAND閃存定義標準化的組件
2023-06-21 17:36:325873 
有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布已量產全球首款 232 層 NAND。它采用了業界領先的創新技術，從而為存儲解決方案帶來前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比，該產品擁有業界最高的面密度和更高的容量及能效，能為客戶端及云端等數據密集型應用提供卓越支持。 ? ? ? 美光技術與產品執行副總裁
2022-07-28 14:35:41813 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導體業，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實可能性有關聯的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
Hittite推出業界領先的商業DRO產品線
2019-09-11 06:01:58
，三星電子和東芝(Toshiba)分別處于技術領先的地位，美光和英特爾(Intel)的IM Flash是在2009年正式量產34奈米制程技術后，才一舉追趕過競爭對手，勇奪NAND Flash市場技術領先
2022-01-22 08:05:39
NOR Flash 和 NAND Flash是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR Flash 技術，徹底改變了原先由EPROM(Electrically
2021-07-22 08:16:03
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對內存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動，則加載程序必須將應用程序復制到
2023-03-29 07:06:44
根據數據表，斯巴達6家族有廣泛的第三方SPI（高達x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構建和FPGA + ARM平臺，我當時
2019-05-21 06:43:17
BSIMProPlus?是業界領先的半導體器件SPICE建模平臺，在其產品二十多年的歷史中一直為全球SPICE建模市場和技術的領導者，被全球一百多家領先的集成電路制造和設計公司作為標準SPICE
2020-07-01 09:36:55
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產品應用于移動數碼消費產品，包括手機和數碼相機，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產
2008-08-14 11:31:20
Altera和賽靈思20年來都在FPGA這個窄眾市場激烈的競爭者，然而Peter Larson基于對兩個公司現金流折現法的研究表明，賽靈思是目前FPGA市場的絕對領先者。
2019-09-02 06:04:21
全球領先的傳感器供應商InvenSense（INVN)7日宣布收購法國運動處理技術公司Movea,旨在通過此次收購在運動傳感器和聯網式（GPS/WIF）數據追蹤技術方面得以提升，此項收購的規模為8100萬美元，其中現金部分為7500萬美元。
2020-04-28 06:14:17
科技積極引進國內先進技術，擁有多項核心技術，在行業競爭中具有明顯的技術領先優勢。在積極利用自身優勢進行科研開發工作的同時，華德利科技還與武漢多所高校建立了戰略合作關系，研發實力進一步增強。 為激發研發
2013-09-16 14:38:40
全球新車市場需求的近35%。今天，人們對于車載連接集成的關注度也正在急速升溫。互聯汽車的核心理念在于利用半導體芯片實現連通性。隨著技術的不斷革新，分析師預測到2020年每輛車上的芯片數量將接近1，000個。下面讓我們來更加深入地了解促進車聯網發展的各種領先技術。
2019-07-10 07:14:30
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應 nand 閃存 hal 函數和一個鏈接器來構建 .stldr？我走對路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
黃金時代正式到來。與此同時，無可辯駁的，中國半導體產業的一大遺憾是我們幾乎沒有自己的核心芯片，無論MCU、DSP或是FPGA等，主流技術仍被國際廠商所壟斷。
2019-11-01 08:12:17
NAND閃存技術已經遠離ML403板支持的CFI兼容性，您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項目僅限于Virtex 4平臺，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
至 2015 年之間， NAND的市場復合年增長率將達到 7%。技術方面，內存密度因采用 25nm 及以下制程技術，讓制造商能進一步擴大優勢。領先的 NAND 閃存制造商開始用 20-30nm 范圍
2014-04-22 16:29:09
日前，美容科技發達，祛斑的方法各色各樣，王者風范在祛斑界的效果已經是遙遙領先了，那么，南寧OPT王者風范祛斑的原理是什么？下面我們就有請南寧整形醫院專家給我們介紹。王者風范祛斑的原理是利用光能被皮膚
2012-10-10 10:26:08
系統工程師是如何借助SDR平臺領先一大步的？
2021-05-21 06:32:20
`在2015年北京中關村智能硬件創業節上，藍宙電子與全球領先的開源軟硬件平臺Arduino達成戰略合作協議， 藍宙電子正式成為Arduino官方授權的中國區域代理商，標志著藍宙電子正式成為國內
2016-04-08 13:32:25
第七章 克服關鍵組織障礙第八章 寓執行于戰略第九章 結論：藍海戰略的可持續性與更新附錄A 藍海戰略案例縱覽附錄B 價值創新：戰略的結構再造觀點附錄C 價值創新的市場動態分析
