0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數(shù)字電位器，能夠?qū)崿F(xiàn)機(jī)械電位器的功能，用簡(jiǎn)單的2線數(shù)字接口取代機(jī)械調(diào)節(jié)。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
64794分析儀 D 256K跟蹤深度仿真總線分析儀，128 KB
2019-01-21 10:53:04
概述:FM1808是RAMTRON公司生產(chǎn)的一款256K位并行存儲(chǔ)芯片。該FM1808是256千比特的非易失性存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的鐵電工藝。鐵電隨機(jī)存取記憶體或FRAM是非易失性的，但在其他方面工作的RAM。
2021-04-21 07:52:40
DS1243, DS1243Y資料介紹,64k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
保持新鮮一般說明DS1553是一個(gè)全功能、符合2000年（Y2KC）標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷（RTC），帶有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)視器和8k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS
2020-09-17 17:24:23
特征?集成NV SRAM、實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC）、晶體、電源故障控制電路和鋰能源?時(shí)鐘寄存器與靜態(tài)RAM訪問相同；這些寄存器位于16個(gè)頂級(jí)RAM位置?世紀(jì)字節(jié)寄存器（即符合Y2K）?完全不易揮發(fā)，在斷電
2020-09-16 17:17:42
電路,周期中斷/方波選擇電路,14字節(jié)時(shí)鐘和控制單元,114字節(jié)用戶非易失RAM,十進(jìn)制/二進(jìn)制累加器,總線接口電路,電源開關(guān)寫保護(hù)單元和內(nèi)部鋰電池等部分組成。DS12887引腳分配如圖1：Vcc
2008-10-08 11:18:25
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
易失性標(biāo)準(zhǔn)兼容架構(gòu)。全局時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)中多達(dá)4條全局時(shí)鐘線，驅(qū)動(dòng)整個(gè)器件。提供可編程的快速傳播延遲和時(shí)鐘至輸出時(shí)間。UFM支持高達(dá)256千位的非易失性存儲(chǔ)。支持3.3、2.5、1.8和1.5邏輯電平可編程壓
2022-08-10 09:47:44
等待區(qū)（ZW）使用，96K劃給用戶使用作為RAM使用256K的非零等待區(qū)里可以通過軟件配置將其中的128K劃出來給用戶作為RAM使用，那么此時(shí)用戶就有96+128K RAM可以使用，這224KB
2020-11-20 21:25:08
）， 器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn)，與標(biāo)準(zhǔn)MCS-51指令系統(tǒng)及8052產(chǎn)品引腳兼容，片內(nèi)置通用8位中央處理器（CPU）和Flash存儲(chǔ)單元，功能強(qiáng)大AT89C52單片機(jī)適合于許多較為復(fù)雜控制應(yīng)用場(chǎng)合。
2020-07-20 17:17:17
CC2541oad在生成ImageB.bin超過256k flash？那個(gè)大神用過cc2541的 oad功能嗎？？？在生成ImageB.bin時(shí)，ImageB.bin文件過大 ，超過
2016-03-16 14:56:17
CC3200內(nèi)部RAM容量最大值只有256K，可以外部擴(kuò)展嗎？如果可以，希望能提供參考資料，希望TI員工能協(xié)助解決，謝謝！
2018-06-07 00:11:17
bq4011是一個(gè)非易失性262144位靜態(tài)RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標(biāo)準(zhǔn)SRAM的無限寫入周期相結(jié)合。控制電路持續(xù)監(jiān)測(cè)單個(gè)5V電源是否超出公差條件。當(dāng)
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
DIY計(jì)劃簡(jiǎn)介STC15F2K60S2簡(jiǎn)介：STC-Y5高速內(nèi)核，工作頻率可配置為1T（sysclk=mclk）2K RAM(256字節(jié) idata + 1792字節(jié) xdata) + 60K
2021-11-25 08:55:06
? ?]],
? ?l1PMode:"32K",
? ?l1DMode:"32K",
? ?l2Mode:"128K"
]
由此可以看出L2中256K的容量
2018-06-21 04:58:12
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會(huì)忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級(jí)，您可以放心，因?yàn)樵谑覝叵拢臄?shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
Dallas Semiconductor推出DS3501 7位非易失數(shù)字電位器(digipot)，器件具有高達(dá)15.5V的輸出電壓。該器件是第一款內(nèi)置溫度傳感器、ADC以及查找表(LUT)的高度
2018-11-19 17:09:27
（UIT88T BADD），EEPROM具有256K？一只蟲子？換成UTIN 16 BADD？？ 以上來自于百度翻譯 以下為原文 In memory.h generated by MCC
2019-03-07 12:22:02
`參考文檔里說，M9K支持從8192x1一直到256x36的配置，那么如果設(shè)計(jì)了兩個(gè)4096x1的RAM，那么會(huì)是在同一個(gè)M9K里面嗎？又或者四個(gè)2048x1呢，或者兩個(gè)2048x2`
2015-07-18 20:09:46
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在繼承了GW1N-1/2/4的眾多優(yōu)點(diǎn)的基礎(chǔ)上，加入了多項(xiàng)創(chuàng)新的特性，使得高云半導(dǎo)體在非易失性FPGA領(lǐng)域逐步建立了領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)
2017-08-30 10:18:00
M32D1NP-062 AAT:CMT53E256M32D2DS-053 WT:BMT53B384M64D4NK-062 WT:AMT53B512M32D2NP-062 WT:CMT53D512M32D2DS-053 AIT
2019-08-30 16:46:35
針腳 QFN 封裝和 3.5x3.8mm 64 球形直接晶片構(gòu)裝之晶圓級(jí)封裝 (WLCSP)。nRF51822 提供 256k 或 128kB Flash 容量的不同版本。歡迎交流qq 1433511556
2016-07-03 11:18:34
F407的規(guī)則同步ADC采集如何 實(shí)現(xiàn)256k采樣+轉(zhuǎn)換速度？
2024-03-07 07:51:02
最近看STM32F429的手冊(cè)，了解到RAM工256K其中64K是CCRAM另外三塊是地址連續(xù)的RAM，大小分別是112K 16K 64K想知道為什么地址連續(xù)還要分成這樣三塊，有什么意義嗎？為什么不像407或者405一樣，直接兩塊：64KCCRAM+128K默認(rèn)RAM？求了解的大俠指教。謝謝。
2019-01-03 09:52:32
我們正在嘗試在STM32WB55RC上加載 stm32wb5x_Zigbee_FFD_fw.bin，但發(fā)行說明中的??地址表顯示 FFD 堆棧為 0x00，STMCube 程序員給出了錯(cuò)誤地址錯(cuò)誤。256K 閃存設(shè)備的 Zigbee 堆棧的實(shí)際地址是什么？
2022-12-23 09:03:11
你好，我在使用ch32v307 時(shí)有個(gè)疑惑，默認(rèn)情況下 ch32v307的ROM 256K，RAM 64K。通過相關(guān)配置可以變成 ROM 192KB，RAM 128KB。那么原來ROM256K變成
2022-06-20 07:39:25
: ORIGIN = 0x20417000, LENGTH = 0x00001000 /* 4k */
ram_rsvd2: ORIGIN = 0x204180 00, LENGTH = 0 /* SRAM
2023-06-08 07:51:01
stm32f103rct6芯片的閃存是256K，但是當(dāng)我存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的地址設(shè)到300K還是可以正常存儲(chǔ)，不知道為什么？
2019-03-01 07:30:52
世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。
2019-09-16 10:31:20
目前在做單片機(jī)選型，需要大概4K RAM，32K FLASH，2K EEPROM的，有推薦的嗎。自己就知道一些STM的和STC的，但是STC RAM空間太少了，外擴(kuò)的話沒有經(jīng)驗(yàn)，也不知道外擴(kuò)芯片的價(jià)格。總體價(jià)格當(dāng)然是越低越好了:lol
2020-04-16 04:54:39
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級(jí)用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設(shè)置功能通過編程使DS3902從地址置為128個(gè)可用地址之
