Kongsberg防務系統公司的聯合攻擊導彈（JSM）需要一套熱管理解決方案。他們在帕克航宇公司那里找到了他們想要的解決方案。
2013-06-05 09:50:29
1431 流及更高的工作溫度，抗輻照能力得到提升;碳化硅材料擊穿電場是硅的 10 倍，因此，其器件可設計更高的摻雜濃度及更薄的外延厚度，與相同電壓等級的硅功率器件相比，導通電阻更低;碳化硅具有高電子飽和速度的特性
2022-11-12 10:01:261315 ，碳化硅器件持續的小型化和快速增長的功率密度也給功率模塊封裝與熱管理帶來了新 的挑戰。傳統封裝結構和散熱裝置熱阻較大，難以滿足碳化硅器件高熱流密度冷卻需求，同時，高功率密度 模塊散熱集成封裝需求
2023-11-08 09:46:441117 Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復電流?零正向恢復電壓?高頻工作?開關特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
Mos管代替上圖中兩個串聯的MOS，三電平變換器簡化成傳統兩電平全橋變換器，如下圖。 同時，我們將開關頻率設定到160KHz，減小了磁性器件和整個變換器的體積。 8KW 碳化硅全橋LLC解決方案
2018-10-17 16:55:50
器件的特點 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm.，其導熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k。 它與硅半導體材料
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
應用，處理此類應用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料，可以用來構建類似MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多關注，不僅因為它
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
領域的創新步伐不斷加快，工程師們越來越多地在尋找新的解決方案，并對技術提出更多的要求，以滿足消費者和行業的需求。碳化硅半導體是滿足這些需求的優選答案，其本身也在不斷改進，以期提供與舊技術相比更具成本
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
要求。測試新品器件是否合規比較容易，但判斷器件的物理特征是否會隨時間和環境而變化比較麻煩。本文將從碳化硅芯片研發和封裝方面探討可靠性問題。 芯片研發環節的可靠性測試 衡量可靠性可以從器件的故障率入手
2023-02-28 16:59:26
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復。用于空氣/油/SF6 環境。可配置為單個或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料。可重復的非線性特性。耐高壓。基本上是無感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計，2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續穩定的線路板；在引擎室中，由于高溫環境和LED 燈源的散熱要求，現有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無線雷達偵測
2020-12-16 11:31:13
，3.3 kW CCM 圖騰柱 PFC 的效率可達到 99% 以上（圖 4），其中在雙升壓 PFC 設計中使用 CoolMOS? 的最佳效率峰值為 98.85%。而且，盡管碳化硅MOSFET的成本較高
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下，碳化硅的機械強度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關 50A IGBT 的關斷性能優于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產品上市時間，能以更低成本實現 95
2021-03-29 11:00:47
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
。 正向導通壓降VF：衡量二極管正向導通性能最重要的參數，對工程師而言，需要更關注VF與Tj的依賴性關系。這里以基本半導體650V 10A TO-220封裝碳化硅肖特基二極管為例進行說明。 圖（5
2023-02-28 16:55:45
。 基本半導體自主研發推出了650V、1200V、1700V系列標準封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產品，具有極高的工作效率，性能優越達到國際先進水平，可廣泛應用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
已經成為全球最大的半導體消費國，半導體消費量占全球消費量的比重超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
科技有限公司TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率為
2018-06-12 10:22:42
TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。功率附加效率為69.5%，這使
2018-11-15 11:59:01
TGF2955碳化硅晶體管產品介紹TGF2955報價TGF2955代理TGF2955TGF2955現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2955是離散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
的柵極電壓衰減，使得碳化硅MOSFET（TO-247-4封裝）的開關速度會比TO-247-3封裝的更快，開關損耗更小。 因此，當您在使用碳化硅MOSFET進行新方案設計時，為進一步減小碳化硅
2023-02-27 16:14:19
用于電機驅動領域的優勢，尋找出適合碳化硅功率器件的電機驅動場合，開發工程應用技術。現已有Sct3017AL在實驗室初步用于無感控制驅動技術中，為了進一步測試功率器件性能，為元器件選型和實驗驗證做調研
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
系統能做得越小巧，則電動車的電池續航力越高。這是電動車廠商之所以對碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設備上攻城略地，氮化鎵組件則是在小型化電源應用產品領域逐漸擴散，與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
，航空業最近經歷了快速增長，新的航空航天世界在用于電源和電機控制的SiC器件中找到了新的電源管理解決方案。碳化硅有望在航空工業中降低重量和減少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET在更高工作溫度下
2022-06-13 11:27:24
，獲得華大半導體有限公司投資，創能動力致力于開發以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實現相比硅元器件更高的工作溫度，實現雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
功率器件在工業應用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業電源中的應用和總結八個部分。
2023-09-05 06:13:28
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓撲相結合，可提供最佳的性價比。混合碳化硅結合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續流二極管，也是一個不錯的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達50
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
一步提升電源效率。針對上述情況，解決方案有以下兩種。 方案一：將IGBT單管上反并聯的快速恢復二極管換成基本半導體的“零反向恢復”的碳化硅肖特基二極管（碳化硅 SBD），這種組合起來封裝的器件，稱之為
2023-02-28 16:48:24
技術需求的雙重作用，導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術器件應運而生，如碳化硅場效應管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
，工作結溫可達175℃，與傳統硅基模塊具有相同的封裝尺寸，可在一定程度上替代相同封裝的IGBT模塊，從而幫助客戶有效縮短產品開發周期，提高工作效率。 產品特點 溝槽型、低RDS（on） 碳化硅
2023-02-27 11:55:35
