以前，芯片提供商想辦法通過晶體管和工藝技術來降低功耗。雖然晶體管是產生功耗的主要原因，但并非唯一因素，而且通過晶體管來降低功耗作用是有限的。
2011-08-18 08:50:55
815 。 8050晶體管及其等效的8550晶體管設計用于低功耗推挽放大器應用中的互補晶體管對。通常，8050晶體管是2瓦放大器，最大集電極-發射極電流為1.5安培，最大集電極-發射極電壓為25伏?！ 』?b class="flag-6" style="color: red">晶體管
2023-02-16 18:22:30
采取一些特殊的方法來應對上述兩個主要挑戰。 在功率管理方面，FPGA在130納米之前的各節點，每次升級都不需要考慮功耗問題，設計要以獲得晶體管升級帶來的全部性能為主。但在90納米之后，這種節點的升級變成
2019-05-20 05:00:10
）Arcotii OTII-ARC-001 QOITECH 電源分析記錄儀，當天發貨-淘寶網 (taobao.com)Arcotii OTII-ARC-001這款設備目前的使用面不是太廣，有一些比較知名的對低功耗
2020-12-28 22:59:20
晶體管技術方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象，有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
判定前：晶體管的選定～貼裝的流程晶體管可否使用的判定方法1. 測定實際的電流、電壓波形2. 是否一直滿足絕對最大額定值？3. 是否在SOA范圍內？4. 在使用環境溫度*1下是否在下降的SOA范圍內
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y構
2010-08-12 13:59:33
統通過VCCS輸入，取平均等技術獲得較理想的測試結果。目前能夠完成三極管輸入、輸出特性曲線、放大倍數、開啟電壓等參數以及二極管一些參數的測定，并能測試比較溫度對這些參數的影響。系統具有通用的RS232 接口和打印機接口，可以方便的將結果打印、顯示。關鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數
2012-08-02 23:57:09
` 《晶體管電路設計（下）》是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設計技術的基礎知識和基本實驗，內容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
一、晶體管開關電路：是一種計數地接通-斷開晶體管的集電極-發射極間的電流作為開關使用的電路，此時的晶體管工作在截止區和飽和區。當需要輸出大的負載電流時，由于集電極電流(負載電流)是放大基極電流而來
2021-10-29 09:25:31
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
題庫來源：特種作業?？碱}庫小程序1.晶體管特性圖示儀的功耗限制電阻相當于晶體管放大電路的( )電阻。 BA.基極B.集電極C.限流D.降壓2.集成運放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
從事電子設計7年了，發覺這兩本書挺好的，發上來給大家分享一下附件晶體管電路設計（上）放大電路技術的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設計（下）FET_功率MOS_開關電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
IC一般不能超出ICM。(3) 集電極最大允許功耗PCMPCM是指晶體管參數變化不超出規定允許值時的最大集電極耗散功率。使用晶體管時，實際功耗不允許超過PCM，通常還應留有較大余量，因為功耗過大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
的電流、電壓和應用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。首先是基礎性的內容，來看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-07-23 00:07:18
100V到700V，應有盡有．幾年前，晶體管的開關能力還小于10kW。目前，它已能控制高達數百千瓦的功率。這主要歸功于物理學家、技術人員和電路設計人員的共同努力，改進了功率晶體管的性能。如(1)開關晶體管
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-05-05 00:52:40
晶體管的基極電流發生變化時，其集電極電流將發生更大的變化或在晶體管具備了工作條件后，若從基極加入一個較小的信號，則其集電極將會輸出一個較大的信號。 晶體管的基本工作條件是發射結（B、E極之間）要加上
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設備與不同的電子電路，對晶體管各項性能指標的要求是不同的。所以，應根據應用電路的具體要求來選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號處理（例如
