### 產品簡介

VBsemi的130P03LS-VB是一款單P溝道MOSFET，采用Trench技術，具有-30V的漏極-源極電壓（VDS）和20V的柵極-源極電壓（VGS）。該器件的漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）在VGS=4.5V時為12mΩ，在VGS=10V時為7.8mΩ，具有-60A的漏極電流（ID）和-2.5V的閾值電壓（Vth）。

### 參數說明

- **型號**: 130P03LS-VB
- **封裝**: DFN8(5X6)
- **結構**: 單P溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）**: -30V
- **VGS（柵極-源極電壓）**: 20V（±）
- **Vth（閾值電壓）**: -2.5V
- **RDS(ON)（漏極-源極導通電阻）**: 
 - VGS=4.5V時：12mΩ
 - VGS=10V時：7.8mΩ
- **ID（漏極電流）**: -60A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊示例

1. **電源逆變器**: 由于130P03LS-VB具有較高的漏極-源極電壓和較大的漏極電流，適用于一些逆變器中的功率開關和控制電路。
2. **電池保護**: 在電池保護電路中，MOSFET通常用于過充和過放保護。130P03LS-VB可用于一些電池保護模塊中，確保電池處于安全工作范圍內。
3. **DC-DC變換器**: 由于其低導通電阻和高漏極電流容量，130P03LS-VB適用于DC-DC變換器中的功率開關和控制電路，提高能量轉換效率。
4. **電動車電源管理**: 在電動車的電源管理系統中，MOSFET通常用于控制電池和電機之間的電源開關。130P03LS-VB可用于電動車電源管理系統中的功率開關。
5. **LED驅動器**: 由于其較高的漏極-源極電壓，130P03LS-VB適用于LED照明驅動器和控制器，提供穩定的電流和照明控制。

以上領域和模塊僅為示例，實際應用取決于具體設計要求和環境。