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• JesFS Flash文件系統(tǒng)：高效管理小型控制器大數(shù)據(jù)存儲新方案

  CC13xx/26xx系列處理器的Launchpad開發(fā)平臺物美價廉，配備TI的CCSTUDIO[3]IDE，可以進(jìn)行源代碼調(diào)試。CC13xx/26xx開發(fā)平臺配備了一片1MB的串行Flash存儲器，大小只有2mmx3mm!...

  1566次閱讀 · 0評論 控制器FlaSh數(shù)據(jù)存儲文件系統(tǒng)
  

• RDMA在高速網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用及其實(shí)現(xiàn)策略

  在大型模型應(yīng)用領(lǐng)域，要獲得最佳性能，關(guān)鍵在于精密配置，特別是當(dāng)GPU與InfiniBand網(wǎng)卡協(xié)同工作時。這里參考了合作伙伴NVIDIA推出的DGX系統(tǒng)，它倡導(dǎo)了一種GPU與InfiniBand網(wǎng)卡一對一配對的設(shè)計理念，并樹立了行業(yè)標(biāo)桿。...

  1019次閱讀 · 0評論 cpugpu適配器計算機(jī)網(wǎng)絡(luò)RDMA
  

• 什么是相變存儲器？如何表征相變材料及器件電學(xué)性能？

  相變存儲器（Phase-Change Random Access Memory，簡稱 PCRAM 或者PCM），是一種非易失性存儲器，利用電能(熱量)使相變材料在晶態(tài)(低阻)與非晶態(tài)(高阻)之間的相互轉(zhuǎn)換來實(shí)現(xiàn)信息的存儲和擦除，通過測量電阻的變化讀出信息。...

  1682次閱讀 · 0評論 存儲器非易失性存儲器
  

• DDR SDRAM 和SDRAM的主要差異

  DDR內(nèi)存通過在時鐘周期的上升沿和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，從而實(shí)現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)率。這意味著在每個時鐘周期內(nèi)，DDR內(nèi)存能夠傳輸兩次數(shù)據(jù)，提高了數(shù)據(jù)傳輸效率。...

  2599次閱讀 · 0評論 DRAMSDRAM存儲器DDR內(nèi)存
  

• 企業(yè)存儲設(shè)備資源劃分之存儲基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)探究

  1.web訪問存儲管理頁面 2.創(chuàng)建硬盤域 根據(jù)業(yè)務(wù)需求調(diào)整硬盤域 3.在硬盤域之上創(chuàng)建存儲池，分別創(chuàng)建一個文件及存儲StoragePool002和塊級存儲StoragePool001...

  400次閱讀 · 0評論 Web文件系統(tǒng)塊存儲
  

• 3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計時，3D DRAM開發(fā)路線圖

  目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行3D DRAM的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。...

  1124次閱讀 · 0評論 處理器DRAM三星電子晶體管3D DRAM
  

• 存算一體架構(gòu)的優(yōu)勢及分類

  存內(nèi)計算同樣是將計算和存儲合二為一的技術(shù)。它有兩種主要思路。第一種思路是通過電路革新，讓存儲器本身就具有計算能力。...

  2131次閱讀 · 0評論 芯片DRAM邏輯電路存儲器存算一體
  

• 先進(jìn)工藝下的SRAM功耗和性能挑戰(zhàn)

  隨著AI設(shè)計對內(nèi)部存儲器訪問的要求越來越高，SRAM在工藝節(jié)點(diǎn)遷移中進(jìn)一步增加功耗已成為一個的問題。...

  1595次閱讀 · 0評論 CMOSDRAMsram數(shù)據(jù)中心人工智能

• 如何打破內(nèi)存限制融合HBM與DDR5創(chuàng)新

  正如我們在最初涉足Celestial的產(chǎn)品戰(zhàn)略時所討論的那樣，該公司的零件分為三大類：小芯片、中介層和英特爾EMIB或臺積電CoWoS的光學(xué)旋轉(zhuǎn)，稱為OMIB。...

  843次閱讀 · 0評論 芯片交換機(jī)HBMDDR5

• 韓國研究團(tuán)隊開發(fā)新型超低功耗存儲設(shè)備

  DRAM是最常用的存儲器之一，速度非常快，但具有易失性特性，當(dāng)電源關(guān)閉時，數(shù)據(jù)會消失。NAND閃存是一種存儲設(shè)備，讀/寫速度相對較慢，但它具有非易失性特性，即使在電源被切斷時也能保存數(shù)據(jù)。...

