延續7納米制程領先優勢，臺積電支持極紫外光(EUV)微影技術的7納米加強版(7+)制程將按既定時程于3月底正式量產，而全程采用EUV技術的5納米制程也將在2019年第2季進入風險試產。
2019-02-14 00:06:00
2078 業內將每一代工藝節點都以標注英文字母的方式起名，此次SK海力士量產的1a納米級工藝是繼1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工藝節點。公司預計從下半年開始向智能手機廠商供應適用1a納米級技術的移動端DRAM。 ? 工藝的極度細微化趨勢使半導體廠商陸續導入E
2021-07-12 10:57:064340 作為智能手機核心部件之一的移動芯片，向來競爭激烈。而64位和多核無疑成為今年芯片廠商爭奪的焦點。
2014-03-10 09:56:051259 報導，存儲器三強三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時代做準備。因存儲器削價競爭結束后，三大廠認為以25
2014-04-04 09:08:421339 DRAM大廠華亞科董事長高啟全即將至中國紫光集團出任全球副總裁職務，在中國發展半導體腳步積極下，牽動全球DRAM三大陣營三星、SK海力士及美光的勢力消長。
2015-10-20 07:27:30990 DRAM大廠三星預定明年第1季率先量產1x（18奈米）DRAM，另一大廠SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron）也將于明年跟進，三大DRAM廠明年進入1x奈米大戰；臺廠除南亞科（2408）也預約1x制程技術外，其余均專注利基型記憶體，避開戰火。
2015-12-31 08:20:551296 相較于 SK 海力士、美光在 2015 年年中 20 奈米才導入量產，加速 20 納米製程轉換，在 2016 年才要進入 18/16 納米製程競賽的同時，早已搶先導入 20 奈米的叁星，現在直接丟出 10 納米 8 Gb DDR4 DRAM 量產的震撼彈，意圖大幅甩開對手糾纏。
2016-04-07 08:58:031642 從CES可以看出,今年量子點、OLED、激光三大陣營的角逐也會變得越來越激烈,引領彩電業發展“風向標”。
2017-01-11 10:21:08631 韓國三星近期積極將極紫外（EUV）曝光技術應用在采用1z納米制程的DRAM記憶體生產上，并且完成了量產。而根據半導體分析機構《TechInsights》拆解了分別采用EUV曝光技術和ArF-i曝光
2021-02-22 10:31:362509 詳細介紹100G SR4光模塊和40G SR4光模塊。100G QSFP28 SR4光模塊工作原理100G QSFP28 SR4光模塊主要由第一時鐘數據恢復模塊、陣列驅動模塊、激光發射模塊、光電轉換模塊
2018-05-21 15:11:36
，8位MCU市場持續增長，到2020年，全球8位MCU的市場規模將達61億美元，需求量將達到近170億顆，市場需求強勁。華虹半導體順勢推出95納米5V SG eNVM工藝平臺，為客戶提供高性價比的制造
2017-08-31 10:25:23
如今，40G網絡已經逐步發展成為長距離網絡傳輸應用的骨干網。而40G QSFP+ SR4光模塊被廣泛應用在40G短距離網絡傳輸中。一般來說，40G QSFP+ SR4光模塊可以在850nm波長環境
2016-08-31 10:36:20
的是40G QSFP+光模塊。 40G QSFP+光模塊支持4個10Gbps通道同時傳輸，提供40Gbps的傳輸速率，可以用在數據中心、高性能計算網絡、企業核心網絡等于應用。并且，40GQSFP+光模塊
2018-03-26 15:50:06
`QSFP+光模塊的兩個基本接口規范分別是40G-SR4和40G-LR4、40G QSFP+ PSM.40G-SR4用在多模應用中，40G-LR4用在單模應用中,40G QSFP+ PSM應用在8根
2018-07-04 17:02:33
的光模塊測試儀器，確實很方便，我平時就放在包里。 先分享兩張圖片，確實小巧，大概一本小筆記本的大小。 這款測試儀器的前面板，左邊QSFP1是 40G接口，右邊的QSFP2接口支持三種速率的。測試儀
2016-11-18 16:25:47
