本人最早接觸SI仿真的時(shí)候，只是進(jìn)行一個(gè)簡(jiǎn)單的流程操作，其中涉及到的原理、模型知之甚少，再后來慢慢的接觸到了深一點(diǎn)的東西開始自己搭建電路了解到了IBIS。用于電路仿真的模型有好多，可能IBIS是最常用和最方便的一個(gè)，一般這個(gè)東西都是芯片廠家提供的，其中的一些原理又是一個(gè)很復(fù)雜的事情。下面簡(jiǎn)單整理IBIS中的構(gòu)造：

一 IBIS簡(jiǎn)介

1.IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)：輸入輸出緩沖器，是一個(gè)行為級(jí)模型，描述的是電壓與電流、電壓與時(shí)間的關(guān)系，也是一種基于V/I曲線的對(duì)于輸入輸出端口快速準(zhǔn)確建模的方法，是反映芯片驅(qū)動(dòng)和接受電氣特性的一種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。

2.IBIS 本身只是一種文件格式，它說明在一標(biāo)準(zhǔn)的IBIS 文件中如何記錄一個(gè)芯片的驅(qū)動(dòng)器和接收器的不同參數(shù)，但并不說明這些被記錄的參數(shù)如何使用，這些參數(shù)需要由使用IBIS 模型的仿真工具來讀取。

二 IBIS模型結(jié)構(gòu)

IBIS的模型結(jié)構(gòu)分為輸入和輸出，如下圖：

1.輸出結(jié)構(gòu)：包含一個(gè)PMOS、一個(gè)NMOS、兩個(gè)ESD保護(hù)二極管、芯片的電容和封裝寄生參數(shù)

C_PKGR_PKGL_PKG是整個(gè)芯片的等效電容、電阻、電感特性

C_Comp為硅片上腳的壓焊盤電容 (結(jié)電容)。

2.輸入結(jié)構(gòu)：包含兩個(gè)ESD保護(hù)二極管、芯片的電容和封裝寄生參數(shù)

C_PKGR_PKGL_PKG是整個(gè)芯片的等效電容、電阻、電感特性

C_Comp為硅片上腳的壓焊盤電容 (結(jié)電容)。

三 IBIS文件結(jié)構(gòu)

1.頭文件

這部分包含了IBIS的版本、文件名、版權(quán)等信息，如下圖：是下載于ST官網(wǎng)的STM的IBIS模型的頭文件：

2.器件描述

包含器件模型名稱、器件名稱、廠商、封裝和引腳等信息，如下圖：

3.模型描述

這部門定義了模型對(duì)應(yīng)的緩沖器類型、Pulldown、Pullup、 Power_Clamp、Gnd_Clamp的IlV數(shù)據(jù)表;Ramp數(shù)據(jù);描述波形上升/下降沿的VIT數(shù)據(jù)表等，如下圖：

四 IBIS在信號(hào)完整性中的應(yīng)用

IBIS在信號(hào)完整性仿真中有不可或缺的作用，它可以作為一個(gè)源端和接收端。它可以被大數(shù)的EDA軟件識(shí)別，并且在有些仿真的軟件中沒有IBIS模型，是不能進(jìn)行時(shí)域仿真的。在IBIS模型的基礎(chǔ)之上，我們可以分析傳輸線上的信號(hào)完整性問題，包括源端到負(fù)載端的阻抗、串?dāng)_、反射、時(shí)延等時(shí)域問題。

IBIS模型會(huì)把每個(gè)I/O或pin分為幾種狀態(tài)(輸入、輸出、浮空)，把這幾種狀態(tài)配置成幾種模型，通過調(diào)用I/O或pin的幾種模型來模擬輸入輸出。

審核編輯：湯梓紅