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什么是*** ***實(shí)現(xiàn)真的很難嗎

jf_78858299 ? 來(lái)源:南瓜隨你飛 ? 作者:AshiRiga ? 2023-02-20 15:16 ? 次閱讀
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今天小編將為大家分享關(guān)于***的一些知識(shí)。在最近這個(gè)不太平的日子里面,要不是美國(guó)作妖,可能大眾都沒(méi)能夠認(rèn)識(shí)到***這么一個(gè)“小”玩意兒竟然成為卡脖子的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

我們帶著這樣的疑問(wèn)繼續(xù)為大家分享關(guān)于***的知識(shí),在文章的最后小編會(huì)對(duì)這個(gè)問(wèn)題提出自己的看法和觀點(diǎn),希望與大家有交流。

什么是***

光刻-Photolithography,也叫做光刻技術(shù)或者是UV光刻技術(shù),利用光纖(準(zhǔn)確的來(lái)說(shuō)波長(zhǎng)極短的不可見(jiàn)光)將幾何圖案從光學(xué)掩膜投射到基板上的光敏化學(xué)光刻膠上面,進(jìn)行一系列化學(xué)處理或者將曝光突然刻蝕進(jìn)材料,以將所需要的圖案沉積制作為新材料。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是將設(shè)計(jì)好的芯片的電路結(jié)構(gòu)“畫”在一張“透明紙”(光掩模)上面,然后用一束“手電筒光”(深/極紫外光)照在這張“紙”上面,通過(guò)一個(gè)凸透鏡,投影到另外一張“紙”(涂有光刻膠的基板)上面,把電路結(jié)構(gòu)“留”(刻蝕)在上面。

***中的難點(diǎn)

1.關(guān)于摩爾定律:

摩爾定律是由英特爾的創(chuàng)始人之一戈登.摩爾提出的:集成電路上可以容納的晶體管的數(shù)量每?jī)蓚€(gè)便會(huì)增加一倍,也就代表著處理器的性能每個(gè)兩年翻一番。在電子的世界里面,所有的信息都一個(gè)用兩個(gè)數(shù)字代表,既0和1。同樣在芯片當(dāng)中也可以用0和1表征,0和1的表征追根溯源就可以到基本元器件-晶體管上面了。

芯片上的晶體管的體積、數(shù)量直接影響了電子設(shè)備的尺寸和性能。原來(lái)老舊的臺(tái)式計(jì)算機(jī)使用的電子元器件的尺寸很大、芯片集成的晶體管的數(shù)量很少,以至于其計(jì)算性能遠(yuǎn)不能與現(xiàn)在的電腦或者手機(jī)相提并論。其如此大的變化的背后就是摩爾定律的支撐。

在摩爾定律的支撐下,就會(huì)要求芯片里面容納的晶體管的數(shù)量越來(lái)越多,同時(shí)需要保持芯片的體積越來(lái)越小。這就需要芯片內(nèi)部的電路細(xì)節(jié)能夠做到越來(lái)越精細(xì),如今需要兩個(gè)器件之間的間距只有幾個(gè)納米。那么以人力怎么能夠制造出這么精細(xì)的設(shè)備呢?那當(dāng)然是不可能的,人力就不要想了,還是得靠專業(yè)的設(shè)備+專業(yè)的人力。

回想一下,我們?cè)谶h(yuǎn)程觀測(cè)、生物細(xì)胞等方面,需要看到更遠(yuǎn)的、更小的東西是怎么處理的?應(yīng)望遠(yuǎn)鏡、顯微鏡等設(shè)備將小的東西放大。對(duì)的,就是用放大。

但是在芯片制造過(guò)程中怎么進(jìn)行放大呢?很簡(jiǎn)單,投影儀相信大家都了解過(guò)。投影儀可以把小的底片上面的圖像投影到很大的一個(gè)幕布上面,讓更多人的看到細(xì)節(jié)的東西,***的核心之一就是放大。通過(guò)制造一個(gè)放大了的膜子,將電路畫在上面,然后通過(guò)光照投影到硅晶片上面,就如之前介紹的圖中一樣。

2.如何判定尺寸大小:

在前幾年,人們都在說(shuō)摩爾定律的極限到了,芯片上面能夠集成的晶體管的數(shù)量也到頭了。但是就在這個(gè)關(guān)鍵的時(shí)候,荷蘭的ASML研制出了EUV***,進(jìn)一步的提高了晶體管研制精度。(EUV:Extreme Ultra-violet,極紫外光刻,常稱作EUV光刻,它以波長(zhǎng)為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)。具體為采用波長(zhǎng)為13.4nm 的紫外線。)