2012-01-28 11:27:38
強弱。控制能力強，則放大大。但如果要從晶體管內部的電子、空穴在PN結內電場的作用下，電子、空穴是如何運動的、晶體管的內電場對電子、空穴是如何控制的等一些物理過程來看，就比較復雜了。對這個問題，許多
2012-02-13 01:14:04
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上  
2010-08-12 13:57:39
向左：超低功耗，低速計算。圖1.將功耗性能曲線向高速方向移動的一些技術，同時通過功耗管理拉低整條曲線。Muller說，這是長壽命電池和低功耗的范圍。這里的問題是，怎樣以很低的能量來完成少量的計算。今天
2014-09-02 14:55:03
CC2530芯片 ZED 和ZC,在組網正常的情況下，ZED可以進入低功耗模式，電流在uA級別。當關閉ZC后，ZED會持續的進行網絡發現，無法進入低功耗模式。電流達28mA；求教，如何降低ZC發現網絡的頻次以降低功耗？或者有其他什么方法來降低功耗？
2016-04-07 14:19:54
技術亞閾值漏電流是靜態功耗產生的主要原因之一，降低亞閾值漏電流將有效地降低芯片的靜態功耗。亞閾值漏電流的解析模型如下公式所示：Vt為閾值電壓，n為亞閾值擺幅系數，W為晶體管的寬度，L為長度，μ為電子
2020-04-28 08:00:00
的高功率晶體管產品組合。我們目前的產品提供超過80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導體技術。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統方案
2019-04-15 15:12:37
：IB3042-5產品名稱：晶體管Integra于1997年由一些企業工程師發起，他們相信他們可以為新一代雷達系統設計人員提供創新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場的款產品是采用我們獲得的新半導體
2019-05-14 11:00:13
NPN晶體管排列和符號在解釋原理之前，我們先來了解一下NPN晶體管的基本結構和符號。要識別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發射極（e）。圖1.NPN 晶體管結構和符號NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
低功耗設計中，晶體管控制電路會對電路產生一定的影響。無論是NPN還是PNP，晶體管的PN結都會有漏電流。當I/O控制基極電壓時，為了穩定基極電壓，一般在NPN開關電路的基極上加一個下拉電阻。在PNP開關電路的設計中，基極增加了一個下拉電阻。上拉和下拉電阻根據控制芯片、晶體管和電路電壓進行選擇。
2023-02-15 18:13:01
、發射極和集電極。為了識別NPN和PNP晶體管，我們有一些標準的電阻值。每對端子必須在兩個方向上測試電阻值，總共進行六次測試。這種方法對于快速識別PNP晶體管非常有益。我們現在可以觀察每對終端的運行方式
2023-02-03 09:44:48
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
繼前篇內容，繼續進行各功率晶體管的比較。本篇比較結構和特征。功率晶體管的結構與特征比較下圖是各功率晶體管的結構、耐壓、導通電阻、開關速度的比較。使用的工藝技術不同結構也不同，因而電氣特征也不同。補充
2018-11-30 11:35:30
電源完整性解決方案確保我們在降低功耗的同時還能保證極其嚴格的晶體管級的精度要求。我們也使用了Voltus IC電源完整性方案實現在模塊層面的完整性，憑借業內一流的電源簽收解決方案不斷優化我們的移動設備
2018-09-30 16:11:32
。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中
2010-08-13 11:36:51
cogobuy降低功耗的措施 每個廠商對于降低功耗都有不同的處理方式。雖然每個MCU都有休眠狀態或都有可能實現很低的工作耗電量，但是有的芯片在處于很低功耗的時候，基本功能也所剩無幾了，沒有
2012-03-23 11:18:31
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
變化對系統的積極作用 凡事都有兩面性，雖然芯片中晶體管的老化對電子產品不是好事，但其功耗卻隨著時間的推移而降低，這是英國南安普頓大學電子工程教授Bashir Al-Hashimi在一系列仿真和試驗后
2017-06-15 11:41:33
現在蘋果的a12晶體管的數量都到100億了，晶體管數量也不比x86低了，為什么還能還能保持低功耗，同樣用arm cpu的路由器功率卻越來越大？
2018-11-02 09:55:21
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
200，000個電子，而單個電子晶體管僅包含一個或幾個電子，因此將大大降低功耗并提高集成電路的集成度。1989年，J.H.F.Scott-Thomas等研究人員發現了庫侖阻塞現象。當施加電壓時，如果量子點中
