描述dcreg12v3a mj2955 lm78122955 MJ晶體管的作用是作為電流放大器，使輸出電流達到安培單位，通常如果沒有晶體管這個電路只能達到毫安單位。出于電源的目的，晶體管必須不斷地
2022-09-05 06:18:39
控制流過發射極-集電極電路的電流?！ 」枘Ｐ汀 ∠?050這樣的硅晶體管通常在基極電壓比發射極高0.65伏時接通。發射極基極電路通常設置為提供接近觸發點的預設電壓。這稱為偏差。當晶體管導通時，輸出遵循
2023-02-16 18:22:30
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象，有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊，請各位大俠指點?。?！
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結構
2010-08-12 13:59:33
通。晶體管導通時，開關就導通，并且允許電流通過該管。晶體管開關工作方式的電路通常采用集電極開路的連接方式晶體管作為電子開關使用時，能夠對被控對象進行控制，諸如LED、電動機、繼電器線圈等。應為此時晶體管
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
管的E極接A點，C極接B點；NPN管的E有接B點，C極接A點）后，調節電源電壓，當發光二極管LED點亮時，A、B兩端之間的電壓值即是晶體管的反向擊穿電壓。(本文由Cogo商城-IC元器件在線采購平臺
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數？有的器件有放大倍數改變的參數。另外，不同的仿真模型參數不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
供應晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關二極管，肖特基二極管，穩壓二極管等。有意都請聯系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
2．1．1 5倍的放大 2．1．2 基極偏置電壓 2．1．3 基極-發射極間電壓為0．6V 2．1．4 兩種類型的晶體管 [hide]晶體管電路設計.pdf[/hide]
2009-11-20 09:41:18
，故穩定性較好。由于硅管ICEO很小，故一般已不作為主要參數。(6) 集電極反向電流ICBOICBO是指晶體管發射極開路時的集電極反向電流。晶體管的ICEO約為ICBO的β倍，故ICEO要明顯大于ICBO。(7) 特征頻率FT FT越高，晶體管的高頻性能越好，也就是可工作的頻率越高。
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-04-10 06:20:24
不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結構和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號型，IGBT原本是為處理大功率而開發
2018-11-28 14:29:28
和小信號型，IGBT原本是為處理大功率而開發的晶體管，因此基本上僅有功率型。 順便提一下，MOSFET為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
2020-06-09 07:34:33
即是內置了電阻的晶體管。數字晶體管有諸多優點如：1. 安裝面積減少 2. 安裝時間減 3. 部件數量減少 等等。數字晶體管是ROHM的專利。內置電阻的晶體管是由ROHM最早開發并取得專利的。5. 基極
2019-07-23 00:07:18
控制大功率現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關有很多優點，主要是；(1)容易關斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
即是內置了電阻的晶體管。數字晶體管有諸多優點如：1. 安裝面積減少 2. 安裝時間減 3. 部件數量減少 等等。數字晶體管是ROHM的專利。內置電阻的晶體管是由ROHM最早開發并取得專利的。5. 基極
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結構晶體管內部由兩PN結構成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結分別稱為集電結（C、B極
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設備與不同的電子電路，對晶體管各項性能指標的要求是不同的。所以，應根據應用電路的具體要求來選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號處理（例如