Pluggable）光模塊具有四個獨立的全雙工收發通道，是四通道小型可插拔光模塊，這種四通道的接口傳輸速率可高達40Gbps。QSFP光模塊的密度是XFP光模塊的4倍、SFP+光模塊的3倍，作為一種光纖
2019-10-23 15:46:34
降低，從SFP + 模塊的每通道最大1000兆瓦降低到QSFP+模塊的每通道最大375兆瓦。為了進一步拓展創新的并行光纖收發器，一個新的QSFP+收發器的推出，即40gbase-isr4 QSFP+光
2016-08-18 17:29:57
，大家都在節衣縮食。無疑，美國和歐盟的反傾銷反補貼對中國的光伏產業是致命的打擊。中國光伏產業將在CA3161E美歐貿易保護主義打擊下陷于崩潰?！ ?b class="flag-6" style="color: red">光伏產業的變革，因受歐美的反傾銷，過度競爭
2012-09-25 17:07:22
`40G SR4光模塊是一種傳輸速率為40G、4通道短距離傳輸并且封裝為QSFP+的光模塊。目前，40G QSFP +光模塊具有多種優勢而被廣泛應用于各種光網絡中，例如，提供低功耗的高速光/電性能
2018-05-24 14:39:12
納米傳感器和納米級物聯網將對醫學產生巨大影響讓開放式人工智能系統成為你的個人健康助理升級光遺傳技術照亮神經學人體器官芯片技術為醫藥研究帶來了新的機遇器官芯片的工作原理
2021-02-01 06:43:21
納米定位平臺跟納米平臺的區別是什么？
2015-07-19 09:42:13
納米硅粒子有較大的比表面，無色透明；粘度較低，滲透能力強，分散性能好。納米硅的二氧化硅粒子是納米級別，其粒徑小于可見光光波長度，不會對可見光形成反射和折射等現象，因此不會使涂料表面消光。
2019-10-31 09:12:41
美光科技公司宣布，將推出面向全球手機用戶的新型MT9D011低功耗200萬像素CMOS成像傳感器。 隨著消費者對手機、第三代智能電話等設備的高分辨率相機的要求，美光為此提供一種新款成像傳感器
2018-10-26 16:48:45
Inc.的分析師Doug Freedman表示。 “除了成為最大的CMOS圖像傳感器生產商以外，美光比上季增長了40%，而Omnivision只增長2-3%。”他表示。 Freedman指出
2018-11-20 16:03:30
大家好，我是應屆碩士畢業生，最近拿到美光的 flash 產品工程師的offer，另外還有其它offer，但是不知道美光的產品工程師具體是做什么工作的，發展前景如何？弱弱的問一下，請了解情況的幫忙指點一下，非常感謝。
2012-01-01 16:48:15
美信新推出一款五通道溫度傳感器，可測量四個不同位置的溫度，測量精度達1℃。這四個位置可為CPU、GPU、存儲器及筆記本電腦的其它位置?！ AX6699采用小型16引腳QSOP或TSSOP封裝
2018-10-24 14:15:29
，由于智慧型手機大量普及，企業資本支出長，三星電子計劃將資本支出增加一倍來到18兆韓元。分析師預估，今年主要半導體業者記憶體的擴產幅度達六成，Durcan認為，各產品需求面相當強勁，目前美光產能無法滿足
2022-01-21 08:28:38
如果我想發送字節地址而不是字地址，那么如果我將SDK代碼更改為下面的代碼，那么下面的示例代碼的更改是否有效？SDK中的示例代碼，前同步碼。長度＝4；前導碼。緩沖器〔0〕＝DeDADDR；前導
2019-04-25 15:09:14
市場的35%。明年，至少兩家中國集成電路供應商（睿力集成電路和晉華集成電路）將成功進入DRAM市場。盡管國產廠商的產能和制造流程最初不會與三星、SK 海力士或美光等公司匹敵，但看看中國的初創企業表現如何，將是一件有趣的事情。
2018-10-18 17:05:17
的性價比高的新產品，我們也非常有信心完成我們既定的目標！”談及下半年發展，張總自信滿滿?！ ∠嘈?，在產品同質化競爭越來越激烈的今天，如英飛特電子般擁有創新性的技術、高性價比的產品和強勢的品牌等綜合優勢，又善于借勢者，終能在眾多競爭廠商中脫穎而出。
2016-08-16 14:17:00
DRAM、NAND Flash、NOR Flash、eMMC、PCM和SD卡等，從上游到下游一條鞭相當齊全。美光在全球DRAM市場市占率位居第4，與三哥爾必達(Elpida)之間競爭相當激烈；而在
