英飛凌科技推出用于商業航空電子設備和雷達系統的脈沖應用和其他類型工業放大器的高功率晶體管。基于全新的50V LDMOS工藝技術，全新推出的器件具備高能效、適用于小型化系統設計
2012-07-15 01:23:46
1461 什么是3D晶體管？3D晶體管，從技術上講，應該是三個門晶體管。傳統的二維門由較薄的三維硅鰭（fin）所取代，硅鰭由硅基垂直伸出。
2012-08-08 11:12:013333 這款適用于低壓電池應用的緊湊型逆變器參考設計包括 12 個 CoolGaN? 晶體管 100 V G3 （IGC033S10S1），采用半橋配置，所有相位有兩個并聯器件。晶體管由
2024-11-28 10:04:03844 
和整流器等。CoolGaN? Smart Sense 產品具有無損電流檢測功能，簡化了設計并進一步降低了功率損耗，同時將各種晶體管開關功能集成到一個封裝中，適用于
2024-07-09 17:17:171179 
【 2024 年 11 月 20 日 , 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN? 650 V G
2024-11-20 18:27:29571 
3G無線基站技術及標準化第三代(3G)無線基礎設施將實現真正的移動接入互聯網并大幅提高新網絡的語音容量。現在還需要進一步技術開發和標準化，以降低成本和推進3G基站收發信臺的部署工作。 [hide][/hide]
2009-12-12 10:08:40
封裝標準化封裝標準化封裝標準化
2016-11-07 15:45:29
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會發生hFE低下等特性的劣化，請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-04-09 21:27:24
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊，請各位大俠指點！！！
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結構
2010-08-12 13:59:33
的hFE檔測量。測量時，應先將萬用表置于ADJ檔進行調零后，再撥至hFE檔，將被測晶體管的C、B、E三個引腳分別插入相應的測試插孔中（采用TO-3封裝的大功率晶體管，可將其3個電極接出3根引線后，再分
2012-04-26 17:06:32
供應晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關二極管，肖特基二極管，穩壓二極管等。有意都請聯系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
IC一般不能超出ICM。(3) 集電極最大允許功耗PCMPCM是指晶體管參數變化不超出規定允許值時的最大集電極耗散功率。使用晶體管時，實際功耗不允許超過PCM，通常還應留有較大余量，因為功耗過大往往是
2018-06-13 09:12:21
標準化的產物。4. 按形狀分類根據功率及安裝形態，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-04-10 06:20:24
現代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時發生損壞的缺點，因此現在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質。3. 晶體管的作用
2019-07-23 00:07:18
現代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時發生損壞的缺點，因此現在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會發生hFE低下等特性的劣化，請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18
，而是JFET！下部晶體管是MOSFET。輸出端的寄生NPN很明顯，其基極被鋁短路;在下部簡化等效電路中，不包含它。中間的電路相當完整;所示的3個電容在數據手冊中給出。 該圖解釋了在關斷期間，電流繼續
2023-02-20 16:40:52
導讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
硅NPN RF晶體管BFX89、BFY90，專為VHF/UHF放大器、振蕩器、轉換器應用BFX89和BFY90硅NPN RF晶體管采用TO-72封裝方式封裝。它們的實物如圖1所示，專為VHF/UHF
2019-04-08 01:46:37
%的國內市場，國內AGV需求市場80%-90%都是我們國內AGV廠家自主提供的。AGV行業水平的提高，產品標準化不可少目前我國AGV市場競爭劇烈，同質化嚴重，價格和質量參差不齊，需要統一的行業標準，形成一個
2017-10-10 11:00:43
EMC的國家標準行業標準及國際標準有人匯總過嗎？想整理一下
2019-04-18 16:10:23
如果基于GaN的HEMT可靠性的標準化測試方法迫在眉睫，那么制造商在幫助同時提供高質量GaN器件方面正在做什么？ GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其極高的耐高溫性和高功率密度而在半導體行業中
2020-09-23 10:46:20
雙極晶體管MAPRST0912-50產品特性NPN硅微波功率晶體管金金屬化系統擴散Emitter Ballasting Resistor高效數字化幾何寬帶C類操作共基極結構符合RoHS標準的密封金屬
2018-08-09 09:57:23
配置在鰭片和硅襯底之間有一個絕緣層（BOX 或埋入 OXide 層）（圖 8）。 圖8.SOI 鰭式場效應晶體管 體鰭式場效應晶體管采用體硅而不是 SOI 晶圓 – 鰭片連接到硅襯底（圖 9