2008-07-03 14:48:07
題為《OpenHarmony技術領先筑生態，萬物智聯贏未來》的主題演講。他圍繞萬物智聯趨勢，分享OpenHarmony四大技術架構特征的關鍵技術成果與未來演進方向，并發布了多項技術指導委員會近期孵化
2023-11-06 14:35:46
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲器，主要用于存儲卡、MP3播放器、手機、固態驅動器(SSD)等產品中。除了存儲單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:03
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NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01183 NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988
2010-11-03 16:40:29112 NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了
2006-04-17 20:48:523067 nand nor flash區別
NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR
2008-06-30 16:29:231163 Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲器技術創新獲得半導體Insight獎
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項業內領先的D
2009-05-08 10:39:06909 From M-system公司Arie TAL NAND和NOR的比較
NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年
2009-09-13 14:07:371002 集線器網絡移動通信交換解決方案領先供應商 MACH 今天公布新戰略
盧森堡2009年10月15日電 -- 旨在簡化并加快移動通信供應鏈創建和運行的解決方案領先供
2009-10-15 16:48:21852 Intel-鎂光反擊,2xnm制程NAND芯片將試制
在本月22日召開的一次電話會議上，鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產品，并對其進行取樣測試。盡管
2009-12-26 09:56:491134 Intel、美光宣布投產25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經開始使用25nm工藝晶體管試產MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售
Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預計今年晚
2010-03-23 11:58:41600 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND閃存的自適應閃存映射層設計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數據存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
美光科技公司(MicronTechnology)與英特爾公司近日宣布試制成功了基于行業領先的50納米(nil])制程技術的NAND閃存，這兌現了它們對快速提升技術領先曲線的承諾。樣品通
2010-05-30 11:08:09632 東芝在半導體業務中提出了新戰略（圖1）。東芝計劃將把瞄準全球份額首位的NAND閃存業務實力，應用于其他半導體業務。具體做法是在分離式半導體業務、從原系統LSI業務中剝離出來的
2011-09-23 09:27:581526 
意法半導體（ST）將于2012年12月10日公布新戰略計劃 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）將于2012年12月10日
2012-12-06 09:26:33711 全球行業領先的嵌入式市場閃存解決方案創新廠商Spansion 公司（紐約證交所代碼：CODE）今天宣布推出一個新的串行外設接口（SPI）閃存產品家族。
2013-12-31 10:57:20657 11月17日,國家射頻識別(RFID)產業技術創新戰略聯盟標準在上海召開發布會,會上發布了國家射頻識別產業技術創新戰略聯盟標準,內容覆蓋協議符合性、性能性、可靠性、環境適應性、電磁兼容性及安全性六大方面,將進一步推動射頻識別技術的民用化進程。
2016-11-21 11:27:111148 三星NAND閃存規格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 據悉，東芝的第 6 座工廠（Fab 6）還沒有完工，東芝就宣布將在日本興建第7座NAND Flash工廠，韋德就是能在2018年與三星，Intel、及 SK 海力士進行實力競爭。94 層 V-NAND 閃存生產將會是東芝的下一個計劃。
2017-12-27 14:06:091773 富路集團董事長陸付軍先生對富路品牌作新戰略、新啟航的報告；陸董回顧不平凡的2017年，在行業競爭加劇、環保高壓、市場低迷的大環境下，富路逆勢而上，加大產品生產研發投入，運用汽車沖壓、焊裝、涂裝、總裝檢測四大工藝標準生產制造電動車，依托三大核心技術奠定了富路在行業中的領先地位。
2018-01-23 09:25:524460 據韓國媒體報道，為了滿足PC、智能手機市場對NAND閃存的持續高需求，Intel正在與中國紫光集團談判，授權其生產64層3D NAND閃存。這種閃存技術來自Intel、美光合資的IMFlash，不過到明年初，雙方將結束合作。