，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。圖 11 所示分別為銅鍵合線、銅帶連接方式。錫片或錫膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08
器(eTEG)薄膜技術解決了當今電子行業中最具挑戰性的熱管理和電源管理問題。不過，只有極少數廠商能以相同技術實現這兩種應用：熱源單點散熱解決方案和利用廢熱發電的新方法。對于裸片、芯片、電路板和系統級實施的熱管理解決方案
2020-03-10 08:06:25
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
）功率器件產業化的倡導者之一，國內首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商，在國內碳化硅功率器件制造商中率先完成了質量管理體系---汽車行業生產件與相關服務件的組織實施ISO9007的要求
2023-02-27 14:35:13
碳化硅 MOSFET 量身打造的解決方案，搭配基本半導體TO-247-3 封裝碳化硅 MOSFET。 2、通用型驅動核 1CD0214T17-XXYY 是青銅劍科技自主研發的一系列針對于單管碳化硅
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
公司等為代表。四、碳化硅半導體應用碳化硅半導體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴苛的應用。可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。原作者：大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
請問無線功率開關能否為節能汽車提供先進電源管理解決方案？
2021-05-12 06:35:39
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導體技術的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關，通過降低電阻和開關損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
黑碳化硅基礎知識
黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過電阻爐高溫冶煉而成
黑碳化硅是以石英砂，石油焦為主要原料，通過電阻
2009-11-17 09:37:27757 電子封裝供熱管理解決方案:鋁碳化硅是關鍵
簡介利用最先進的材料設計低成
2010-03-04 14:10:241144 前言 碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節，襯底成本占到
2021-08-16 10:46:405266 基本半導體是國內比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發的企業，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業界熟知，并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創新日活動
2021-11-29 14:54:087839 
電動出行和可再生能源系統需要能夠提高性能效率和加快開發時間的電源管理解決方案。為滿足這些要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布與Mersen合作推出150千伏安（kVA）三相碳化硅電源協議棧參考設計。
2021-12-14 09:44:591588 碳化硅還減小了電動汽車車載充電器和電池管理解決方案的尺寸，最近導致它們集成到 DC-DC 轉換器和配電單元中。
2022-05-16 15:21:501757 碳化硅是一種非常高效的材料，具有高功率和高溫特性。 碳化硅 (SiC) 半導體是提高系統效率、支持更高工作溫度和降低電力電子設計成本的創新選擇。碳化硅是硅和碳的化合物，是一種具有同素異形變體的半導體
2022-08-08 08:09:591331 
以下是有關用于電源應用的碳化硅 (SiC) 的 10 個事實，包括 SiC 如何實現比硅更好的熱管理。
2022-08-17 17:11:011543 
來源：中國電子報 日前，國際碳化硅大廠安森美宣布，其在捷克Roznov擴建的碳化硅工廠落成，未來兩年內產能將逐步提升。另一家碳化硅大廠Wolfspeed也表示將在美國北卡羅來納州建造一座價值數十
2022-10-08 17:02:25872 前言：碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節，襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981 綠色倡議持續推動工業、航空航天和國防應用，尤其是運輸行業的電力電子系統設計轉型。碳化硅（SiC）是引領這一趨勢的核心技術，可提供多種新功能不斷推動各種車輛和飛機實現電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。
2023-02-03 14:25:50154 碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么？碳化硅技術壁壘
2023-02-03 15:25:163637 
碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅是目前應用最為廣泛的第三代半導體材料，由于第三代半導體材料的禁帶寬度大于2eV，因此一般也會被稱為寬禁帶半導體材料，除了寬禁帶的特點外，碳化硅半導體材料還具有高擊穿電場、高熱導率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933 鋁碳化硅基板是一種由鋁碳化硅材料制成的電子元件基板，它具有良好的熱穩定性、耐高溫性、耐腐蝕性和耐電強度等特點。鋁碳化硅基板可以用于電子設備的熱管理，可以有效地降低電子設備的溫度，從而提高其可靠性和使用壽命。
2023-02-15 17:58:281001 晶圓（前端工藝）。碳化硅晶圓再經過劃片封裝測試（后段工藝）就變成了我們現在使用的半導體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:111693 
我們拿慧制敏造碳化硅半導體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些年電源對于功率密度要求不斷提高，碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795 
?使用PLECS仿真軟件建立兩者的熱模型,進行系統性仿真,得到效率和結溫間的對比結果?最后通過電機對拖實驗得出控制器應用碳化硅MOSFET時的效率,驗證出在電動汽車熱管理系統中,空調壓縮機控制器應用碳化硅MOSFET能有更高的效率,有利于電動汽車的熱管理?
2023-04-17 11:08:41722 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場，以及未來的發展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 MOSFET相比傳統的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導通電阻、更高的開關頻率和更高的工作溫度等優點。因此，碳化硅MOSFET可以被廣泛應用于能源轉換、交流/直流電源轉換、汽車和航空航天等領域。
2023-06-02 15:33:151180 碳化硅硬度高，耐磨性好，碳化硅晶片硬度大，莫氏硬度分布在9.2～9.6之間，化學穩定性高，幾乎不與任何強酸或強堿發生反應，切割劃片很有難度。深圳西斯特科技在碳化硅晶圓切割方面積累了豐富的經驗，現將
2022-12-08 16:50:461673 
Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產品組合豐富，提供優異的散熱，極大簡化了熱管理。
2023-11-20 10:24:00320 
碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 
碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物。
2023-12-13 09:37:05386 
碳化硅（SiC）是一種優良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 碳化硅（Silicon Carbide，簡稱SiC）器件封裝與模塊化是實現碳化硅器件性能和可靠性提升的關鍵步驟。
2024-01-09 10:18:27113 
碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點。由于這些優異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領域具有廣泛的應用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14293 
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