描述

AD585是一款完整的單芯片采樣保持電路，含有一個高性能運算放大器，與一個泄漏極低的模擬開關和一個FET輸入積分放大器相串聯(lián)。同時提供一個內(nèi)部保持電容和匹配應用電阻，具備高精度和應用靈活性。

AD585性能出色，是高速10位和12位數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的理想選擇，在這類應用中，快速的采集時間、低采樣保持失調(diào)和低下降至關重要。利用片內(nèi)保持電容，AD585可以在最多3 μs的時間內(nèi)采集精度達±0.01%的信號，并以最大3 mV的采樣保持失調(diào)和不到1 mV/ms的下降速率保持該信號。如果要求更低的下降速率，則可以添加一個較大的外部保持電容。

AD585所用高速模擬開關的孔徑抖動為0.5 ns，能以12位精度對頻率最高為78 kHz的滿量程（20 V峰峰值）信號進行采樣。

AD585可以支持任何用戶定義的反饋網(wǎng)絡，為采樣模式提供任何所需增益。片內(nèi)精密薄膜電阻可用來提供+1、-1或+2的增益。保持模式下的輸出阻抗很低，足以維持精確的輸出信號，即使在驅(qū)動由逐次逼近ADC帶來的動態(tài)負載時也無問題。但輸出采用了意外短路保護機制。

保持命令的控制信號可以為高電平有效或低電平有效。只要提供合適的基準電平，差分保持信號即可兼容所有邏輯系列。提供一個片內(nèi)TTL基準電平以確保TTL兼容性。

 

特性

? 采集時間：3.0μs（至±0.01%，最大值）
? 低下降速率：1.0mV/ms（最大值）
? 采樣保持失調(diào)步長：3mV（最大值）
? 孔徑抖動：0.5ns（典型值）
? 內(nèi)部保持電容
? 內(nèi)部應用電阻
? 工作電壓：±12V或±15