  512次閱讀 · 0評論 閃存DRAMNAND存儲器
  

• 一文解析NAND的閃存接口ONFI

  ONFI 由100多家制造、設(shè)計或使用 NAND 閃存的公司組成的行業(yè)工作組，其中包括主要成員如 Intel 和鎂光。該工作組旨在簡化將 NAND 閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計算平臺以及其他需要大容量固態(tài)存儲的應(yīng)用程序中的過程。...

  9429次閱讀 · 0評論 控制器NAND閃存芯片閃存接口
  

• DDR SDRAM和SDRAM功能及結(jié)構(gòu)差異

  在計算機(jī)運(yùn)算速度發(fā)展的過程中，需要提高內(nèi)存的讀寫速率，只能通過提高時鐘頻率來提高SDRAM的讀寫速率。由于溫度等因素的影響，SDRAM的內(nèi)核時鐘頻率受限，無法進(jìn)一步提升。...

  2552次閱讀 · 0評論 SDRAM寄存器接收器時鐘信號DDR SDRAM
  

• 工業(yè)級存儲：工業(yè)應(yīng)用的關(guān)鍵要素與挑戰(zhàn)解析

  工業(yè)級存儲的廣泛應(yīng)用范圍涵蓋了工業(yè)PLC、工業(yè)HMI、工業(yè)網(wǎng)關(guān)、電力數(shù)據(jù)采集器、電力通訊管理器、工業(yè)控制、能源電力、軌道交通、電力DTU、運(yùn)動控制器等多個領(lǐng)域，并在這些領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色。...

  1136次閱讀 · 0評論 風(fēng)力發(fā)電機(jī)工業(yè)控制存儲芯片
  

• 超快移動固態(tài)硬盤是什么極速體驗(yàn)？

  如果選擇常規(guī)的 USB?C 接口，那么速度將限制在 1000MB/s 左右。例如體驗(yàn)期間同時使用了 MacBook?Pro?16 (M1?Pro，2021) 進(jìn)行測試，英睿達(dá) X10?Pro 的順序讀取速度在 900MB/s，寫入速度在 850MB/s，性能與英睿達(dá) X9?Pro 基本一致。...

  954次閱讀 · 0評論 usb移動硬盤固態(tài)硬盤英睿達(dá)

• 一文解析DARM工藝流程

  DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）的工藝流程包括多個關(guān)鍵步驟。...

  8509次閱讀 · 0評論 電容晶圓存儲單元光刻晶圓制備
  

• NAND存儲種類和優(yōu)勢

  非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。...

  1363次閱讀 · 0評論 閃存NAND非易失性存儲器快閃存儲器
  

• 什么是HBM3E內(nèi)存？Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

  Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。...

  3614次閱讀 · 0評論 處理器DRAM人工智能內(nèi)存控制器HBMHBM3E
  

• 3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

  溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲單元的細(xì)長孔洞。這些通孔貫穿整個堆疊結(jié)構(gòu)，并填充了導(dǎo)電材料，它們在每個存儲層之間形成導(dǎo)電通道，從而使電子能夠在在存儲單元間移動，進(jìn)行讀取、寫入和擦除操作。...

  1858次閱讀 · 0評論 刻蝕3d nand
  

• 3D NAND的主要制作流程

  SiO2與SiNx交替鍍膜，每層膜層在幾十納米左右。根據(jù)產(chǎn)品的不同，膜層的層數(shù)也不同。圖中只是示意圖，只有幾層。但實(shí)際有64，128，400層等層數(shù)。...

  1875次閱讀 · 0評論 3d nand芯片制程
  

• JEDEC發(fā)布：GDDR7 DRAM新規(guī)范，專供顯卡與GPU使用

  三星電子和SK海力士計劃在今年上半年量產(chǎn)下一代顯卡用內(nèi)存GDDR7 DRAM，這是用于圖形處理單元（GPU）的最新一代高性能內(nèi)存。...

  1232次閱讀 · 0評論 DRAM三星電子內(nèi)存JEDEC圖形處理
  
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