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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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常規LDO一般采用PMOS作為功率管,壓差受到PMOS特性影響。而NMOS管作為功率MOS性能優于PMOS;ME6403采用NMOS功率MOS,極大程度...
一、對于一個部件,比如射頻功放,供電是直流48V,其他的接口都是信號的輸入/輸出/控制等,像這類的部件需要單獨進行EMC要求嗎,如果要測試EMC,一般測...
逆變器,別稱為變流器、反流器,是一種可將直流電轉換為交流電的器件,由逆變橋、邏輯控制、濾波電路三大部分組成,主要包括輸入接口、電壓啟動回路、MOS開關管...
VCO,是一個頻率隨電壓變化的部件,而變容管則是產生該頻率變化的核心。在VCO的各項性能中,有兩個性能,分別為頻率的調諧范圍和輸出信號的相噪。這兩項性能...
MOS柵結構是MOSFET的重要組成部分,一個典型的N溝道增強型結構示意圖如圖1所示。其中柵極、源極和漏極位于同一個平面內,半導體的另一個平面可以稱為體...
在汽車電子領域,MOS管的應用非常廣泛。其中大部分是用作開關管的,從電源到各類型的功率驅動,都少不了MOS管的身影。今天我們來簡單介紹一下汽車電子中,M...
電路中經常會通過較大的電流,這就造成了電路中存在很多不確定的因素。為了避免這些因素對電路或者重要器件的損傷,保護電路應運而生。保護電路在逆變電源這種經常...
對于單個NMOS來說,在開通時,需要提供瞬間大電流向MOS內的寄生電容充電,柵源電壓(VGS)達到一定閾值后,MOS才能完全開通。在MOS開通后,還需要...
這一期為大家分享的是:DC-DC開關電源的開關波形產生高頻振蕩的原因,以及優化方案。
通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V3.3V,IO的電流輸出能力在20MA以下,不足以直接驅動功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來設計電機驅...
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體...
電子產品中,總是可見DC-DC轉換器的身影,DC-DC轉換器的使用有利于簡化電源電路設計,縮短研制周期,實現最佳指標。
SiC設計分享(三):onsemi同等功率的SiC與SiMOST進行比較
本文作為系列文章的第三篇,會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統Si MOS作比較,給出分析和計算過程,供設計工程師在選擇功率開關器件時參考!
隨著半導體制程越來越復雜,我們最關鍵的參數Vt的控制越來越重要,有的時候我們的Vt如果單純是襯底濃度影響我們自然可以通過長溝和短溝以及NMOS和PMOS...
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