2022-01-22 08:14:06
的桂冠，自此之后，美光和英特爾都處于領先的地位。美光的NAND Flash技術演進分別是最早實驗室階段的90奈米、72奈米、50奈米、34奈米，直到目前最新的25奈米制程，中間分別跳過60奈米和40奈米
2022-01-22 08:05:39
Adams 表示 DRAM 市場的底部已經浮現，供需即將回歸均衡狀態，許多競爭者在財務上都面臨壓力。例如爾必達 (Elpida Memory Inc.)(6665-JP)，本月時所公布之財報表現呈現了連
2022-01-20 22:59:27
，也包括美光在內，但需求卻在不斷增加。美光預計在FQ4財季DRAM bit出貨量將與FQ3相對持平，并預估DRAM行業到2022年仍可繼續保持健康的市況。對于DRAM供應方面，美光在2021上半年已
2021-12-27 16:04:03
低供貨商過度集中風險。雖爾必達向日本***申請更生保護程序，但在韓系及美系大廠的支持下，未來DRAM貨源供應無虞。威剛表示，在確保公司及股東最大權益的前提下，不但已積極采取可行方式，與爾必達協商取得最佳
2022-02-18 14:14:09
達目前仍維持供貨狀態，且公司本身的DRAM庫存維持在一個月以上，可確保正常出貨。威剛強調，公司向來在內存采購采多元策略，降低供貨商過度集中風險。盡管爾必達向日本***申請更生保護程序，但在韓系及美系
2022-02-18 14:22:36
，一方面是拖拉多年的DRAM產業集成終于塵埃落定，在美光吃下爾必達后，剩下3大陣營勢力較為拉近，且產品線廣度較夠，不會有全球產能都押寶標準型DRAM，導致產出大增、價格崩盤的情況再度發生。威剛表示，在全球
2022-02-19 11:55:37
七年前進入該市場以來的首次，受益于競爭對手東芝表現不佳等有利因素。 雖然全球經濟形勢總體上來看十分嚴峻，但受平板電腦和固態硬盤廠商對NAND閃存需求的刺激，第二季度美國內存生產商美光的NAND閃存
2012-09-24 17:03:43
爾必達（Elpida）陣營的新增產能是否順利去化，將牽動DRAM價格走勢，是重要的觀察指標。他說，爾必達陣營制程技術推進至63奈米，7月產出將大量增加，加上美光陣營的南科、華亞科也導入50奈米，下半年
2010-05-10 10:51:03
，大數據存儲需求持續增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增長率達40%-45%，而美光NAND技術從40nm到16nm，再到64層3D技術，一直為市場提供更好的產品和解決方案。就在幾個月前美
2018-09-20 17:57:05
70年代炫手表，80年代炫跑車，90年代炫房子，00年代炫智能！??！當你還在追求黃金白銀時候，女神已經被智能裝飾的美諾天仙啦，走過，路過，不看必剁手的攻略，美到被人砍的搭配小技巧，今年我要變得
2015-11-12 17:04:27
：dealic@163.com回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達DDR，回收美光DDR，回收DDR2，回收DDR3（新舊/拆機/帶板均可）帝歐還回收帶板DDR，收購帶板DDR，回收拆機DDR
2021-05-08 17:42:19
`光模塊的快速發展，速率也提高到了100G/200G/400G光模塊。但是，在市場上，40G速率的光模塊在市場上的應用還是很廣泛的。在本文中，易飛揚通信將分享40G QSFP+ SR4光模塊和40
2018-03-30 16:35:53
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2021-07-15 19:36:21
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2021-12-27 19:25:08
的的奇夢達(Qimonda)。2006第二季全球10大DRAM廠商排名 以成長性而言，由于第二季全球新增產能集中于***地區廠商力晶與茂德，因此與力晶合作的日本爾必達，與茂德合作的韓國海力士，上述策略性
2008-05-26 14:43:30
G QSFP+光模塊和40G QSFP+SR4光模塊。 40G QSFP+光模塊概況 40G QSFP+光模塊是一種緊湊型熱插拔光模塊，它有四個傳輸通道，每個通道的數據速率是10Gbps，并且這種光模塊符合