2021-05-17 07:29:10
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個(gè)外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個(gè)輸入引腳和哪個(gè)是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
我應(yīng)該用什么API來存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊(cè)上說它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
32-bit Cortex-M4
Memories:
- SRAM: 32K
- App Flash: 256K
- ISP Flash: 4K
- Data Flash: 0~256K
變量運(yùn)行的時(shí)候是放ram中 ram只有32K
2023-06-13 08:36:12
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
RAM。我做到了，但最后剩下兩個(gè)9K Block RAM，我在設(shè)計(jì)中找不到它們。我怎么知道設(shè)計(jì)中那些2 9K Block RAM在哪里？以上來自于谷歌翻譯以下為原文Hi,I wanted
2019-06-06 07:23:18
) and128k x 8 nonvolatile static RAM. User access to all registers within the DS1746 is accomplished with abyte-wide interface a
2008-08-10 10:39:53
16 具有 CPU 監(jiān)控器和外部 NVSRAM 控制的符合 Y2K 的并行 RTC，5V Vcc Iq (Typ) (uA) 0.5 Features External SRAM
2022-12-02 13:48:32
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC報(bào)警、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個(gè)32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:48:54
具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-24 09:29:49
具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-24 09:32:13
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問。RTC
2023-07-24 09:41:00
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個(gè)字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問時(shí)間高達(dá)150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
DS1643, DS1643P 非易失時(shí)鐘RAM
概述
DS1643 is an 8K x 8 nonvolatile static RAM with a full function Real Time Clock (RTC) that a
2009-12-19 12:50:45
1037 
該DS1557是一個(gè)全功能實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC的同一個(gè)RTC報(bào)警，看門狗定時(shí)器，上電復(fù)位，電池監(jiān)控)，以及512K的× 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶訪問DS1557內(nèi)部所有寄存器完成了一個(gè)字節(jié)寬
2010-09-15 09:51:32730 
DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字
2010-09-28 09:05:42974 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581417 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:04998 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:53:311843 
DS1244,DS1244P具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘
2011-12-19 11:15:391685 
具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。
2012-01-04 10:49:181184 
DS1746是一個(gè)全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和128K×8非易失性靜態(tài)RAM
2012-03-19 16:28:12822 
The CY62146EV30 is a high performance CMOS static RAM organized as 256K words by 16 bits.
2017-09-14 15:07:217 The CY62138FV30 is a high performance CMOS static RAM organized as 256K words by 8 bits.
2017-09-14 15:22:175 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1554-70+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS1554-70+的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DS1554-70+真值表，DS1554-70+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-18 20:03:38
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1554P-70+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS1554P-70+的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DS1554P-70+真值表，DS1554P-70+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-18 20:53:55
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1554WP-120IND+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS1554WP-120IND+的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DS1554WP-120IND+真值表，DS1554WP-120IND+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-18 21:25:02
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1554P-70IND+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS1554P-70IND+的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DS1554P-70IND+真值表，DS1554P-70IND+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-18 21:34:49
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2022-11-18 21:35:11
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2022-11-18 21:36:15
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2022-11-18 21:45:20
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2022-11-18 21:52:04
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2022-11-21 21:51:02
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2022-11-21 21:51:13
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2022-11-21 21:55:30
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2022-11-21 22:54:58
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2022-11-21 22:55:25
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2022-11-21 22:55:43
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2022-11-21 22:56:11
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2022-11-24 20:17:57
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