2012-01-28 11:27:38
強弱?？刂颇芰?b class="flag-6" style="color: red">強，則放大大。但如果要從晶體管內部的電子、空穴在PN結內電場的作用下，電子、空穴是如何運動的、晶體管的內電場對電子、空穴是如何控制的等一些物理過程來看，就比較復雜了。對這個問題，許多
2012-02-13 01:14:04
分為硅管和鍺管兩類。 晶體管內部結構的特點是發射區的摻雜濃度遠遠高于基區摻雜濃度，并且基區很薄，集電結的面積比發射結面積大。這是晶體管具有放大能力的內部條件。 2. 電流分配與放大作用 體管具有放大能力
2021-05-13 06:43:22
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
一臺晶體管測試儀，能測到5千伏就行。但是這兩種東西網上搜了一下成品的安捷倫吉時利太貴了，其他的好像都需要定制。所以想來問一下有沒有用過類似的，或者國內有哪家比較靠譜的。
2022-04-02 14:39:37
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
AM81214-030晶體管產品介紹AM81214-030報價AM81214-030代理AM81214-030咨詢熱線AM81214-030現貨,王先生深圳市首質誠科技有限公司ASI為UHF，航空
2018-07-17 15:08:03
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設的電壓已經大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
變化的β倍， 也就是說，電流變化放大了β倍，所以我們稱之為β晶體管的放大倍率（β一般遠大于1）。如果我們在基極和發射極之間增加一個變化的小信號，它會導致基極電流Ib的變化。Ib的變化被放大后，會導致
2023-02-08 15:19:23
NPT2020射頻晶體管產品介紹NPT2020報價NPT2020代理NPT2020咨詢熱線NPT2020現貨,王先生*** 深圳市首質誠科技有限公司, MACOM公司的開關和衰減器專用PIN二極管
2018-09-26 09:04:23
發射極始終偏置為負，因此基極和發射極（VBE）之間的電壓現在在基極為負，在發射極為正。此外，發射極電源電壓相對于集電極（VCE）為正。因此，要使PNP晶體管導通，發射極必須始終比基極和集電極更正。如圖所示
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
最高的晶體管密度。超微縮指的是英特爾在14納米和10納米制程節點上提升2.7倍晶體管密度的技術。在此次“英特爾精尖制造日”活動上，英特爾“Cannon Lake”10納米晶圓全球首次公開亮相。馬博還演示
2017-09-22 11:08:53
`內容簡介：《晶體管電路設計》(上)是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設計》(上)作為上冊主要內容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設計與應用，射極跟隨器的性能與應用電
2017-07-25 15:29:55
輸出;還可以把基極電流lb放大β倍，然后在集電極以Ic形式輸出。（2）場效應晶體管含義：原件要比晶體管小得多晶體管就是一個小硅片 但是場效應晶體管的結構要比晶體管的要復雜場效應管的溝道一般是幾個納米
2019-04-09 11:37:36
Nano-Proprietary旗下的Applied Nanotech公司與Funai Electric先進應用技術研究所日前宣布，雙方將針對一個研究項目進行合作，共同開發基于酶涂層碳納米管
2018-11-19 15:20:44
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
的晶體管。隨著半導體刻蝕技術的發展，大規模集成電路的集成度越來越高。以動態隨機存取存儲器（DRAM）為例，其集成度正以每兩年近四倍的速度增長，預計單電子晶體管將是最終目標。目前，平均存儲器包含
2023-02-03 09:36:05
晶體管通道完全閉合；二維過渡金屬二硫化物受損于其比透明導電氧化物還低的載流子遷移率?！ ≡谛录悠?麻省理工學院研究與技術聯盟，正在先行研發一種有前景的替代材料：GaN。從光學角度看，GaN的帶隙為
2020-11-27 16:30:52
摻雜水平的p型半導體材料制成。發射器摻雜的供體雜質比收集器高得多，而收集物的摻雜水平遠低于發射器。NPN晶體管的偏置排列與PNP晶體管的偏置排列相反。電壓已反轉。電子具有比空穴更高的遷移率，是NPN類型
2023-02-03 09:50:59
，這種產品能夠承受相當于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應用？