2018-05-15 15:08:13
我國工業的迅速發展促進了減速機需求量的不斷擴大。然而，工業的發展不僅是對減速機的量有更大的要求，更是對減速機的技術有新的標準?！ ∧壳皣鴥葴p速機行業的競爭依然很激烈，這種競爭促使很多減速機廠家加大
2012-04-25 16:27:31
，使用太陽能供電的產品也爭先恐后的出現，競爭尤為激烈。如何才能在激烈的市場中脫穎而出，太陽能板供電的鋰電池充電管理IC起至關重要性。 太陽能板供電的鋰電池充電管理芯片的特點有： 1、內部集成有8位模擬-數字
2015-10-13 14:43:11
相信了解電子行業的小伙伴們都知道了，英特爾與美光的合作已決議持續到2018年底，這就意味著2019年，你將看不到兩者的密切行動。但是，據消息稱，二者是因為未來發展方向產生了分歧，究竟分手之后誰將走在前列，誰將落入后塵。對于普通消費者而言，究竟是好還是壞？
2018-01-10 19:16:09
大家好，我做FPGA開發，需要用到大的內存，ise12只有美光和現代的庫，我對美光內存使用有如下疑惑：美光2G內存位寬16位，速率可達200M，4G內存怎么才8位，速率還慢，才125M~150MHz.這樣的話，用更多的內存反而降低性能？
2013-06-22 21:46:08
顆粒（如三星，現代，美光，力晶，爾必達等）有長期供貨能力（這方面渠道的）請與我公司聯系采購各類半導體報廢晶圓片,IC晶圓、IC硅片、IC裸片、IC級單晶硅片、單晶硅IC小顆粒、IC級白/藍膜片、蕓膜片
2020-12-29 08:27:02
我們的平臺是DM8168的，之前用三星和爾必達的DDR在FLASH和SD卡上都可以正常引導起來，現在因原來的停產準備換美光的DDR3，我們把美光的DDR換到原來好的板上后，發現可以從NAND上引導
2018-06-21 12:34:02
成。業界人看好南亞科及華邦電第二季也獲利跳增，第三季因價格持續看漲，營收及獲利可望再寫新高。無新產能，導致淡季變旺今年上半年包括三星、SK海力士、美光等記憶體大廠雖提高資本支出，但多數資金都用來進行
2017-06-13 15:03:01
智能穿戴企業如何在激烈的競爭中脫穎而出？智能穿戴行業經過幾年的跌宕起伏的發展，終于迎來了發展的黃金期，越來越多的智能穿戴產品被用戶接受和購買。據商務部數據統計，2017年智能穿戴產品的網絡銷售增速
2018-02-01 17:15:12
：dealic@163.com回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達DDR，回收美光DDR，回收DDR2，回收DDR3（新舊/拆機/帶板均可）帝歐還回收帶板DDR，收購帶板DDR，回收拆機DDR
2021-01-30 17:36:35
說，是彌補部分工藝制程落后的不足，同時挑戰三星10 納米8 Gb DDR4 DRAM的最佳時機。拿下美光，清華紫光將得到DRAM、儲存型（NAND）快閃記憶體與編碼型（NOR）快閃記憶體技術，這將是中國半導體發展史上重要的紀事。這一切，或在后面的時間里實現！`
2016-07-29 15:42:37
SoC市場在擴大，國內外廠商采取了不同的方法爭奪市場，但依然存在一些亟需解決的問題。 當前，無論在國內國外，SoC設計領域都已展開激烈競爭。SoC按實現技術可分為三類:一類是CSoC，以學術研究
2019-07-24 06:17:26
這些年，英特爾、三星、臺積電在制程上的恩恩怨怨，堪比武俠小說中恩怨情仇。這些大廠的爭斗均是圍繞14納米和16納米，那么問題來了，這個14納米和16納米有什么好爭的？下面芯易網就來簡單做一下介紹。納米
2016-12-16 18:20:11
這些年，英特爾、三星、臺積電在制程上的恩恩怨怨，堪比武俠小說中恩怨情仇。這些大廠的爭斗均是圍繞14納米和16納米，那么問題來了，這個14納米和16納米有什么好爭的？下面芯易網就來簡單做一下介紹。納米
2016-06-29 14:49:15
地區總經理Pat Bliemer在接受北歐硬件網站獨家采訪時披露了這個信息。他說，這個技術已經能夠在實驗室條件下制造14納米芯片。這意味著英特爾在生產技術方面與競爭對手相比擁有巨大的優勢。英特爾
2011-12-05 10:49:55