2023-02-24 15:20:59
MRF1004MB硅雙極晶體管產品介紹MRF1004MB報價MRF1004MB代理MRF1004MB咨詢熱線MRF1004MB現貨,王先生15989509955 深圳市首質誠科技有限公司
2018-08-09 10:01:09
化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：NPT2020產品名稱：射頻晶體管NPT2020產品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應用從直流3.5 GHz調諧48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
`產品型號：NPTB00025B產品名稱: 射頻功率晶體管NPTB00025B 產品特性針對DC-4000MHz的寬帶運行進行了優化散熱增強的行業標準包裝100％射頻測試具有高達32V的工作電壓
2019-11-01 10:46:19
PROFIBUS 技術及標準化1.PROFIBUS技術的由來2.現場總線歐洲標準的結構3.現場總線國際標準 IEC 61158 的形成4.中國現場總線標準化工作的現狀 
2009-11-17 10:28:16
HEMT運行2.7至3.1 GHz和50V電源軌。該裝置是甘移完全匹配50歐姆的一個行業標準的氣腔封裝，非常適合于。產品型號: QPD1018產品名稱：氮化鎵晶體管QPD1018產品特性頻率范圍：2.7
2019-07-17 13:58:50
HEMT運行2.7至3.1 GHz和50V電源軌。該裝置是甘移完全匹配50歐姆的一個行業標準的氣腔封裝，非常適合于軍用雷達。?產品型號: QPD1018產品名稱：氮化鎵晶體管QPD1018產品特性頻率范圍
2018-07-27 09:06:34
W（p3db）寬帶GaN-on-SiC HEMT由DC至12 GHz和32v供電軌。該裝置是在一個行業標準的3x3毫米QFN封裝，非常適合軍用和民用雷達、地面移動和軍事無線電通信、航空電子設備
2018-07-25 10:06:15
購買標準的成本和費用，為企業直接產生經濟效益。系統名稱：創智標準化信息網站管理系統系統價格：4998元 系統包含標準文檔數量：我們會根據客戶要求整理國家標準、行業標準電子版本系統另外包括標準化模板：企業
2010-08-10 22:51:46
調制和振蕩器。晶體管可以獨立封裝，也可以封裝在非常小的區域內，容納1億個或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術）嚴格來說，晶體管是指基于半導體材料的所有單一元件，包括由各種半導體材料
2023-02-03 09:36:05
硅雙向開關(SBS-雙向觸發晶體管) 硅雙向開關SBS（Silicon bidirectional Switch）也叫雙向觸發晶體管。它相當于把兩只硅單向開關反極性并聯，等效電路
2009-04-26 13:27:24
的數字產品和解決方案，在提供高性能表現的產品和系統解決方案的同時，極大的減輕了客戶庫存的壓力和新產品推出的周期，擴展了研發設計的靈活性。英飛凌照明驅動IC以其豐富的產品類型，廣泛的拓撲組合，搭配業界領先功率晶體管CoolMOS技術，充分滿足了LED驅動電源設計的半導體器件選型需求。
2019-10-18 06:23:59
的性能遠遠低于更常見的可視晶體管，如硅基MOSFET。這歸因于透明晶體管材料的固有物理性質差，包括多晶結構、低熱導率、低電子遷移率——在In2O3、ZnO2和SnO2中，遷移率通常僅為100 cm2
2020-11-27 16:30:52
功率設計通常與集成電路 （IC） 邏輯一起使用，以驅動螺線管、發光二極管 （LED） 顯示器和其他小負載。 與使用標準單晶體管相比，達林頓晶體管設計具有多個優勢。該對中每個晶體管的增益相乘，從而產生
2023-02-16 18:19:11
。中國通信標準化協會要整合資源、匯聚眾智，共同推動量子通信標準化工作。一是標準引領，支撐發展，盡快推出一批產業發展急需、具有重要應用和推廣價值的標準，支撐量子通信技術研發和產業化發展。二是勇于創新
2017-06-19 10:34:39
S－l、S－4的封裝外形基本相同;TO一220封裝外形與國產管S一7B封裝外形基本相同;T0一202封裝外形與國產管S一6封裝外形基本相同。 采用TO系列封裝的常用晶體管有:T0一3為:2SD869
2008-06-17 14:42:50
制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。 按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數國產管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2
2012-07-11 11:36:52
描述EarthQuaker Devices 污垢發射器基于硅晶體管模糊電路。除了標準的 Tone、Level 和 Dirt 旋鈕外，Dirt Transmitter 還具有一個 Bias 旋鈕，用于模擬快要耗盡的電池的電壓不足，以獲得類似 Velcro 的絨毛音調。PCB+原理圖
2022-08-10 06:40:23
，導致流過晶體管的電流為零的大耗盡層。在這種情況下，晶體管被關閉。 截斷區域特征如下所示： 圖3.截斷區域特征。圖片由Simon Munyua Mugo提供 晶體管操作類似于單刀單擲固態開關
2023-02-20 16:35:09
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:04 編輯
來自普渡大學和哈佛大學的研究人員制作出一種新型晶體管，所使用的材料有望取代硅，并且采用了立體結構，而非傳統的平板結構。這種
2011-12-08 00:01:44
【摘要】：無鉛工藝是一個技術涉及面極廣的制造過程,包涵設計、材料、設備、工藝與可靠性等技術。因此,無鉛工藝的標準化工作需要全行業眾多和研究機構的共同努力。工藝相關要素的標準化可以大大降低生產成本
