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• 發布了文章 2025-01-15 18:05

  英飛凌IGBT7系列芯片大解析

  

  上回書(英飛凌芯片簡史)說到，IGBT自面世以來，歷經數代技術更迭，標志性的技術包括平面柵+NPT結構的IGBT2，溝槽柵+場截止結構的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等。現今，英飛凌IGBT芯片的“當家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micropatterntrench）技術，溝道密度更高，元胞間距也經過精心設計，并且

  IGBT 芯片 英飛凌

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• 發布了文章 2025-01-14 17:35

  新品 | 用于交直流固態斷路器評估的高效套件（CoolSiC™版本）

  

  新品用于交直流固態斷路器評估的高效套件（CoolSiC版本）REF_SSCB_AC_DC_1PH_SIC固態斷路器(SSCB)套件用于快速評估交流和直流斷路器，帶交互式圖形用戶界面GUI。該套件支持110VAC、230VAC或350VDC工作電壓和16A額定電流，自然冷卻，采用頂部散熱(TSC)MOSFET封裝上的非隔離式散熱器。它可支持不同的SSCB應用場

  SiC 斷路器

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• 發布了文章 2025-01-13 17:36

  功率器件熱設計基礎（十二）——功率半導體器件的PCB設計

  

  /前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體的電流密度隨著功率半導體芯片損耗降低，最高工作結溫提升，器件的功率密度越來越高，也就是

  PCB設計 功率半導體器件 功率器件

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• 發布了文章 2025-01-11 09:05

  第二屆電力電子科普作品創作大賽斬獲殊榮——榮獲2024年全國科普日優秀活動表彰

  

  2024年12月27日，中國科協辦公廳正式發布了《關于表彰2024年全國科普日優秀組織單位與活動的通知》，由中國電源學會科普工作委員會攜手英飛凌科技（中國）有限公司精心策劃的第二屆電力電子科普作品創作大賽，斬獲“2024年全國科普日優秀活動”殊榮。第二屆大賽，我們鼓勵參賽者圍繞自身工作、學習及興趣，用文字、視頻、動漫等多種形式，展示電力電子技術在電源管理、電

  電力電子 英飛凌

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• 發布了文章 2025-01-09 17:06

  新品 | 670V TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7帶反并聯二極管TO-247-3大爬電距離和電氣間隙封裝

  

  670VTRENCHSTOPIGBT7PR7帶反并聯二極管TO-247-3大爬電距離和電氣間隙封裝該產品專門針對RAC/CAC和HVAC等升壓PFC電路進行了優化。它是TRENCHSTOPIGBT5的后續產品，具有更好的EMI特性、同類最佳的可靠性和堅固性，可為大功率和高開關頻率應用提供先進的性能和更高的性價比。產品型號：■KW30N67PR7■IKW40N

  IGBT 二極管 電氣

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• 發布了文章 2025-01-08 17:03

  英飛凌一站式方案助力熱泵系統，全新高效功率器件震撼首秀

  

  隨著全球能源轉型和低碳經濟的發展，建筑節能成為重要議題，熱泵系統作為一種高效的供暖、制冷和熱水供應方式，能夠顯著降低建筑能耗，提高能源利用效率，在現代社會中有著廣泛的應用需求。然而，人們對居住環境舒適度的要求日益提高，熱泵行業面臨著一個共同挑戰：如何實現安靜、高效且可靠的熱泵系統。英飛凌憑借多年的豐富經驗，提供MCU控制器，不同封裝的功率器件，以及GateD

  功率器件 功率模塊 英飛凌

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• 發布了文章 2025-01-06 17:05

  功率器件熱設計基礎（十一）——功率半導體器件的功率端子

  

  /前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率器件的輸出電流能力器件的輸出電流能力首先是由芯片決定的，但是IGBT芯片的關斷電流能力很強，

  功率半導體 功率器件 熱設計

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• 發布了文章 2025-01-03 17:31

  應用指南導讀 | 優化HV CoolGaN™功率晶體管的PCB布局

  

  作為寬禁帶半導體，氮化鎵（GaN）以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現代功率電子領域的新寵。然而，GaN器件的高速開關行為也對PCB布局設計提出了巨大挑戰。因此想要充分發揮GaN的潛力，我們必須理解和管理PCB布局產生的寄生阻抗，確保電路正常、可靠地運行，并且不會引起不必要的電磁干擾（EMI）。《優化HVCoolGaN功率晶體管的PCB布局》應用指南，

  GaN pcb PCB 功率晶體管

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• 發布了文章 2025-01-02 17:41

  新品 | 3300V，1200A IGBT4 IHV B模塊

  

  3300V,1200AIGBT4IHVB模塊知名的IHVB3.3kV單開關IGBT模塊經過了重大改進，以滿足牽引和工業應用（如中壓傳動或HVDC）當前和未來的要求。其最新推出的產品組合類型是經過優化的IGBT和二極管比率，FZ1200R33HE4D_B9足以取代英飛凌和競爭對手的1500A3.3kV單開關。它采用TRENCHSTOPIGBT4和發射極可控EC

  IGBT 二極管

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• 發布了文章 2024-12-31 17:06

  2024年度盤點：創新賦能，銳意前行

  

  2024年，面對充滿挑戰且不確定的市場環境，英飛凌始終秉持創新驅動技術領先的原則，不斷突破技術與產品性能的邊界，接連推出了多款重量級產品。今日，小編帶你一起盤點2024年的高光時刻。全新2000VCoolSiCMOSFET和二極管，業界首發作為市面上第一款擊穿電壓達到2000V的碳化硅分立器件，全新推出的CoolSiCMOSFET2000V采用TO-247P

  MOSFET 二極管 英飛凌

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