2023-02-03 09:36:05
電子產品中。這種氧化物是個好選擇，因為它能與AlGaN/GaN形成良好的肖特基接觸，并在GaN晶體管中起到柵極的作用。有一些報道證實在氮化鎵晶體管中可存在銦錫氧化物（ITO）柵極，并且已經表明，在氮化鎵器件
2020-11-27 16:30:52
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
兩種比光敏二極管產生更高輸出電流的光敏器件的一些基本信息: 光敏晶體管和光敏集成電路。后一個術語指的是基本上是一個光電二極管和放大器集成到同一封裝。什么是光電晶體管？光電二極管可以產生光電流，因為它的結
2022-04-21 18:05:28
年代和 1960 年代，它也被稱為超級阿爾法對。Darlington認識到這種設計對發射極-跟隨電路的諸多優勢，并為這一概念申請了專利?！ ∵_林頓晶體管通常具有低功耗、高增益的特性，使其對輸入電流
2023-02-16 18:19:11
場效應管的演變 鰭式場效應晶體管的未來發展前景 FinFET在5nm之后將不再有用，因為它沒有足夠的靜電控制，需要晶體管的新架構。然而，隨著技術節點的進步，一些公司可能會出于經濟原因決定在同一節點上
2023-02-24 15:25:29
嗨，
我正在嘗試使用 2N7000 晶體管切換一些 12v 設備。整個電路工作正常，但我的 ESP 變得非常熱（超過 50 C）。目前我在 GPIO 和 GND 之間只有下拉電阻。但是，我認為熱量
2023-04-28 06:59:43
，但也降低了開關速度。此外，降低晶體管閾值電壓，會導致更多的問題，例如抗噪聲能力，泄漏電流。 較低的電壓擺幅使芯片與外部設備接口變得更加困難。2、時鐘門控時鐘門控是一種動態功耗降低方法，在寄存器存儲
2022-04-12 09:34:51
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發展?！?、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發展?！?、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
做了一個單結晶體管仿真（電力電子技術的初學者）。有個問題請教于各位高手。1：開關初始時刻是閉合的時候，點擊仿真，發光二極管不亮 。:2：初始時刻，開關打開，點擊仿真后，點擊開關閉合，二極管開始閃爍。按照道理來說。情境1與情境2不應該是一樣的嗎，為什么會有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場效應晶體管是一種改變電場來控制固體材料導電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒有
2012-08-03 21:44:34
的時候gate電壓不足，引起導通不夠徹底，從而增加功耗。3、場效應晶體管雙電壓應用：在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方
2019-04-16 11:22:48
hfe或β表示。hFE或β既有區別又關系密切，兩個參數值在低頻時較接近，在高頻時有一些差異。（二）耗散功率耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數變化不超過規定允許值時的最大集電極耗散
2012-07-11 11:36:52
晶體管開關對電子產品至關重要。了解晶體管開關，從其工作區域到更高級的特性和配置。 晶體管開關對于低直流開/關開關的電子設備至關重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態下工作。一些電子設備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何使用PWM控制繼電器來降低功耗？
2022-02-17 06:31:28
復雜器件專業技術相結合，將為系統供應商提供低功耗的芯片方案，供他們在此基礎上持續提高帶寬容量，并完成更智能的處理。此外，TPACK提供的芯片解決方案可以導入到最新的FPGA中，進一步降低功耗。最終實現
2019-07-31 07:13:26
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
。例如，需要合適的接口電路以在不同的強度和條件下提取最大電流。但是，確保應用的有效性還需要了解光電晶體管和光電二極管的工作原理以及二者之間的差異。本文將討論這些器件的工作原理、一些關鍵的參數考慮因素、器件應用的一些細微差別以及一些解決方案示例。
2021-01-12 07:56:44
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
使晶體管工作會產生電氣負載和熱負載。對晶體管來講，負載太大壽命會縮短，最壞的情況下會導致晶體管被破壞。為防止這種情況，需要檢查實際使用狀態，并確認在使用上是否有問題。這里說明一下具體的判定方法。為
2019-05-05 09:27:01