隨著傳統PC市場的不斷衰落，智能終端市場跨越式的發展，處于其供應鏈上的廠商競爭也異常激烈。最近一直在業界備受青睞的英特爾近日接連傳出不好的消息，難道英特爾芯MAX3232EUE+T片將會徹底被拋棄
2012-11-06 16:41:09
COB工藝的40GSR4，以易飛揚40G PSM LR4光模塊為例，其工藝難點在于發射端四通道統一性的把控，因為四通道發射器件的獨立制作增加了不確定性和通道差異性。從LD、透鏡、隔離器等與載體、基板
2017-06-05 16:32:57
臺積電率先量產40納米工藝
臺積電公司日前表示，40納米泛用型（40G）及40納米低耗電（40LP）工藝正式進入量產，成為專業集成電路制造服務領域唯一量產40納米工藝的公司
2008-11-22 18:27:07725 LED顯示前導零刪除器
該圖展示如何連接7447IC器件，以便在
2009-09-16 14:34:30530 
中芯國際將45納米工藝技術延伸至40納米以及55納米
上海2009年10月14日電 -- 中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”，紐約
2009-10-15 08:22:44793 三星加速制程微縮 DRAM進入40納米世代
三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮，積極導入40納米制程，第4季已開始小幅試產DDR3，預計2010年下半40納米將成為主流制程
2009-11-18 09:20:55466 爾必達40納米制程正式對戰美光
一度缺席全球DRAM產業50納米制程大戰的爾必達(Elpida)，隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程，爾必達狀況更顯得困窘，在經過近1年臥薪嘗
2010-01-08 12:28:52554 三星將大批量生產30納米DDR3 DRAM內存芯片
據國外媒體報道，全球最大的內存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內存芯片已經適合消費者使用，準備應用到產品中。
2010-02-03 10:06:26701 三星電子推出40納米級動態存儲芯片
據韓國《中央日報》報道，世界著名存儲芯片企業三星電子在全球率先推出40納米級32GB DRAM(動態隨機存取記
2010-04-07 12:36:05714 谷歌蘋果競爭激烈 未來還有10大市場
4月15日消息，據國外媒體報道，隨著業務范圍的不斷拓展，谷歌與蘋果之間的競爭日益激烈。當前，雙方在智
2010-04-15 08:43:02473 瑞晶一向是臺系DRAM廠中制程轉換速度最快的業者，旗下8萬片12寸晶圓廠領先在2011年轉進40納米制程，日前又在30納米制程上搶得頭籌，且比原訂進度提前1個月達陣，在全球競爭力上更上
2011-11-23 09:12:49402 根據Computer World報導，英特爾今年底就將開始導入 7 納米晶圓制程，時間提前于臺積電與三星等競爭者，鞏固其半導體龍頭的位置。日前，英特爾在盈余電話會議上宣布，為了進一步探索芯片生產工藝
2017-02-05 01:11:44371 針對未知協議幀切分技術存在的效率較低的問題，提出基于前導碼挖掘的未知協議幀切分技術。首先介紹前導碼作為標識鏈路幀起始位置的原理，分析候選序列選取問題是現有頻繁序列挖掘方法無法對長度較長的前導碼進行
2017-12-06 16:53:08
0 三星的DRAM市場表現十分強勁，并在近日宣布量產其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求，三星將在明年擴大第一代DDR4 DRAM的產量。
2017-12-27 11:22:38834 根據市場研究公司IC Insights的資料，新的半導體制造產線——特別是DRAM存儲器的導入，預計將推動2018年和2019年的晶圓總產能高于平均水準。
2018-07-06 12:51:001018 在晶圓代工市場，臺積電與三星的競爭始終是大家關心的戲碼。三星雖然有高通等VIP客戶，但在7納米制程節點，高通預計會轉投臺積電，三星要想受更多客戶的青睞，只能從制程技術著手了。這也是三星為什么跳過
