0.13μm非易失性FRAM產品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數字電位器，能夠實現機械電位器的功能，用簡單的2線數字接口取代機械調節。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽頭非易失I2C線性數字電位器MAX5432資料下載內容主要介紹了：MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應用范圍MAX5432內部方框圖MAX5432極限參數MAX5432典型應用電路
2021-04-02 06:37:34
32抽頭非易失I2C線性數字電位器MAX5433資料下載內容包括：MAX5433引腳功能MAX5433功能和特性MAX5433應用范圍MAX5433內部方框圖MAX5433極限參數MAX5433典型應用電路
2021-04-02 07:32:20
（Microcontroller Unit, MCU）市場，最新推出95納米單絕緣柵非易失性嵌入式存儲器（95納米5V SG eNVM）工藝平臺。在保證產品穩定性能的同時，95納米5V SG eNVM工藝平臺以其低功耗、低成本
2017-08-31 10:25:23
談到內存，我們都會想到PC，對于單片機或者arm來說也是存在內存的，簡單的理解是：內存嘛……就是存放東西的地方，只不過這個東西是數據而已，好了，還是把重點放在mcu上面，對于一款mcu來說，在性能
2021-07-16 07:56:26
上。此設計工作在低功耗模式下，并可減少 CPU 工作量，進而有助于降低總體功耗。主要特色磁脈沖測量2.9uA 待機電流非易失性片上 FRAM 實時存儲支持 NFC 和低于 1GHz BoosterPack電池電壓監視器此終端設備設計已經過測試，并包含硬件、固件、GUI、演示和用戶指南
2018-08-23 12:08:52
nvSRAM的工作，隨后將介紹在企業級SSD中采用nvSRAM器件的具體細節。 非易失性SRAM（nvSRAM） nvSRAM在單個器件中完美結合了兩大CMOS技術：SRAM和SONOS非易失性技術
2018-09-26 09:44:52
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
經過超過八年的MRAM研發，Everspin MR2A16A是第一款4Mbit MRAM商業設備。該器件采用256K x 16位配置（圖1），并具有異步設計，帶有標準的芯片，寫入和輸出使能引腳
2020-09-15 14:20:31
隨機存取存儲器）和OUM(Ovshinsky電統一隨機存取存儲器)，三者科技內涵各有所長,市場預測尚難預料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關于非易失性MRAM的單元結構
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-16 07:21:39
，非易失性存儲器還需確保足夠的讀寫次數來記錄至少 20 年數據。此外，為了達到汽車級認證和資格，所有子系統應采用符合 AEC-Q100 標準的存儲器組件。同時，功能性安全性能符合ISO 26262標準是另外一
2018-05-21 15:53:37
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-10 07:20:20
（LPSB）下，其在25C時的泄漏電流小于55mA，相當于每比特的漏電流僅為1.7E-12A。對于32Mb數據，它具有100K個循環的耐久性，而對于1Mb的數據可以>1M個循環。它在260°C
2020-07-02 16:33:58
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
非易失可重復編程FPGA的應用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
AT87F51是一個低功耗，高性能CMOS 8位微控制器，帶有4K字節的快速閃存可編程只讀存儲器。該設備是采用Atmel的高密度非易失性內存技術和行業標準MCS - 51（TM）的指令集和引腳兼容
2013-09-03 11:39:03
的高密度、非易失性存儲技術生產，兼容標準MCS-51指令系統，片內置通用8位中央處理器和Flash存儲單元，功能強大的AT89LV55單片機可為您提供許多高性能低價位的系統控制應用場合。AT89LV55有
2013-11-12 16:00:24
bq4011是一個非易失性262144位靜態RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標準SRAM的無限寫入周期相結合。控制電路持續監測單個5V電源是否超出公差條件。當
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結合了賽普拉斯行業領先的SRAM技術和一流的SONOS非易失性技術。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標準信號和時序的常規異步SRAM。nv SRAM執行
2020-04-08 14:58:44
保持新鮮一般說明DS1553是一個全功能、符合2000年（Y2KC）標準的實時時鐘/日歷（RTC），帶有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監視器和8k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS1553