節省功耗的特性的實現和各種最少功耗數據存儲技術的實現。除此之外，設計中采用一些低功耗技巧，也可以降低靜態功耗?！ GLOO具有功耗友好的器件架構，能提供靜態、睡眠、Flash*Freeze功耗模式
2020-05-13 08:00:00
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
)，并得到規定的輸出電流時需要的最小輸入電壓，即數字晶體管導通區域的最小輸入電壓值。因此，如果要從ON狀態變為OFF狀態，需要進一步降低該最小輸入電壓值，所以正常產品的電壓值低于這個數值。VI(off
2019-04-09 21:49:36
的最小輸入電壓，即數字晶體管導通區域的最小輸入電壓值。因此，如果要從ON狀態變為OFF狀態，需要進一步降低該最小輸入電壓值，所以正常產品的電壓值低于這個數值。VI(off)Max.：輸入電壓
2019-04-22 05:39:52
電容在波形上升、下降時基極電流變大，加速開關過程。在實際當中晶體管由截止狀態到導通狀態的時間也縮短了，仿真的結果稍有偏差。在實際應用中，加速電容的值要通過觀察開關波形來決定。加速電容是一種與減小R1值
2023-02-09 15:48:33
能通過一些辦法來降低功耗
2023-10-13 08:25:10
MOSFET：在硅上采用硅鍺結構是改善性能的一種方法。Intel近期展示了一款高速低功耗量子阱場效應晶體管。這種P溝道結構將基于40nm InSb材料。5. 基于通孔硅技術的3D芯片：Sematech近期透露了建立基于通孔硅技術的300mm 3D芯片研發計劃。
2014-01-04 09:52:44
晶體管的半導體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術在市場上確立了自己的地位，但在軟開關應用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關應用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關轉換器（如LLC）對效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
我在設計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發射極調換了?！罢！狈绞绞怯?1：基極，2：發射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發射極。引腳號與此圖像相關：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
電子產品中，近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代，但目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">晶體管是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多
2016-01-26 16:52:08
` 引言 在功率變換器應用中，寬帶隙（WBG）技術日益成為傳統硅晶體管的替代產品。在某些細分市場的應用場景中，提升效率極限一或兩個百分點依然關系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應用優勢
2021-01-19 16:48:15
時，它被用于低壓應用。相比CMOS邏輯電路，采用一個NMOS和一個閾值電壓不同PMOS晶體管搭建而成。CMOS邏輯電路采用低閾值設計，保證了電路的速度和性能。VTCMOS利用基極偏壓效應來降低功耗
2020-07-07 11:40:06
如今隨著芯片制程的不斷提升，芯片中可以有100多億個晶體管，如此之多的晶體管，究竟是如何安上去的呢？ 這是一個Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看見CPU內部的層狀結構
2020-07-07 11:36:10
stm32進入低功耗模式，必須用中斷來喚醒，現在就是不用這種模式，如何通過程序來降低功耗啊
2019-05-06 18:43:22
雙極性晶體管與MOSFET對比分析哪個好？
2021-04-20 06:36:55
如何利用FPGA設計技術降低功耗？
2021-04-13 06:16:21
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
集成電路來實現一些常見的功能，如擴流、恒流、穩壓等。本文也就正是基于這方面，和大家分享一下晶體管的使用心得，希望能對初學者有一定的幫助，老司機可以直接忽略在下的班門弄斧了。首先來看一個負載控制的實例
2016-06-03 18:29:59
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
;span]除了使用多柵結構提高器件的柵控能力和S小于60mV/decade的TFET，另一種減小集成電路功耗的方法是降低晶體管的工作電壓Vdd。傳統的MOSFET等比例縮小原則假設閾值電壓也能等比例
2018-10-19 11:08:33
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