還有一天時間，魅族新機魅藍X即將發布，根據之前的爆料信息，除了亮眼的外觀設計與Flyme 6系統，魅藍X還將首發搭載聯發科Helio P20處理器，或許是這款新機最大的亮點。

　　Helio P20是聯發科首顆采用16nm FinFET制程工藝的處理器，同時是全球首款支持LPDDR4X規格內存的移動處理器，內存工作電壓由1.1V大幅降低至0.6V；AP部分仍然是8個Cortex-A53核心，但主頻提升到2.3GHz；GPU部分為Mali-T880 MP2，相比P10主頻由700MHz提升至900MHz；遺憾的是，存儲仍停留在eMMC 5.1標準。

　　隨著聯發科Helio P20處理器登場，2016年智能手機處理器市場已成定局，各個廠商早已摩拳擦掌，開始進入10nm級軍備競賽，2017年將或許是智能手機處理器競爭最激烈的一年。

　　今天，電子發燒友就和大家一起展望一下2017年智能手機的旗艦級處理器，暢想未來一年的旗艦機在全新處理器的加持下將會有怎樣的進步。

　　▲近日，產業鏈人士以手頭的相關資料制作了高通、聯發科、華為三家明年新旗艦處理器的參數對比圖表。

　　1、高通驍龍835

　　高通于11月17日公布了下一代旗艦級驍龍處理器——驍龍835，將采用三星10nm FinFET制程工藝，支持高通新一代快充技術Quick Charge 4（即QC 4）。

　　那么，10nm到底有多小呢？它是幾十個水分子的尺寸，也可以說是一根頭發絲直徑的千分之一。10nm制程芯片面積遠遠小于14nm制程芯片，這意味著廠商有更多的空間來為智能手機設計更大的電池或更纖薄的機身。

　　與其上一代14nm FinFET工藝相比，三星10nm工藝可以在減少高達30%的芯片尺寸的基礎上，同時實現性能提升27%或高達40%的功耗降低。工藝的改善加上更先進的芯片設計，能夠顯著延長手機續航時間。

　　驍龍835可能將回歸big.LITTLE八核設計，采用Kyro 200架構，頻率可達3.0GHz以上；GPU部分為Adreno 540；LPDDR4X內存以及UFS 2.1閃存標準都將是必不可少的；驍龍835也將是全球首款搭載X16千兆基帶的移動SoC，支持Cat.16，下行速率可達1Gbps。

　　與QC 3.0相比，高通新一代快充技術Quick Charge 4充電速度快了20%，充電效率提高30%，而充電溫度下降5°C。高通方面將QC 4稱為“充電五分鐘，使用五小時”，可在15分鐘之內將一部智能手機從零電量充到50%電量。

　　QC 4與前幾代相比在許多方面有突破，它兼容USB Type-C和USB Power Delivery（USB PD），采用最佳電壓智能協商（INOV）算法第3版，支持Dual Charge與Battery Saver技術。

　　日前，業內人士@Kevin王的日記本在微博中表示驍龍835在海外將首發于三星Galaxy S8，國內將由小米6首發，這兩款旗艦機型最早明年三月開賣，LG與HTC等廠商也將相繼發布搭載驍龍835的旗艦機型。相信驍龍835將是明年安卓旗艦機型的標配處理器。

　　2、聯發科Helio X30

　　今年9月份，聯發科發布了全球首款采用10nm制程工藝的移動處理器Helio X30，這是聯發科第二代三叢集架構十核處理器。

　　Helio X30采用的是來自臺積電的10nm工藝，AP部分包括2顆主頻最高可達2.8GHz的Cortex-A73核心，4顆主頻為2.3GHz的Cortex-A53核心，以及4顆主頻為2.0GHz的Cortex-A35核心。其中，A73是大核心主攻性能，A53和A35為主打功耗的小核心，A35在能耗比上擁有更好的表現。相比較Helio X20，X30有53%的功耗降低和43%的性能提升

　　在GPU方面，聯發科破天荒地拋棄了一直采用的ARM Mali系列，Helio X30將整合四核心Imagination PowerVR 7XTP，PowerVR系列GPU也一直是iPhone搭載的A系列處理器的標配，在性能上將會有不俗的表現。

　　Helio X30將最高支持8GB的LPDDR4X運存，支持UFS 2.1閃存標準，搭載雙ISP最高支持2800萬像素攝像頭，基帶方面也將支持三載波聚合以及Cat.10。