2020-09-17 17:24:23
?在引導閃存之間選擇 ?設置ASIC配置/配置文件 ?服務器 ?網絡存儲 ?路由器 ?電信設備 ?PC外圍設備 一般說明 DS4520是一個9位非易失性（NV）I/O擴展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數據。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數據保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
一些微控制器配有片載 EEPROM，這樣既提供了非易失性數據存儲器，還能節省板空間。然而，隨著數據安全變得愈發重要，許多現代嵌入式系統需要一種實用的方法，利用非易失性存儲器來安全地存儲數據，同時還可
2020-12-28 07:32:47
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-12 11:55 編輯
Flash全名叫做Flash Memory，屬于非易失性存儲設備(Non-volatile Memory Device)，與此
2018-06-12 09:52:07
Flash的硬件實現機制Flash全名叫做Flash Memory，屬于非易失性存儲設備(Non-volatile Memory Device)，與此相對應的是易失性存儲設備(Volatile
2018-07-18 15:50:36
飛思卡爾的Kinetis設備提供FlexMemory技術，該技術為靈活的內存使用提供了多功能和強大的解決方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM組成。
FlexNVM是一種非易失
2023-09-04 06:29:35
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在繼承了GW1N-1/2/4的眾多優點的基礎上，加入了多項創新的特性，使得高云半導體在非易失性FPGA領域逐步建立了領先優勢
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數據（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區域
2023-04-14 07:38:45
。然而，我很難找到描述 LPC55S69 的兩個內核如何訪問芯片上的靜態 RAM 和閃存資源的應用說明或技術規范。NXP 是否提供此類應用說明？我在哪里可以找到這個？我用各種搜索短語搜索了論壇，例如“雙關心內存
2023-04-12 08:54:14
在那里，我正在編寫一個應用程序的WYZBEE板從紅松信號。他們使用來自FM4的M9BFX6XM家族的M9MF568。對于我的應用程序，我試圖在非易失性工作快閃存儲器中存儲帳戶憑據和無線LAN配置。一
2019-11-01 10:53:50
非易失性MRAM芯片組件通常在半導體晶圓廠的后端工藝生產，下面英尚微電子介紹關于MRAM關鍵工藝步驟包括哪幾個方面.
2021-01-01 07:13:12
MSP430G 系列處理器是一款低成本16 位處理器，其并不具備 EEPROM。為了存儲非易失性數據，MSP430G 系列處理器在芯片內部劃分出了 256 字節的 Flash 空間作為信息
2019-10-18 09:00:50
我使用的是MPLAB X IDE v3.35、PicKit3和PIC32MX360F512L。我還在為應用程序的非易失性存儲保存這個內存的一個塊。考慮到一個512K的存儲設備，這個值是有意義
2019-11-05 15:39:52
Pango DesignSuite，可支持千萬門級FPGA器件設計開發高云半導體：推出中國首顆55nm嵌入式Flash SRAM非易失性FPGA芯片，實現可編程邏輯器件、嵌入式處理器無縫連接安路
2021-09-10 14:46:09
航空航天專用Everspin非易失性MRAM存儲器
2020-12-31 07:15:20
我在定制板上使用 STM32H745，帶有 Micron 閃存 (MT25QU512ABB)電路板經過測試，我能夠通過 QSPI 管理 NOR 內存。我試圖更改非易失性配置寄存器來設置兩件事：命令
2022-12-19 07:15:57
如題，MCU運行時的狀態不是易失的嗎，那每次上電時應該就是初始狀態。為什么還需要上電復位電路來在MCU上電時，給它復位呢？
2018-04-12 09:19:56
現代化戰爭對吸波材料的吸波性能要求越來越高，一般傳統的吸波材料很難滿足需要。由于結構和組成的特殊性，使得納米吸波涂料成為隱身技術的新亮點。納米材料是指三維尺寸中至少有一維為納米尺寸的材料，如薄膜
2019-08-02 07:51:17
器件為市場上的許多8位MCU提供了編譯器友好的替代方案。對了解FRAM來說，這些新型低成本MSP430 MCU器件是一個很好的切入點。FRAM為程序員提供了極大的靈活性，還具有作為非易失性程序和非易失
2019-07-25 04:45:11
菜鳥求助：一個外部設備的驅動加載后會自動在/dev下生成相應的設備文件，請問這個設備文件只是在內存中存在嗎？應該是個臨時的文件吧，掉電丟失。設備文件在硬盤中或者其他非易失性存儲介質中會占用存儲空間嗎？
2016-09-04 18:28:43
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數的可變數字電阻，提供256級用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內部地址設置功能通過編程使DS3902從地址置為128個可用地址之