2019-08-22 08:14:59
功率設計通常與集成電路 （IC） 邏輯一起使用，以驅動螺線管、發光二極管 （LED） 顯示器和其他小負載。 與使用標準單晶體管相比，達林頓晶體管設計具有多個優勢。該對中每個晶體管的增益相乘，從而產生
2023-02-16 18:19:11
FinFET成為它們的替代品。鰭式場效應晶體管比平面 MOSFET 更好地阻斷短通道效應，從而實現晶體管縮放?！ ∑矫嬖O計不會超出 30 nm 的柵極長度。柵極氧化物停止密封源頭上的柵極控制，漏極較弱
2023-02-24 15:25:29
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
請教：單結晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
做了一個單結晶體管仿真（電力電子技術的初學者）。有個問題請教于各位高手。1：開關初始時刻是閉合的時候，點擊仿真，發光二極管不亮 。:2：初始時刻，開關打開，點擊仿真后，點擊開關閉合，二極管開始閃爍。按照道理來說。情境1與情境2不應該是一樣的嗎，為什么會有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態下，基極-發射極結（稱這個PN結為“發射結”）處于正向偏置狀態，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態。
2019-09-26 09:00:23
。場效應晶體管有時被稱為單極性晶體管，以它的單載流子型作用對比雙極性晶體管（bipolar juncTIon transistors，縮寫：BJT）。盡管由于半導體材料的限制，以及曾經雙極性晶體管比
2019-05-08 09:26:37
、漏極電流等參數。選用音頻功率放大器推挽輸出用VMOS大功率場效應晶體管時，要求兩管的各項參數要一致（配對），要有一定的功率余量。所選大功率管的最大耗散功率應為放大器輸出功率的0.5~1倍,漏源擊穿電壓應為功放工作電壓的2倍以上。
2021-05-13 07:10:20
載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。（4）場效應管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
晶體管開關對電子產品至關重要。了解晶體管開關，從其工作區域到更高級的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關對于低直流開/關開關的電子設備至關重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態下工作。一些電子設備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
們測量NPN管時，正極測試引線連接到發射極，負極測試引線連接到集電極。測得的電阻一般應超過幾千歐姆?！ ∪缓笤诨鶚O和集電極之間串聯一個100kΩ電阻。此時，萬用表測量的電阻值應顯著降低。變化越大，晶體管
2023-02-14 18:04:16
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
，這種產品能夠承受相當于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應用？
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
發光二極管(OLED)的有機層比液晶顯示器(lcd)和發光二極管(led)中使用的晶體層更薄，也更輕。目前，oled 的厚度小于2毫米，而 LCD 的厚度為4-6毫米。有機發光二極管的厚度可能會進一步下降
2022-04-04 10:31:10
CN5711是一款電流調制集成電路，恒定輸出電流可達1.5A，可以用來驅動包括白色發光二極管在內的各類發光二極管。CN5711的LED端電流通過一個外部的電阻設置，電流范圍為30mA到1.5A。芯片
2015-05-06 17:16:52
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數值代入式子②計算。根據下面的式子選擇數字晶體管的電阻R1、R2，使數字晶體管的IC比使用設備上的最大輸出電流Iomax大?！?Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基礎上計算將R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數值代入式子②計算。根據下面的式子選擇數字晶體管的電阻R1、R2，使數字晶體管的IC比使用設備上的最大輸出電流
2019-04-09 21:49:36
急需一種流動性更強的新材料來替代硅。三五族材料砷化銦鎵就是候選半導體之一，普渡大學通過這種材料做出了全球首款3D環繞閘極(gate-all-around)晶體管。此外，三五族合金納米管將把閘極長度