2010-04-24 10:08:34
密鑰的跟蹤器。
我計劃使用 CPU 的硅 ID 作為 SAM 主密鑰，以便將它們綁定在一起
是否有為 SAM 創建主密鑰的行業標準方法？
2023-05-18 14:53:23
標準化的產物。4. 按形狀分類根據功率及安裝形態，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-05-05 01:31:57
，而且縮小器尺寸比運用硅雙極結晶體管(SiBJT)或橫向分散金屬氧化物半導體(LDMOS)器件的產品減小50% 封裝和供貨： 2729GN-500晶體管采用單端封裝供貨，在密封的焊料密封封裝
2012-12-06 17:09:16
特性，我們將首先從GaN器件驅動電路設計開始介紹。 正確設計驅動電路 諸如英飛凌科技 CoolGaN?600 V HEMT之類的GaN晶體管采用了柵極p型摻雜工藝，這會將器件的柵極閾值電壓轉換
2021-01-19 16:48:15
英飛凌科技公司（Infineon），設在慕尼黑的實驗室最近取得了新的突破——這里的研究人員成功開發出全球最小的納米晶體管，其溝槽長度僅為18納米，幾乎是當前最先進的晶
2006-03-11 22:10:391126 硅晶體管與鍺晶體管的識別及區分方法
將萬用表撥至R×1k檔。對于PNP型管，黑表筆接發射極E，
2008-10-19 09:47:349057 
通過外形標志和標準封裝代號判別常用晶體管的引腳排列在晶體管的產品治療說明或工具書中，常常只給晶體管的封裝代號，這些晶體管的引腳排列都是符合
2009-07-31 17:24:331838 
晶體管分類
按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:534617 3G標準化進展與市場發展
摘要：簡要介紹了第三代移動通信的發展歷程、主流技術特點和最新標準化進展，以及我國第三代移動通
2009-12-14 16:39:13739 多晶硅發射極晶體管,多晶硅發射極晶體管是什么意思
多晶硅是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛
2010-03-05 11:08:271787 晶體管和可控硅的封裝形式
2010-03-05 15:07:342376 英飛凌目前正推出另一項重要的創新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:172016 Intel在微處理器晶體管設計上取得重大突破，沿用50多年的傳統硅晶體管將實現3D架構，一款名為Tri-Gate的晶體管技術得到實現。 3D Tri-Gate晶體管使用了一個微薄的三維硅鰭片取代了傳統
2011-10-25 09:35:401468 為了保證在高溫條件下，正確使用高頻硅PNP晶體管3CG120，文中對3CG120在不同溫度段的失效機理進行了研究。通過對硅PNP型晶體管3CG120進行170~340 ℃溫度范圍內序進應力加速壽命試驗，發
2012-07-11 14:59:13
0 近年來相關部委和標準化組織都開展了標準制定工作。目前已經發布實施的與LED產品相關的國家標準和行業標準共70余項、已立項或正在制定中的國家標準和行業標準共50余項。
2012-09-17 15:47:01910 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出行業首款采用了DFN0806-3微型封裝的小信號雙極型晶體管。這些器件的占位面積為0.48mm2，離板厚度僅0.4mm，面積比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封裝的同類型器件少20%。
2013-08-06 12:26:271330 當前，5G進程加速，投資規模將十分巨大，需要更好地發揮標準化工作在降低行業成本、支撐產業協同、推動科技進步方面的作用，也需要更好發揮中國鐵塔的統籌共享作用，深挖共享潛力，釋放共享紅利，快速經濟高效地建設5G基礎設施。
2019-05-17 09:54:571440 奚國華指出，通信行業標準化非常重要，我們見證了從2G、3G、4G到5G的標準化進程，從3G的多元化標準，4G兩元化標準，到5G世界統一標準，這是一個偉大的進展。
2019-11-24 09:45:123042 1月9日，中國首批14項5G核心標準在中國通信標準化協會(CCSA)主辦的“5G標準發布及產業推動大會”上發布，這些5G標準涵蓋核心網、無線接入網、承載網、天線、終端、安全、電磁兼容等領域。
2020-01-14 09:46:11899 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD850-TO-3規格書
2021-12-15 10:05:111 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD905-TO-3規格書
2021-12-15 11:03:046 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD1026-3PN規格書
2021-12-15 13:56:4410 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD1027-3PN規格書
2021-12-15 13:59:126 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD1435-3PN規格書
2021-12-17 09:46:109 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD1559-3PN規格書
2021-12-18 09:19:5010 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD1662-3PN規格書