2021-05-17 07:29:10
納米制程功耗低性能強國民做安全芯片起家，自帶多種加密算法安全性高與臺積電簽訂多份采購訂單，供貨較為穩定MCU產品已得到多家行業龍頭客戶認可并導入（華為、大疆、寧德時代）寬產品線、覆蓋32位MCU從低端到高端的絕大多數應用場景國民技術MCU表示Pin數與flash容量的字母后綴與ST、GD對應含義
2021-11-01 07:51:48
AN0002—AT32 MCU如何使用片上Flash來實現EEPROM功能當前諸多嵌入式應用場景都需要用到 EEPROM 作為非易失性的數據存儲設備。出于客戶低成本的考慮，AT32 系列部分
2021-11-26 07:15:32
低功耗應用提高安全性。此外，它們還采用非易失性 FRAM 替代 EEPROM 或閃存提供穩健統一的存儲器架構，從而可簡化安全系統設計。
2019-07-08 06:03:16
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
本文就如何充分利用mcu的非易失性存儲提供了一些想法。一定有工程師經常需要8位微控制器提供的16、32、甚至64 KB的程序內存的很大一部分。那么如何充分利用MCU的非易失性存儲呢？本文將會介紹
2021-12-20 06:42:35
保護您的嵌入式軟件免受內存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲在非易失性設備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內存數據集損壞。在微型嵌入式系統中看到這些數據集是很常見的，這些系統存儲
2021-12-24 07:27:45
我應該用什么API來存儲非易失性數據？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應該使用WiDeDssFlash寫來存儲數據，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
在嵌入式設計中，許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數據，由于成本原因，某些單片機在芯片內部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在
2019-09-23 08:31:04
在2019全球閃存峰會上，Everspin作為全球MRAM存儲芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構建未來的云存儲的解決方案。
2021-01-11 06:44:23
osal_snv_init();這的NV條目 是指什么？ VOIDosal_snv_write(22, 10,buf); VOIDosal_snv_read(22 , 10,buf1); 我調用讀寫NV 函數 這時buf1 的內內容和buf 一樣 然后我屏掉VOIDosal_snv_write(22, 10,buf);在運行一次 按理說buf1 也應該和buf 內容一樣 因為上次保存到flash 了，可是結果并沒有，不知道哪里抹掉了。這個uint16 ID 這個參數是如果傳遞的，我如何知道系統使用了那些地址，那些地址能給用戶開發使用的？
2019-10-16 09:14:09
我如何獲得該產品的波動性聲明？我們的客戶需要它。其他帖子稱，大多數產品都具有易失性存儲器，但根據數據表，除了易失性DDR3內存外，該主板還具有非易失性SPI閃存和EEPROM存儲器。提前致謝
2019-04-08 06:51:36
預編程設備的引導加載，我們有一個困難，顯然制造商沒有對NVLS編程，因此引導加載程序拒絕重新編程閃存。有一個問題出現（對于PSoC 3和PSoC 5LP，我們使用在其他板上）：如何讀取PSoC處理器的非易失性鎖存器？安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55
我目前正在嘗試防止臨時對稱密鑰在重新啟動后保留在內存中。我的巧妙計劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時歸零）對它們進行異或，我在重啟時將其設置為隨機數。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
1. 存儲器理解存儲器是計算機結構的重要組成部分，存儲器是用來存儲程序代碼和數據的部件，有了存儲器計算機才具有記憶功能。按照存儲介質的特性，可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
所謂的寄存器、內存等用于存儲信息的復雜結構。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器；所謂易失性存儲器是指設備掉電，存儲的信息自動清除，而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指
2021-12-10 06:54:11
CAT5140采用8引腳MSOP封裝。含片上8位非易失性電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)，使設計人員能一次就校準，并在上電(power-up)時保持存儲器的電阻觸點(wiper)設置范圍。這
2021-04-16 06:29:19