2018-03-15 11:45:485454 DVEVM可以啟動或（默認），與非門，或通用異步接收機/發射機（UART）。NOR 閃存提供了一個字節隨機的優點訪問和執行就地技術。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉換層（FTL）軟件讓它訪問；然而，由于它的價格低，速度快，壽命長，許多客戶想設計NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 存儲產業技術創新戰略聯盟連續五年被科技部評為“高活躍度聯盟”
2018-07-05 15:31:363517 美光、三星釋放信號僅是個開端，SK海力士、Intel、東芝、西數/閃迪等都表態在幾年內將持續擴充閃存產能，為跨入96層、甚至更高層數而加大投入力度。可見，3D NAND閃存已經成為國際存儲器廠商間的“主戰場”。
2018-07-17 10:34:084865 
從NAND閃存中啟動U-BOOT的設計 隨著嵌入式系統的日趨復雜,它對大容量數據存儲的需求越來越緊迫。而嵌入式設備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應用。NAND閃存 設備就是
2018-09-21 20:06:01485 英特爾(Intel Corp.)距離推出10納米服務器芯片、將有長達2年的空窗期，Raymond James證券認為，臺積電的技術將遙遙領先。
2018-09-28 10:35:402682 至少2年時間，Intel、美光去年才推出3D NAND閃存，Intel本月初才發布了首款3D NAND閃存的SSD，不過主要是面向企業級市場的。這四大豪門的3D NAND閃存所用的技術不同，堆棧的層數
2018-10-08 15:52:39395 任正非日前在上研所5G業務匯報會上發表講話，他指出，華為要堅持多路徑、多梯次、多場景化的研發路線，攻上“上甘嶺”，實現5G戰略領先。
2018-11-08 09:56:443287 NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數公司壟斷，中國公司在此領域毫無話語權，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產公司自立。紫光公司主導的長江存儲
2018-11-23 08:45:2812115 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數據，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數據，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
12月27日上午，以新定位、新戰略、新零售為主題的愛瑪全球領先2019戰略年會在集團總部天津盛大啟幕，愛瑪集團副董事長段華、集團掌舵人王偉，央視廣告經營管理中心副主任李怡，德國博世電動兩輪車事業部
2018-12-28 16:08:56656 根據江蘇省科技廳《關于公布2017年度江蘇省產業技術創新戰略聯盟績效評價結果的通知》（蘇科高發【2018】378號），江蘇省集成電路產業技術創新戰略聯盟被評定為A類聯盟。
2018-12-29 15:33:335671 工業和信息化部通信科技委常務副主任韋樂平發表了題為《網絡領先是實現國家5G戰略的基石》的主題演講。
2019-07-18 16:33:412697 全球碳化硅（SiC）半導體領先企業科銳與德國采埃孚（ZF Friedrichshafen AG）宣布達成戰略合作，開發業界領先的高效率電傳動設備。
2019-11-06 15:01:54745 四級單元（QLC）NAND正在進入企業領域，它可幫助降低價格，低于目前領先的三級單元（TLC）NAND。四級單元應該會讓NAND閃存在未來幾年保持主流地位，盡管有人預測，存儲級內存（SCM）和持久內存技術最終將取代NAND。SCM和持久內存可彌合NAND與更快更昂貴的DRAM之間的價格和性能差距。
2020-03-06 15:50:003352 在過去50年的歷史中，AMD絕大多數時候都會在CPU工藝上落后Intel一兩代，不是AMD不努力，而是Intel實在是太強了，這二十多年來一直都擁有地球上最先進的制程工藝，官方之前還表態他們的制造工藝領先對手三年半，當然說這話的時候是22nm之前的節點了。
2019-12-14 09:30:433982 成本領先戰略和產品差異化戰略均能夠通過提升顧客價值而提升企業的競爭力。成本領先戰略將成本降到低于其他競爭對手的水平來贏得競爭優勢，而憑借產品差異化戰略，企業能夠提升客戶對本企業產品或服務價值的認知
2019-12-18 14:54:5014 任何了解SD卡，USB閃存驅動器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎知識的人都知道，控制這些最小化故障率的關鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
根據國科微官方的消息，國科微搭載長江存儲3D NAND閃存的固態硬盤產品已完成批量測試。
2020-01-17 15:17:495053 憑借領先一代的PCM相變存儲技術3D XPoint，Intel的傲騰系列內存/SSD在企業級市場上占了上風，延遲超低，壽命也遠超閃存。
2020-03-05 14:34:41872 在NAND閃存市場，三星、東芝、西數、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產能，留給其他廠商的空間并不多。國內公司中，兆易創新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進24nm閃存研發。
2020-04-02 08:54:342726 據媒體報道指國產存儲芯片企業長江存儲已開發出128層的NAND flash存儲芯片，這是當前國際存儲芯片企業正在投產的NAND flash技術，意味著中國的存儲芯片技術已達到國際領先水平。