　　憑借工藝制程進步與GPU方面的升級，聯發科Helio X30的跑分數據已超過了驍龍821的平均水準，其性能值得期待，但是希望聯發科能夠進一步優化三叢集架構，不會再出現“一核有難，七核點贊，兩核圍觀”的尷尬表現。

　　聯發科Helio X30定位于2000-3000元價位中高端智能機，有望于明年一季度正式量產，很可能由魅族PRO 7首發，后期也有可能由紅米Note系列、360手機N系列等好隊友將Helio X30帶到千元價位。

　　3、三星Exynos 8895/9xxx

　　三星Exynos 8895是Exynos 8890的升級版，將采用三星自家的10nm制程工藝。

　　此前微博用戶@i冰宇宙爆料稱，三星Exynos 8895處理器默認頻率高達3.0GHz，雙核睿頻3.4GHz，通過開發者的定制內核超頻可到3.8GHz，GPU確定采用Mali-G71。

　　之后該用戶又帶來了Exynos 8895的其他信息，早期工程版單線程跑分2301、多線程7019，CPU經過架構優化，滿載功耗低于5w，另外考慮到Galaxy S8將可能采用雙攝像頭，ISP預計提升性能70%～80%。

　　受限于基帶方面技術與專利等問題，今年三星旗艦Galaxy S7搭載了高通驍龍820，不過也有一部分地區銷售的S7采用的是自家的Exynos 8890處理器，因此不出意外的話，三星下一代旗艦Galaxy S8也會延續同樣的策略，部分采用Exynos 8895處理器。

　　也有一種可能Exynos 8895只是三星例行的增強版年度處理器而已，真正的新旗艦芯片會是Exynos 9xxx系列，CPU與GPU性能都將獲得提升。

　　三星有可能將支持全網通的Shannon調制解調器集成于Exynos處理器，與高通形成直接競爭，這樣不依賴高通也能夠實現所有的Galaxy旗艦機型標配Exynos處理器。不過，Shannon調制解調器在2017年第三季度之后才能出貨，Galaxy S8還是無法避開高通驍龍處理器，所以我們或許會在Galaxy Note 8上見到支持全網通的Exynos處理器。

　　4、蘋果A11 Fusion

　　今年蘋果iPhone7采用雙大核+雙小核設計的四核A10 Fusion處理器，在處理器性能方面又實現了大幅度的提升，我們可以看到蘋果在加快自家芯片的發展步伐，同時更加期待對于2017年的iPhone所搭載的A11 Fusion處理器。

　　臺積電已經確認將在2016年底或2017年年初實現10nm工藝制程的量產，并將為整個2017年的芯片提供生產技術支持，所以我們基本可以確定蘋果A11 Fusion處理器將會采用10nm工藝制程。

　　得益于10nm工藝，在既定的面積的芯片中，蘋果能夠在A11 Fusion芯片中塞進比A10更多的晶體管，CPU及GPU性能將會有跨越式的進步，功耗比將會進一步提升。

　　蘋果更擅長的是底層架構的改進，大家肯定對雙核的A9處理器印象深刻，雙核就能比拼四核甚至八核的處理器性能，所以A11 Fusion必然會在架構方面改進，將有望再一次實現性能的成倍增長。

　　至于A11 Fusion的性能進步能達到什么程度，現在下結論還太早，讓我們對明年的新一代iPhone拭目以待吧。

　　5、華為海思麒麟970

　　華為于本月初發布了首次搭載麒麟960處理器的華為Mate 9系列，這是首款采用A73+G71架構的處理器，估計明年的華為P10以及榮耀9系列手機將搭載該處理器。

　　華為剛剛發布了麒麟960，那么麒麟970恐怕將會是最神秘的處理器，根據一年的更新周期，該處理器可能在明年年底前發布。

　　根據業內人士收集的信息，麒麟970也將采用臺積電10nm制程工藝，與麒麟960同樣采用4*Cortex-A53+4*Cortex-A73的八核心設計，A73核心的主頻可能會在2.8GHz-3.0GHz之間；GPU部分可能會繼續沿用G71架構，核心頻率以及核心數可能會有一定的升級；基帶方面將會支持到Cat.12。

　　麒麟970首發機型可能仍是華為自家商務旗艦Mate系列，有可能命名為Mate 10或者Mate X。

　　在明年的10nm級智能手機處理器軍備競賽中，各個廠商都將會祭出獨門大招，秀出看家的調校秘籍，以期達到更強的性能，實現優秀的功耗比，給用戶帶來更好的體驗，至于鹿死誰手，電子發燒友將與您共同關注。