2021-12-18 14:42:473 SPTECH硅NPN功率晶體管2N3771-TO-3規格書.pdf
2021-12-24 14:26:002 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC1226-220c3產品手冊
2022-03-10 15:39:404 英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列，旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業標準。
2022-03-14 17:39:161912 
SPTECH硅NPN功率晶體管2SC2792-3PL手冊免費
2022-06-14 11:17:241 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC2792-3PN手冊免費
2022-06-14 11:16:461 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC2908-3PN英文手冊免費下載。
2022-06-21 16:02:551 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC2987A-TO-3PML英文手冊
2022-06-21 14:57:531 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC2987A-TO-3PN英文手冊
2022-06-21 14:56:593 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC3182N-3PN英文手冊免費下載。
2022-06-24 15:06:231 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC3220-3PN英文手冊免費下載。
2022-06-23 15:54:330 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC3281-3PN英文手冊
2022-06-23 15:37:060 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC3306-3PI英文手冊
2022-06-22 16:47:450 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC3322-3PN英文手冊免費下載。
2022-06-22 15:32:080 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC3527-3PML英文手冊
2022-07-27 16:14:432 英飛凌的總體戰略是將當今的每一項尖端硅技術與寬帶對應技術相結合。基于市場上已經推出的 CoolSiC? 技術，英飛凌推出了全新的 CoolGaN? 解決方案，這些解決方案完善了 CoolMOS
2022-08-09 09:45:111132 
SPTECH硅NPN功率晶體管2SC3949-3pml英文手冊免費下載。
2022-09-30 09:50:270 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC4057-3PN英文手冊免費下載。
2022-09-30 09:24:440 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC4058-3PN英文手冊免費下載。
2022-09-30 09:24:060 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC4059-3PN英文手冊免費下載。
2022-09-30 09:23:240 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC4060-3PN英文手冊免費下載。
2022-09-30 09:21:200 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC5352-3PN英文手冊免費下載。
2022-09-29 14:22:250 研發激光電視之初，海信就積極推動激光顯示產業的標準制定，截止目前，海信已累計推動6項國際標準，2項行業標準和13項團體標準的制定發布，是激光顯示標準的領跑者，充分彰顯出海信深耕激光顯示技術的決心與毅力，和共同奔赴消費者體驗科技進步帶來的
2022-10-18 17:45:371001 
P3.064C：3 引腳小外形晶體管塑料封裝 (SOT89-3)
2023-01-12 18:43:400 P3.064C：3 引腳小外形晶體管塑料封裝 (SOT89-3)
2023-07-03 18:35:340 全球基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）近期宣布了一項重要產品擴展計劃，其備受歡迎的功率雙極結型晶體管（BJT）系列再添新成員。此次，Nexperia隆重推出了二十款新型
2024-09-03 14:28:57521 英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN650VG5晶體管，該系列進一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產品組合。該新產品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視
2024-11-28 01:00:46313 
高壓CoolGaNGITHEMT（高電子遷移率晶體管）可靠性和驗證的白皮書共33頁，被翻譯成中文和日文，主要介紹了英飛凌如何實現CoolGaN技術和器件使用壽命，且大幅超過標準的規定，詳細闡述了
2024-12-18 17:20:15280
電子發燒友App
工商網監
評論