圖片

說(shuō)到這里不得不提一下公式的東西,也就是瑞利判據(jù)。

“在成像光學(xué)系統(tǒng)中,分辨本領(lǐng)是衡量分開(kāi)相鄰兩個(gè)物點(diǎn)的像的能力。由于衍射,系統(tǒng)所成的像不再是理想的幾何點(diǎn)像,而是有一定大小的光斑(愛(ài)里斑),當(dāng)兩個(gè)物點(diǎn)過(guò)于靠近,其像斑重疊在一起,就可能分辨不出是兩個(gè)物點(diǎn)的像,即光學(xué)系統(tǒng)中存在著一個(gè)分辨極限,這個(gè)分辨極限通常采用瑞利提出的判據(jù):當(dāng)一個(gè)愛(ài)里斑的中心與另一個(gè)愛(ài)里斑的第一級(jí)暗環(huán)重合時(shí),剛好能分辨出是兩個(gè)像。-百度百科”

圖片

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是能夠分辨兩個(gè)物點(diǎn)的尺寸正比于光的波長(zhǎng),所以想要分辨更小的尺寸就要更短的波長(zhǎng),也就是產(chǎn)生更短波長(zhǎng)的光。所以***不停的提升,不斷的折騰,基本上就是為了一件事情,想辦法讓波長(zhǎng)更短。但是這就是非常困難的一點(diǎn)。

目前工業(yè)界成熟度最高的是使用波長(zhǎng)在193nm的深紫外光(DUV),比如醫(yī)學(xué)里面的近視矯正。但是這個(gè)波長(zhǎng)在更精細(xì)的元器件制造中已經(jīng)完全不夠用了。直到人們利用DUV產(chǎn)生出了13.5nm的EUV。

EUV并不是直接產(chǎn)生出來(lái)的,而是利用DUV光的脈沖去擊打液態(tài)金屬錫激發(fā)出來(lái)的。但是要知道,需要將光通過(guò)照射掩膜并在硅晶圓上刻蝕出電路,那么就需要打出的光具有很高的能量。這種有DUV擊打液態(tài)金屬錫的方法經(jīng)過(guò)一次消耗之后不足夠產(chǎn)生足夠的能量無(wú)法正常照射電路。怎么辦?一槍不夠,打兩槍。第一槍把液態(tài)金屬錫打平,第二槍激發(fā)出光,這樣就能夠保證激發(fā)出的光有足夠的能量。

但是我們要知道,在打擊過(guò)程中,液態(tài)金屬錫是從空中掉落下來(lái)的,要控制好光在掉落過(guò)程中擊打兩次,同時(shí)要控制好之間的時(shí)間間距。這就需要擊打的頻率高達(dá)50000次/秒。我們通過(guò)下面的視頻來(lái)看看這個(gè)擊打的過(guò)程。

3.解決光的問(wèn)題:

上面提到的是如何解決光源的問(wèn)題,但是這僅僅是開(kāi)始的第一步。有了光接下來(lái)就需要考慮如何把光傳輸?shù)轿覀冃枰丈涞难谀ど厦媪恕Uf(shuō)到這里就可能會(huì)有人說(shuō),光嘛,直接照射不就可以了嗎?產(chǎn)生出來(lái),在后面直接懟上一張掩膜就行了嘛,還有什么難的?

其實(shí)不然,要是這么簡(jiǎn)單那么系統(tǒng)就不會(huì)這么復(fù)雜和龐大了。在利用光源系統(tǒng)產(chǎn)生光的時(shí)候需要解決以下幾個(gè)問(wèn)題:

  • 如何保證通過(guò)擊打液態(tài)金屬錫產(chǎn)生出來(lái)的光是純凈的13.5nm的光?
  • 如何過(guò)濾掉我們不需要的光?
  • 光在傳輸過(guò)程中出現(xiàn)位置偏差怎么辦?

圖片

Source:lithography gets extreme

為了解決上面這些問(wèn)題(可能還有其他問(wèn)題),就需要設(shè)計(jì)適合的光路傳輸路徑和反射鏡面。使用反光鏡構(gòu)建光路是常用的方法,例如在潛水艇中的潛望鏡。但是肉眼觀察的光強(qiáng)度和EUV中的光強(qiáng)度是完全不同的等級(jí)。在EUV中用到的光反射鏡每一次對(duì)光反射就會(huì)損失 30% 光的強(qiáng)度。這是因?yàn)镋UV中的光“脆弱的不堪一擊”, 連空氣都可以吸收掉 ,到最后就只剩大約2%的光強(qiáng)了。強(qiáng)度不夠怎么辦?照兩次顯然是行不通的,那么只有加大輸入功率。因此EUV是一個(gè)極度“吃電”的“怪物”。

同時(shí)將光路進(jìn)行如此多的反射還有一個(gè)目的,就是為了在不同的傳輸位置設(shè)置采樣點(diǎn),對(duì)光的信息進(jìn)行 抽樣采集并進(jìn)行分析 ,來(lái)查看光傳輸過(guò)程中有沒(méi)有出現(xiàn)差錯(cuò)。我們知道累計(jì)誤差是非常恐怖的,因此要在每一個(gè)環(huán)節(jié)都對(duì)光路進(jìn)行檢查即使調(diào)整,減小最后的誤差。這里就要提到光學(xué)檢測(cè)領(lǐng)域的愛(ài)馬仕,漢民微測(cè)科技(Hermes Microvision)。ASML在2016年用31億$的價(jià)格收購(gòu)了這家公司,就是為了優(yōu)化其設(shè)計(jì)和過(guò)程模型的方式,幫助光學(xué)和電子書系統(tǒng)更好的刻畫上芯片的功能。