2020-04-14 08:55:4512821 據悉，美國國防部近日公布了一項新戰略，以推動對安全和具有彈性的5G網絡的采用，并保持領先于潛在對手。
2020-05-27 15:52:031119 無論消費者還是企業機構，大多數人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現實意義上來講，NAND閃存可以說已經成為固態硬盤的代名詞。基于塊尋址結構和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
最近關于QLC閃存的消息不斷，最勁爆的莫過于武漢長江存儲成功研發全球首款128層QLC 3D NAND閃存，多項技術世界領先，最快年底量產。
2020-07-30 11:40:1017363 通常情況下，固態硬盤（SSD）的底層NAND架構會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您的數據存儲產生不同的影響，在這篇文章中，我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
我們都知道，構成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 作價 90 億美元，Intel 又賣出了旗下的一個重要業務。這個業務，就是 NAND 閃存。這是繼 NVIDIA 宣布以 400 億美元收購 ARM 之后，全球半導體領域的又一筆重大交易。
2020-10-21 09:37:571755 前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價格將旗下的NAND閃存業務出售給了SK海力士，業內嘩然。
2020-11-05 09:37:321345 前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價格將旗下的NAND閃存業務出售給了SK海力士，業內嘩然。
2020-11-05 09:43:421123 據報道，第三季度財報優于市場預期的SK海力士計劃在五年內將其NAND銷售額增加兩倍以上。SK海力士并再次強調，決心通過從英特爾手中收購NAND業務，在NAND市場占據領先地位。
2020-11-05 12:17:421538 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599 ，即使隔著屏幕也能感受到Intel撲面而來的“殺氣”。 此次Intel仍然發布了3D NAND產品，3款產品中有2款都拿到一個“業界第一”，即便是其閃存業務出售給SK海力士，其閃存產品性能依然風騷“不減”。 在傲騰業務方面，Intel公司執行副總裁兼數據平臺事業部總經理Navin She
2020-12-17 14:09:371728 近日，Intel全球首發了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產品，不過對于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392060 近日，Intel全球首發了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產品，不過對于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:48:342354 今天下午，在Lipro智能家居品牌分享會上，魅族科技正式公布了2021年全新戰略——一體兩翼。其中，魅族式旗艦手機仍為核心業務，新增雙項戰略引擎，智能穿戴與智能家居業務。
2020-12-30 15:41:323834 眾所周知，三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領先地位，占有30％以上的份額。但是，由于競爭對手開始表現出更好的工藝，它們似乎在挑戰三星的技術能力。
2021-02-26 15:49:372217 在3D NAND技術賽跑中，三星長期處于領先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經陸續演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
在NAND閃存的應用中，程序/擦除周期存在一個限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊將變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
圍繞基于NAND閃存的存儲系統的對話已經變得混亂。通常，當人們討論存儲時，他們只談論NAND閃存，而忽略了單獨的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND閃存的應用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431518 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 內存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區，硬盤的一個扇區也為512
2023-06-10 17:21:001983 三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 據最新報道，全球領先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產策略，并計劃在本月內將開工率提升至90%。這一策略調整反映出市場需求的變化和公司對于行業發展的積極預期。
2024-03-07 10:48:35263
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