2011-12-08 00:01:44
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-05-05 01:31:57
，LLC初級側電流ILr由次級側電流除以變壓器匝數比n和磁化電流ILm的疊加組成。磁化電流不會傳遞到輸出端，而是需要對晶體管的寄生輸出電容以及變壓器繞組內和繞組間電容的組合放電，從而實現晶體管導通的零
2023-02-27 09:37:29
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
如何用晶體管搭建一個放大電路，要求輸入為1V，輸出至少放大一倍，這么大的輸入怎么做到不失真呢？
2016-06-11 16:17:59
用IBM43RF0100EV評估板評估IBM43RF0100 SiGe晶體管性能
2009-05-12 11:46:34
Ib放大β倍，然后在集電極以Ic形式輸出。二、場效應晶體管：原件要比晶體管小得多.晶體管就是一個小硅片.但是場效應晶體管的結構要比晶體管的要復雜.場效應管的溝道一般是幾個納米,也就是說場效應晶體管
2019-03-27 11:36:30
CoolGaN?晶體管特性設計的柵極驅動電路如圖1所示。為確保柵極驅動正常，驅動電壓VS的峰值需要超過VF的兩倍（通常使用8V～10V），通過Ron提供了一條瞬態低阻抗高速AC路徑來為Con和CGS充電，然后
2021-01-19 16:48:15
碳納米管/ TiO2 電極光電催化測定耐蘭方法探討摘要:自合成二氧化鈦2碳納米管( TiO22CN T) 復合催化劑,用Nafion 溶液把CN T2TiO2 固定到玻碳電極上制成CN T2TiO2
2009-08-08 09:44:34
碳納米管針尖
2019-10-18 09:36:45
并采用CST進行仿真，結果表明納米管束比單根納米管的天線效率提高了30-40dB，文中把納米管束作為電導率與納米管根數成正比的單根天線來研究，在理論上不夠準確，而且鑒于納米管束的尺寸，采用中點饋電
2019-05-28 07:58:57
用LED做某種顯示時，要在一批發光二極管，經過篩選找出其亮度接近的使用。用最簡單的方法，搭一檢測電路，完成發光二極管亮度篩選。 提示：指針式萬用表、光電二極管等。。。。。。。
2017-12-01 22:22:43
用。（2）橫向PNP管： 這種結構管子的載流子是沿著晶體管斷面的水平方向運動的，故稱為橫向PNP管。由于受工藝限制，基區寬度不可能很小，所以它的值相對較低，一般為十幾倍到二、三十倍。橫向PNP管的優點
2019-04-30 06:00:00
見證者，肖克萊在這本筆記上鄭重地簽了名。1948年，肖克萊發明了“結型晶體管 ”。1948年7月1日，美國《紐約時報》只用了8個句子的篇幅，簡短地公開了貝爾實驗室發明晶體管的消息?！耙皇て?b class="flag-6" style="color: red">千層浪”，它就像顆重磅***，在全世界電子行業“引爆”出強烈的沖擊波。電子計算機終于就要大步跨進第二代的門檻！
2012-08-02 23:55:11
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
來自IBM、蘇黎世理工學院和美國普渡大學的工程師近日表示，他們構建出了首個10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
2012-02-04 09:45:29
843 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術論壇上，IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術外，還展示了諸如硅光子晶體管，碳納米管等前沿技術。
2013-02-20 23:04:307798 米特拉表示，“如果利用碳
納米管晶體管取代硅
晶體管，效能比可提高1000倍?！?/div>
2016-08-22 14:03:54986 但是，這并不代表著對碳納米管半導體技術的研發會一帆風順。1998年首個碳納米管晶體管研發至今，碳納米管半導體技術一直遭遇材料上的瓶頸。長期以來，最小碳納米管CMOS器件的柵長停滯在20nm（2014年 IBM）。
2020-08-31 15:00:503526 新的制造工藝，該工藝可以更好地控制碳納米管晶體管。這種控制對于確保在邏輯電路中充當晶體管的晶體管完全關閉時至關重要。
2020-12-15 15:22:131610 碳納米管具有高穩定性和卓越的電子特性，已成為替代晶體管中硅的主要候選材料。在11 月 17 日發表于《科學》雜志的一篇評論文章中，西北大學的Mark Hersam及其合作者概述了碳納米管在高性能 IC 以及適用于物聯網的低成本/低性能電子產品中的機遇和剩余挑戰
2022-11-25 10:03:361104 正在加载...
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