2018-06-19 15:06:004522 2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 評論: 0 | 來自: 半導體產業網 摘要 : 10納米級DRAM先進制程競爭逐漸升溫，三星電子在2017年率先宣布量產第二代10納米(1y
2018-11-12 18:04:02253 小米的小米9與vivo的iqoo形成了激烈的競爭，兩款手機配置相似，定價相當，成為直接的競爭對手，小編認為兩家企業的激烈競爭其實最大受益者應該提供了高端芯片驍龍855的高通。
2019-03-10 09:39:341855 繼臺積電、三星晶圓代工、英特爾等國際大廠在先進邏輯制程導入極紫外光（EUV）微影技術后，同樣面臨制程微縮難度不斷增高的DRAM廠也開始評估采用EUV技術量產。三星電子今年第四季將開始利用EUV技術生產1z納米DRAM，SK海力士及美光預期會在1α納米或1β納米評估導入EUV技術。
2019-06-18 17:20:312438 DRAM廠商在面對DRAM價格不斷下跌的困境下，已經在考慮導入EUV技術用于制造DRAM，主要目的是為了降低成本。
2019-06-21 09:10:012047 2019年上半DRAM價格下跌壓力沉重，盡管上游產能調節以及傳統旺季拉貨需求逐漸回升，預料將有望支撐跌價趨緩，為了提高生產效益及拉大競爭差距，DRAM大廠競相推進下一代制程技術。
2019-06-21 16:43:142335 在晶圓代工龍頭臺積電幾乎通吃市場7納米制程產品的情況下，競爭對手三星在7納米制程上幾乎無特別的訂單斬獲。為了再進一步與臺積電競爭，三星則開始發展6納米制程產線與臺積電競爭，而且也在2019年12月開始進行量產。三星希望藉由6納米制程的量產，進一步縮小與臺積電之間的差距。
2020-01-07 15:16:102524 美國美光科技開始提速EUV DRAM。加入到三星電子、SK海力士等全球第一、第二EUV廠商選擇的EUV陣營后，后續EUV競爭或將更為激烈。
2020-12-25 14:43:131642 均有重大突破。 ? 美光表示，對比上一代的 1z DRAM 制程，1α 技術將內存密度提升了 40%。 美光計劃于今年將 1α 節點全面導入其 DRAM 產品線，從而更好地支持廣泛的 DRAM 應用領域——為包括移動設備和智能車輛在內的各種應用提供更強的性能。 美光的 1α 技術節點使內存解決方
2021-01-27 13:56:031970 美光本周二公布其用于DRAM的1α新工藝，該技術有望將DRAM位密度提升40%，功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產DDR4和LPDDR4內存，未來或將但覆蓋美光所有類型的DRAM。
2021-01-29 15:03:442202 英特爾已大規模生產7納米芯片 4納米半芯片準備中 并將導入3納米 英特爾期望能夠在2030年前成長為全球第二大晶圓代工廠，為了能夠實現這個預期目標，英特爾將投資800億美元在美國和德國建設新的芯片
2022-12-07 14:21:402860 化挑戰都是重大的。特別是，ASML 報告說，當中心到中心（center-to-center）值達到 40 nm 時，即使對于 EUV ，也不推薦使用單一圖案化。在本文中，我們將展示對于 12 納米及更高節點的 DRAM 節點，電容器中心到中心預計將低于 40 納米，因此需要多重圖案化。
2023-01-30 16:40:502898 化挑戰都是重大的。特別是，ASML 報告說，當中心到中心（center-to-center）值達到 40 nm 時，即使對于 EUV ，也不推薦使用單一圖案化。在本文中，我們將展示對于 12 納米及更高節點的 DRAM 節點，電容器中心到中心預計將低于 40 納米，因此需要多重圖案化。
2023-02-07 15:08:55381 近期的演示會上，美光詳細闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出，DRAM工藝的每一個節點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發復雜。
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