光路反射,必不可少的就是反射鏡面。說(shuō)到這里就不得不提這個(gè)由制造強(qiáng)國(guó)德國(guó)的蔡司公司制造的反光鏡,這個(gè)反光鏡是由特殊的材料制作的,它 只能發(fā)射13.5nm的光 。這個(gè)鏡子精密到什么程度呢?如果把直徑30cm的鏡子放大到地球這么大,它的表面凸起僅僅有一根頭發(fā)的厚度。這個(gè)鏡子有40層組成,誤差累積會(huì)嚴(yán)重影響最后的效果,因此可想而知每一層的精細(xì)程度。ASML的工程師說(shuō)“ 這可能是地球上人造的最光滑的表面了 ”。說(shuō)到這里讓我想起了《三體》里面的水滴。

是不是感覺(jué)非常牛逼。感覺(jué)EUV就是在挑戰(zhàn)整個(gè)人類的極限和文明高度。

4.這樣就可以量產(chǎn)了嗎?

答案當(dāng)然不是。

  • 錯(cuò)誤檢測(cè)系統(tǒng) :上面提到的在光路中進(jìn)行多次采樣檢測(cè)的工作是為了避免光路出錯(cuò)。當(dāng)然在整個(gè)系統(tǒng)中需要對(duì)每一個(gè)部件進(jìn)行檢錯(cuò)。注意,這可不是寫代碼的時(shí)候找Bug這么簡(jiǎn)單了,一個(gè)程序可能遺留了很多bug,但是并不影響程序整體的運(yùn)行和使用,但是在EUV中,小到納米級(jí)別的一個(gè)顆粒般的錯(cuò)誤都可能導(dǎo)致最后芯片批量的報(bào)廢,這個(gè)成本是無(wú)法估計(jì)的。因此在EUV中必須要存在多種不同的糾錯(cuò)系統(tǒng),去反復(fù)檢查系統(tǒng)中的bug。
  • EDA軟件是一個(gè)非常重要的東西,它直接和你的光掩膜上面刻畫的電路相關(guān)。各個(gè)廠家會(huì)提供對(duì)應(yīng)的PDK,供你按照一定的規(guī)則去設(shè)計(jì)自己的電路。例如CadenceADS等電路設(shè)計(jì)EDA軟件。
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7nm的極紫外線***,分為13個(gè)系統(tǒng),3萬(wàn)個(gè)分件,90%的關(guān)鍵設(shè)備來(lái)自外國(guó),有德國(guó)的光學(xué)設(shè)備和超精密機(jī)械、美國(guó)的計(jì)量設(shè)備和光源設(shè)備。我們來(lái)看看ASML的幾大供應(yīng)商列表:

圖片

要把來(lái)自這么多不同地區(qū)和國(guó)家設(shè)備、技術(shù)融合在一起,集成為一臺(tái)EUV,可想難度之大,成本之高,以至于一臺(tái)EUV的價(jià)格可以高達(dá)數(shù)億美元。ASML還有一個(gè)奇特的規(guī)定,只有投資了ASML才能獲取優(yōu)先供貨權(quán),三星、臺(tái)積電、intel、海力士都是ASML的大股東,大部分的高端***被這些廠商“優(yōu)先”采購(gòu)。

文章最后,我們回到最開(kāi)始提出的問(wèn)題。舉一國(guó)之力能否造出***,這里小編不能說(shuō)這是不可能的事情,因?yàn)樵瓉?lái)我們沒(méi)有原子彈最后也有了(千萬(wàn)不要杠我說(shuō)原子彈和EUV是兩個(gè)不同的東西,小編不是智障。)但是可想而知,要消耗的人力、物力、時(shí)間成本是多少。ASML花費(fèi)了30年的時(shí)間,砸了1000多億人民幣,集合了幾十個(gè)國(guó)家的技術(shù)才研制了EUV出來(lái)。要舉一國(guó)之力在短時(shí)間內(nèi)研制出來(lái),難度可想而知。

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    labview菜鳥級(jí)問(wèn)題,跪求哪位大俠快幫忙看一下,真的很急!!!

    哪位大俠幫忙看一下,為什么數(shù)據(jù)在子程序中輸不出來(lái)??????真的很急,謝謝
    發(fā)表于 07-28 09:47

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    發(fā)表于 07-28 09:49

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    求matlab視頻教程,真的很感謝

    求matlab視頻教程,找了很久但還是沒(méi)找到,真的很感謝!692812553@qq.com
    發(fā)表于 10-09 17:53

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