全球兩大半導體公司上周在第64屆國際電子器件會議（IEDM）上展示了嵌入式MRAM在邏輯芯片制造工藝中的新技術。

英特爾在其22FFL工藝中描述了基于自旋轉移力矩（STT）-MRAM的非易失性存儲器的關鍵特性，稱其為“首個基于FinFET的MRAM技術。”將該技術描述為“生產”已經準備好了“英特爾沒有為這個流程命名任何代工廠客戶，但有多家消息人士表示，它已經被用于現已發貨的產品中。

與此同時，三星在28納米FDSOI平臺上描述了STT-MRAM。STT-MRAM在可擴展性，形狀依賴性和磁可擴展性方面被認為是最好的MRAM技術。

MRAM技術自20世紀90年代以來一直在發展，但尚未取得廣泛的商業成功。三星研發中心的首席工程師，該公司IEDM論文的主要作者Yoon Jong Song說：“我認為現在是我們展示可制造和商業化的時候了。”

除了被視為獨立設備的有希望的候選者，以取代內存芯片堅定的DRAM和NAND閃存 - 隨著行業轉向更小的節點面臨嚴重的擴展挑戰 - MRAM，一個非易失性存儲器，吸引人的作為一個嵌入式技術替代閃存和嵌入式SRAM，因為它具有快速的讀/寫時間，高耐用性和強大的保留能力。嵌入式MRAM被認為特別適用于諸如物聯網（IoT）設備之類的應用。

自去年以來，Globalfoundries一直在其22FDX 22-nm FD-SOI工藝上提供嵌入式MRAM。但Objective Analysis首席分析師Jim Handy表示，他并不知道Globalfoundries嵌入式MRAM技術的任何商業產品。

“沒有人提起它的原因是因為他們必須添加新材料，”他說。

但隨著制造成本下降以及其他存儲器技術面臨可擴展性挑戰，嵌入式MRAM正在獲得更多考慮。“重要的是，憑借新的工藝技術，SRAM單元的尺寸不會隨著剩余的工藝而縮小，因此MRAM變得越來越有吸引力，”Handy說。

英特爾在其論文中表示，其嵌入式MRAM技術可在200攝氏度下實現10年的保留，并可在超過10 6個開關周期內實現10年的保持。該技術使用216×225 mm 1T-1R存儲單元。

與此同時，三星公司稱其8Mb MRAM的耐久性為10 6個周期，保留期為10年。

Song表示，三星技術最初將用于物聯網應用，并補充說在將其用于汽車和工業應用之前必須提高可靠性。“我們已成功將該技術從實驗室轉移到工廠，并將在不久的將來將其推向市場。”

來源：朗銳智科