您是否正在為具有挑戰性的應用設計高度創新的混合信號集成電路，且正在尋找經驗豐富且可靠的開發和制造合作伙伴？艾邁斯歐司朗提供針對客戶和應用的特殊標準產品的廣泛組合，同時還為合作伙伴提供先進的模擬半導體制造支持。艾邁斯歐司朗的全方位代工服務，為汽車、醫療、工業和消費應用提供多種經過生產驗證的行業標準工藝技術。

工藝路線圖

艾邁斯歐司朗通過廣泛的專業工藝，展示自己在模擬和混合信號晶圓制造行業領域的領導地位。特殊工藝特性和經過優化的器件為高效產品設計和確保產品高性能提供支持。

艾邁斯歐司朗將經過模擬混合信號驗證的工藝技術、高精度工藝表征和建模，以及艾邁斯歐司朗的先進代工服務相結合，能夠滿足客戶各不相同的業務需求。

基礎技術Base technologies

艾邁斯歐司朗全方位代工服務的核心技術包括0.18μm CMOS和BCD、0.35μm數字和混合信號CMOS、超低噪聲CMOS、高壓CMOS和SiGe-BICMOS工藝。由于所有基礎工藝都與主要的半導體制造商兼容，因此可以輕松找到替代來源。

0.18μm CMOS / BCD:

180nm CMOS專業模擬、混合信號工藝已轉至艾邁斯歐司朗位于奧地利的200mm晶圓廠。C18專業工藝適用于各種應用中的傳感器和傳感器接口器件，如可穿戴設備、醫療保健、家居自動化、智能汽車和工業4.0。

0.18μm CMOS工藝細節(C18)*

0.18μm BCD工藝細節(BCD18)*

0.35μm數字和混合信號CMOS：

艾邁斯歐司朗的0.35μm CMOS工藝系列完全兼容TSMC授權的0.35μm混合信號基礎工藝。針對頻率合成優化的高密度CMOS標準單元庫、3層和4層路由可以確保實現最高門電路密度。外圍單元庫支持3.3V和5V電壓，提供出色的驅動能力和ESD性能。可提供合格的數字宏塊（SPRAM、DPRAM和漫射可編程ROM）。提供各種高性能模數和數模轉換器，以便集成在同一ASIC中。

0.35μm CMOS工藝細節(C35)*

0.35μm光學CMOS工藝細節(C35O)*

針對CMOS工藝的其他工藝選項：

CMOS-LVT；嵌入式內存：NVM、RAM、ROM、OTP

Ultra-low noise CMOS超低噪聲CMOS

艾邁斯歐司朗的高性能模擬低噪聲CMOS工藝(“A30”)提供出色的噪聲性能，通過采用艾邁斯歐司朗先進的0.35μm高壓CMOS工藝系列，光學面積縮小0.9。

0.30μm高性能模擬超低噪聲CMOS工藝：

A30高性能模擬超低噪聲CMOS工藝以艾邁斯歐司朗先進的0.35μm工藝系列為基礎。先進的A30工藝采用艾邁斯歐司朗的200mm制造設施制造，確保非常低的缺陷密度和高成品率。它提供3-4個金屬層和一套經過超低噪音應用和高性能模擬應用優化的有源器件。

A30工藝還包括一套無源器件，例如：高電阻聚乙烯和高精度多晶硅電阻、PIP電容以及經過改進的MOS變容器和更高的模擬性能。與0.35μ CMOS工藝相比，在掩膜車間進行的光學面積縮小可額外節省20%的面積。

0.30μm高性能模擬低噪聲CMOS工藝(A30)*

高壓工藝High voltage processes

艾邁斯歐司朗的高壓工藝平臺支持0.35μm工藝，針對復雜的混合信號電路（工作條件高達120V）進行優化。

除了標準的CMOS晶體管外，還有多種高壓晶體管可供選擇：高壓NMOS、高壓PMOS、高壓DMOS晶體管、N結FETS、隔離式NPN雙極型晶體管，以及隔離式低壓NMOS晶體管。

高壓和標準器件易于集成到同一芯片中。低功耗和快速的開關速度在汽車和工業市場中得到廣泛應用。計劃進一步應用于傳感器的高精密模擬前端。

新工藝系列與艾邁斯歐司朗經過驗證的混合信號庫結合之后，成為高壓設計的理想解決方案。

0.35μm高壓CMOS：

艾邁斯歐司朗的“H35”工藝針對復雜的混合信號電路（工作條件高達120V）進行了優化。

0.35μm高壓CMOS(H35)*

SiGe BiCMOS process

硅鍺BiCMOS工藝

艾邁斯歐司朗的SiGe-BiCMOS工藝旨在支持具有高性能、低工藝復雜性的先進RF設計。

具有低噪聲系數的高速SiGe HBT晶體管使得設計的工作頻率最高可以達到7GHz，相比采用傳統的CMOS RF工藝的設計，其電流消耗大幅降低。

這些先進工藝創造出具有高模擬性能（例如高Fmax和低噪聲(NF)）的高速雙極型晶體管、互補型MOS晶體管，極低的寄生線性電容、線性電阻和螺旋電感。針對所有有源、無源和寄生器件進行表征和建模，由此獲得不同電路模擬器的模擬模型，以便能夠充分利用這些工藝。

嵌入式閃存技術Embedded flash technology

艾邁斯歐司朗利用0.35μm嵌入式閃存技術，為汽車、工業和消費電子應用（例如RFID、智能卡、傳感器接口、微控制器應用、調整應用等）中的SoC（系統級芯片）解決方案提供可靠的嵌入式非易失性存儲器工藝。

具有競爭力的高性能工藝技術

艾邁斯歐司朗為客戶提供非常有競爭力的高性能工藝技術。這種非常可靠的嵌入式EEPROM/閃存塊使用經過驗證的基于PMOS的NVM技術，在擴展溫度范圍內提供低功耗操作和高數據保持性。

該存儲塊可以作為附加工藝模塊用于0.35μm CMOS和高壓CMOS工藝中，也可以配置為EEPROM塊或閃存，無需更改工藝。

0.35μm嵌入式EEPROM CMOS工藝(C35EE)*

0.35μm嵌入式EEPROM高壓CMOS工藝(H35EE)*

嵌入式閃存關鍵特性

嵌入式閃存技術基于0.35μm CMOS工藝和0.35μm高壓CMOS工藝，提供以下特性：

極高的可靠性（在125°C下數據可保持超過20年，耐久性100k寫/讀周期）

耐受高達170°C高溫（適用于汽車應用）

低功耗

完全可定制的閃存或EEPROM塊

EEPROM存儲塊可以和靜態RAM一樣訪問

采用0.35μm CMOS基礎工藝C35完全模塊化，支持重復使用數字庫和IP區塊

審核編輯 ：李倩