大家好，芯片是PIC18F46K22。我在16位計數器模式中使用Time1。下面的函數在代碼中定期調用。每次調用上述函數后，Timer1應該重置為零。有時它不是這樣發生的，但有時它像預期的那樣工作。我必須將“T1Value”聲明為易失性變量還是其他可能出現的問題？任何幫助都是值得贊賞的。
2020-04-08 06:36:57
有什么辦法可以使發送到 VL6180 的偏移校準數據（也許還有串擾校準數據）不會像這樣易失？每次重啟后它被覆蓋的原因是什么？設備地址也是如此。盡管這對我來說至少更合理一些。背景：對于一個 IoT
2023-01-04 06:00:00
和大量非易失性內存，這些內存分配給不同的內存區域，用于額外存儲圖像/等。 我的問題是構建成功的 touchgfx 應用程序是否需要兩種內存類型？無論如何，我們都需要非易失性存儲器來存儲數據，但在我
2022-12-26 07:41:51
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
電子元器件涂層的耐磨性測試是很重要的檢測試驗，Taber5750線性磨耗儀是目前應用非常廣泛的耐磨測試儀，本文講述采用Taber5750線性磨耗儀對高耐磨親水親油易清潔納米涂層的耐磨性進行測試
2017-10-13 16:53:27
中波長的1/50，具有在較低頻段諧振的可能。但是由于單根碳納米管天線輸入阻抗很高，導致天線效率太低，并沒有實際應用的可能。因此采用碳納米管陣列構建微波器件更具有現實意義。提出采用中點饋電的碳納米管束作為天線陣
2019-05-28 07:58:57
在 wiki 中，我發現了這些行：5.3 非易失性計數器↑每個證書都嵌入了一個非易失性計數器值，該值被檢查以控制防回滾機制。有兩種非易失性計數器： - 可信非易失性計數器 - 非可信易失性計數器在
2023-02-02 07:32:04
我想為我的 MCU 添加一些易失性內存 (32~64 MB)。我目前正在查看 STM32H/F7 設備。大多數 DRAM 需要如此多的走線，以至于內存占用的 PCB 面積使我的設計不切實際。似乎有一
2023-01-11 06:54:35
超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器（MCU）系列包含幾款器件，采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外設集，面向各種感應和測量應用。該架構、FRAM和外設，結合大量低功耗模式，可以延長
2021-11-03 07:28:04
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-21 10:49:57
類別非易失性非易失性非易失性易失性晶胞結構*11T1C/2T2C2T1T6T數據改寫方法覆蓋寫入擦除+寫入扇面擦除+ 寫入覆蓋寫入寫入循環時間150ns*25ms10μs55ns耐久力最大 1012
2014-06-19 15:49:33
的寫入次數、并為開發人員提供了一個全新的靈活度（允許其通過軟件變更來完成數據內存與程序內存的分區)。鐵電存儲器相比SRAM、FLASH和EEPROM優點多多:非易失性，寫入速度快，無限次寫入,最關鍵是
2021-11-10 08:28:08
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
中芯國際將45納米工藝技術延伸至40納米以及55納米
上海2009年10月14日電 -- 中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”，紐約
2009-10-15 08:22:44
793 中芯國際共同宣布銳迪科RDA5802N 調頻接收器(RF Receiver)芯片，一個采用中芯國際的55納米低漏電(LL)工藝平臺以及寅通科技 IP 解決方案的產品已于日前開始量產。
2011-03-11 10:18:161142 飛思卡爾半導體日前推出新的32位Qorivva微控制器(MCU)，該產品基于Power Architecture技術，目的是使過去只有在豪華汽車中才能見到的環繞攝像泊車輔助系統變得更加經濟適用并普及到更廣泛
2011-06-16 09:00:411829 Freescale公司的MPC5676R是采用Power Architecture?技術的32位多核Qorivva MCU,主要用在汽車動力總成系統
2011-12-01 10:09:502367 
飛思卡爾半導體公司日前宣布推出Qorivva MPC5746M多核微控制器（MCU），旨在滿足全球對提高汽車動力總成系統性能日益增長的需求，同時又能符合最新的安全和應用要求。
2012-04-26 08:35:451069 全球電子創新設計Cadence公司與上海華力微電子，15日共同宣布了華力微電子基于Cadence Encounter數字技術交付55納米平臺的參考設計流程。華力微電子首次在其已建立55納米工藝上實現了從RTL到GDSII的完整流程。
2013-08-16 11:08:111383 華力55納米SONOS嵌入式閃存在55納米邏輯平臺上僅增加了4張光罩，與業界其它量產的55納米嵌入式閃存技術（需要額外加入9~12張光罩）有非常強的成本優勢。但華力團隊仍然通過系列技術創新進一步提升質量，降低成本。
2018-04-27 14:16:067397 
Freescale公司的MPC5668x系列是Qorivva 雙核32位MCU，集成了FlexRay，以太網和媒體本地總線。MPC5668x系列采用32位CPU核（e200z650）和Power
2018-07-06 17:40:004677 
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